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作製したデバイスの評価

集束イオンビーム励起化学気相法によるマイクロ構造体の作製と機械的性質の評価

集束イオンビーム励起化学気相法によるマイクロ構造体の作製と機械的性質の評価

... 以 下に述べ る微小構 造体の 機械的性質や組織を評価する実験は , プローブ電 流値 200 pA で作製したものについて行った.. ナノイ ンデ ンターを用いて, 梁の中 央部に荷重 0..[r] ...

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厚膜レジストを用いた磁気ポリマーコンポジットの特性評価とそのマイクロデバイス応用に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ

厚膜レジストを用いた磁気ポリマーコンポジットの特性評価とそのマイクロデバイス応用に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ

... 第六章では、上記結果を総括、提案磁気ポリマーコンポジット有用性と、マ イクロデバイスアクチュエータとして優位性について結果が纏められている。 以上より、本論文は、新規性、発展性ともに高く評価できるものであり、本審査委員会 ...

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厚膜レジストを用いた磁気ポリマーコンポジットの特性評価とそのマイクロデバイス応用に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ

厚膜レジストを用いた磁気ポリマーコンポジットの特性評価とそのマイクロデバイス応用に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ

... Fe 含有量については解像度を維持,磁気吸 引力を高くする必要があるため,粒子含有率 15 wt%と。また,バルブ構造体寸 法値については Figure 4-14 (a) に示しており,磁気ポリマーコンポジットで構成するこ とが可能であり,磁気駆動を行うために十分な体積を持つことができるものと。バ ...

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[1]デバイス特性ばらつきの評価

[1]デバイス特性ばらつきの評価

... DMA-TEG 中から、±5σに対応する、極端に特性 がばらついトランジスタを 3DAP 評価、特性がばらつくはどの元素どのような分布によるか、電気特 性と元素分布とを一対一で対応付けることである。しかしながら、これには多く課題が存在する。まず、電気 ...

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FIB -CVDによるマイクロ構造体の作製と機械的性質の評価

FIB -CVDによるマイクロ構造体の作製と機械的性質の評価

... 緒言 現在,微細加工技術によって作製した 3 次元微小構造体の MEMS/NEMS への応用が期待されている.その技術の確立によ って,立体国乙線による電子デバイスのさらなる小型化 3 超微小医 療機器などの作製が実現すると考えられている.そのため,ナノ テクノロジーの発展に伴い, 3 次元微小構造体の作製方法が次々 に研究・開発されてきた 1 )しかし,実用化段階にあ[r] ...

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[1]デバイス特性ばらつきの評価

[1]デバイス特性ばらつきの評価

... と併せて、アレイ規模は小さいが機能を簡素化 て、測定が簡易的に行えるシンプルアレイ TEG も同時に開発。DMA-TEG ように大規模な回路 TEG を用いる場合、配線抵抗や配線容量ために、DUT 測定スピードや、測定・ストレス切替スピードなど負 ...

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高圧ねじり加工で作製したナノ構造TiNi合金の表面評価と生体適合性

高圧ねじり加工で作製したナノ構造TiNi合金の表面評価と生体適合性

... Surface Characterization and Biocompatibility of Nanostructured TiNi Alloys Processed by High-Pressure Torsion (高圧ねじり加工で作製ナノ構造 TiNi 合金表面評価と生体適合 性) 主 査 筑波大学教授 Ph.D. 土谷 浩一 副 査 筑波大学教授 ...

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AN 74: アルテラ・デバイスの消費電力評価方法

AN 74: アルテラ・デバイスの消費電力評価方法

... n DC出力電力 下記表1は、V CCIO が5.0-Vに設定されデバイス出力ドライバによっ て消費される電力を示しものです。出力ドライバで消費される直流電力 は、ほとんどが負荷で消費されるため、V CC ×I CCIO にはならないことに注 ...

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希土類系酸化物熱電変換材料の作製と評価

希土類系酸化物熱電変換材料の作製と評価

... 2 で述べた半導体理論のキャリア濃度が増える とゼーベック係数が減少していく傾向と 致している ととが確認できる。 55.[r] ...

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ミストを用いた薄膜成長法の開発と デバイス作製プロセスへの適用 Thin film fabrication technology development using mist, and its application to device fabrication process.

ミストを用いた薄膜成長法の開発と デバイス作製プロセスへの適用 Thin film fabrication technology development using mist, and its application to device fabrication process.

... Fine Channel structure mist ultrasonic generator solution carrier gas Power source TEXIO (PA36-3B) Ultrasonic generator UMG-2010-01-3b-A4 Heater Scalar FCM-060.. : not uniform[r] ...

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交差反応性 抗原量 形態に着目した新たな食物アレルギー in vitro 評価法の開発 81 心した 上清は使用するまで 80 で保存した このほか 4 等分したトマトをフードプロセッサーにかけ ただちにEXiLE 法を行うトマトすりおろし液も作製した リンゴを縦に8 等分し 芯を取り除いて皮と果肉

交差反応性 抗原量 形態に着目した新たな食物アレルギー in vitro 評価法の開発 81 心した 上清は使用するまで 80 で保存した このほか 4 等分したトマトをフードプロセッサーにかけ ただちにEXiLE 法を行うトマトすりおろし液も作製した リンゴを縦に8 等分し 芯を取り除いて皮と果肉

... れているトマト 6 ) 、と、シラカバ花粉に対する交 差反応性報告例が最も多く、熱・酵素に不安定な リンゴをターゲットと。 Fig.1A及び Fig.2A で示すように、特にリン ゴに関しては市販アレルゲンスクラッチエキス ではほとんど反応が認められなかっ。本エキス は原料を50 %グリセリン食塩溶液で抽出、 2- 8 ...

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軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作

軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作

... 図3.SiO 2 /SiC 界面における NO アニーリングスナップショット。.(a).45ps..CN 分子が界面 C 原 子と結合。(b).90ps..N 2 O.分子生成.(c).150ps..N 2 .分子と Si 3 N.構造形成。 NO アニーリングシミュレーションにおいては 15ps 毎に酸素分子を SiO 2 ...

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高圧ねじり加工で作製したナノ構造TiNi合金の表面評価と生体適合性

高圧ねじり加工で作製したナノ構造TiNi合金の表面評価と生体適合性

... This study concluded the beneficial effects of HPT deformation on the corrosion resistance of TiNi alloys in the cell culture medium due to formation of more stable and[r] ...

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エアロゾルプロセスによる次世代蓄電池負極の作製と評価

エアロゾルプロセスによる次世代蓄電池負極の作製と評価

... For comparison, the figure shows performance of Si anode obtained by conventional slurry-based method using polyimide binder and conductive additive of acetylene black. [r] ...

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生分解性樹脂ポリ乳酸によって作製した構造物の分解に伴う強度特性変化に関する研究

生分解性樹脂ポリ乳酸によって作製した構造物の分解に伴う強度特性変化に関する研究

... 我々は、市販 FDM3D プリンタによって小型生分 解樹脂製試験片を直接作製、分解に伴う強度特性 評価を行ってき。これまでに、デバイス作製基礎デ ータを得るために、浸漬分解後引張強度低下に対す ...

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炭素材料を利用した電気エネルギー貯蔵デバイスの高性能化に向けた複合化技術の開発

炭素材料を利用した電気エネルギー貯蔵デバイスの高性能化に向けた複合化技術の開発

... レドックス化合物酸化還元電位は極めて重要である。そ 理由は、貯蔵される電気エネルギーがセル電圧に大きく 依存するからである。そこで本研究では、レドックス有機 化 合 物 中 で も 特 に 酸 化 還 元 電 位 高 い 2,2,6,6- Tetramethylpiperidine 1-Oxyl(TEMPO)誘導体である HTB (図 ...

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低温堆積AlN,GaN バッファ層/サファイア基板上に作製したMOCVD n-GaN の深い準位の比較

低温堆積AlN,GaN バッファ層/サファイア基板上に作製したMOCVD n-GaN の深い準位の比較

... 子と正孔トラップを同時に評価することができる。しか ながら、 n 型半導体を有するショットキーダイオード においては、順方向電流におけるキャリア移動は電子 のみであるため、電圧パルスでは少数キャリアである正 孔トラップ評価はできない。そこで、禁制帯以上エ ネルギーをもつ光を照射することで、中性領域で電子- ...

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トポロジカル結晶絶縁体SnTeに遷移元素を添加した磁性混晶の作製と磁化特性

トポロジカル結晶絶縁体SnTeに遷移元素を添加した磁性混晶の作製と磁化特性

... 究成果が詳しく説明されている。最後に通常トポロジカル絶縁体における磁性影響を調べ 先行研究いくつか例が紹介されている。 第 3 章は本研究で用いられ実験手法解説に充てられている。MBE 法による薄膜成長、X 線 回折、X ...

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人の感性に着目したスマートデバイスによるセンシング方式の研究

人の感性に着目したスマートデバイスによるセンシング方式の研究

... ICT 秘匿性と評価特徴を利用する事で互い意見を出しやすくする事を 目的と模造紙アプリを作成.模造紙アプリは,模造紙と付箋紙をメタ ファーとテキスト・画像共有アプリケーションである. 端末ソフトウエアをモジュール構造で説明する.具体的には,端末発見モジ ...

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したデバイスに恒久的に割り当てられるものです 当該デバイスが ライセンスを取得したデバイス となります ハードウェアパーティションは 独立したサーバーとみなされます a. ライセンスを取得したデバイス お客様は ライセンスを取得したデバイスに本ソフトウェアのコピー 1 部をインストールすることができ

したデバイスに恒久的に割り当てられるものです 当該デバイスが ライセンスを取得したデバイス となります ハードウェアパーティションは 独立したサーバーとみなされます a. ライセンスを取得したデバイス お客様は ライセンスを取得したデバイスに本ソフトウェアのコピー 1 部をインストールすることができ

... (ライセンス認証) 義務。 アクティベーションは、本ソフトウェアと特定デバイスとを関連付けるためものです。アクティ ベーション間、本ソフトウェアからマイクロソフトに本ソフトウェアとデバイスに関する情報が送 信されます。この情報には、本ソフトウェアバージョン、言語およびプロダクト キー、デバイス ...

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