低飽和電圧トランジスタ
JAIST Repository: 印刷法を用いた低電圧駆動有機トランジスタの開発とシート状感圧センサーへの応用
... 図２に示すとおり、素子へ圧力を印加す ると印加した圧力の大きさに応じて素子の 伝達特性が高電圧側（図２左方向）へシフ トすることがわかった。このシフトは、素 子に組み込まれている有機トランジスタの 出力電流値が感圧部に加えられた圧力に応 答して変わることを意味している。これは 感圧部の分極の大きさが圧力印加に応じて 変化していることを反映していると現段階 では考察している。比較のために圧力応答 ...
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LTC デュアル、2フェーズ、RSENSE™、低入力電圧、同期整流式コントローラ
... （GNパッケージ）/（UFDパッケージ） TRACK/SS2 （ピン10）/（ピン7）：チャネル2のトラッキング とソフトスタート入力。LTC3836はV FB2 の電圧を、0.6Vと TRACK/SS2ピンの電圧の小さい方に安定化します。内部の 1.5µAプルアップ電流源がこのピンに接続されています。この ピンとグランドの間に接続したコンデンサにより、最終安定化 ...
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Last Saved: 2010/04/24 22:17 / Edit: 1 特長 低入力オフセット電圧 : 50 µv max 低入力オフセット電圧ドリフト : 0.6 µv/ C max 超低バイアス電流 : 100 pa max 超高オープンループゲイン : 2000 V/mV min 低電源
... アプリケーション情報 全軍用温度範囲で超低入力バイアス電流の OP297 は、広い温度 範囲での動作が要求されるサンプル・ホールド・アンプ、ピー クディテクタ、ログアンプなどのアプリケーションに最適です。 OP297 の場合、入力抵抗はバランスがとれている必要はありま せん。例え入力抵抗がアンバランスでも、オフセット電圧、 TCVOS は高ソース抵抗によりわずかに減定格するだけです。 OP297 ...
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1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(
... 本技術を適用した超低電力 LSI は、機器組み込み用や自動車用など様々な用途に使われるマイコ ン、超低電力動作を活かしたユビキタスセンサネットワークなどへの応用が期待されます。今後も 実用化を目指して、研究開発を進めてまいります。 本研究は、平成 22 年度経済産業省産業技術研究開発委託費「低炭素社会を実現する超低電圧デ ...
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スピントランジスタの基本技術を開発 ― 高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体 ―
... z スピンMOSトランジスタは、微細化によらず高速化でき、低消費電力、不 揮発性など優れた特長がある。トランジスタをいくつも用いるSRAMをスピ ンMOSトランジスタ一つに置き換えることも可能。さらに、製品完成後に 回路の再構成が可能なため、FPGAのような利便性も持つ。 ...
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参考資料 DRV 低電圧モータ ドライバ IC JAJSBI0 特長 H ブリッジ電圧制御モータ ドライバ DC モータ ステッピング モータの 1 巻線 または他のアクチュエータ / 負荷を駆動可能 高効率の PWM 電圧制御により 電源電圧の変化に対してモータ
... 両方のビットが0の場合、出力ドライバはディスエーブルに なり、デバイスは低電力シャットダウン状態となります。電 流制限障害状態が発生していた場合は、クリアされます。ブ レーキまたはスタンバイ･モードから正転または逆転へと遷移 する際には、電圧制御PWMがゼロ･デューティ･サイクルから 開始されることに注意してください。デューティ･サイクルは ...
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絶対最大定格 (Ta=5 C) 項目 記号 Min. Typ. Max. 単位 動作温度 * 3 * 4 Topr C 保存温度 Tstg C 出力トランジスタドレイン電圧 OD リセットドレイン電圧 RD アンプ出力帰
... *16: ダイナミックレンジ = 飽和電荷量／読み出しノイズ *17: DSNU、PRNUのMax.を超えた画素 *18: LED光 (ピーク波長: 660 nm)を用いて飽和出力の半分のときに測定 *19: 感度不均一性 = 固定パターンノイズ (peak to peak) ...
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TMP35/TMP36/TMP37: 低電圧温度センサー
... 温度は低速変化する量であるため、コンパレータにはチャタリ ングが発生する可能性があります。この状態を防止するため、 コンパレータにヒステリシスが使用されます。このアプリケー ションでは、トリップ・ポイントの付近に 5℃のヒステリシス が任意に選択されました。ヒステリシスの最終値はアプリケー ションで決定する必要があります。R1 と R2 を使用するコンパ レータの出力ロジック電圧振幅により、コンパレータ・ヒステ ...
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LM A 低ドロップアウト正出力電圧レギュレータ
... Note 8: ロード・レギュレーションおよびライン・レギュレーションは、一定の接合部温度で測定され、15W の最大消費電力まで保証されています。 消費電力は、 入出力電圧差と出力電流によって決まります。 保証最大消費電力は全入出力電圧差範囲にわたっては保証されていません。 Note 9: ドロップアウト電圧規格は、デバイスの全出力電流範囲にわたって定義されています。 Note 10: ...
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Bipolar Power Transistors / バイポーラパワートランジスタ
... 大電力 IGBT、MOSFET など、MOS ゲートデバイスの高速ゲートドライブ、あるいは、小型モータドライバに最適です。 Low V CE(sat) PNP and NPN transistors are housed in a single package. 低飽和電圧（V CE(sat) ）の PNP と NPN トランジスタを１パッケージ化しました。 ■ Product ...
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マイクロ波トランジスタと増幅器の設計
... 表現では基本波成分で除して傾き２となる．RF 低 レベルでの基本波と IMD3 成分の外捜した交点が三 次インターセプトポイント IP3 である．なお，現実 のデバイスのひずみはドレーン電流あるいはコレク タ電流以外の成分の非線形性や更に高次の非線形性， 次項で説明するメモリ効果などが存在するため小信 号域を除いて単純な直線関係を示さない場合も多い． さらに変調信号を増幅する場合は精度の高い隣接チ ャネル漏洩電力比 ...
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SiC 高チャネル移動度トランジスタ
... 現在、パワーデバイスを支えている材料はシリコン （Si: Silicon）である。しかし、Si パワーデバイスは技術の 成熟により物性値で決まる性能限界に到達しようとしてい る。そこで Si に代わるパワーデバイス用材料として注目さ れているのが、ワイドバンドギャップ半導体の炭化珪素 （SiC: Silicon Carbide）である。SiC は Si に比べて、絶縁 破壊電界、電子飽和速度、熱伝導率が大きいという優れた ...
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飽和分光
... ③ 観測したスペクトルはプリントアウトとデータ保存しておく（レポート時に使用するた め） ④ ファンクションジェネレータが正確に電圧を時間に対して比例するように振っていれ ば、ECLD の周波数は電圧に比例するので、０次光と 1 次光の 80MHz のずれから、０ 次光から得られるピークと 1 次光から得られるピークの差の時間が 80MHz となり、時 間あたりの周波数がわかり、そこから相対周波数を計算する。 ...
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XD6506 シリーズ JTR 超低消費電流レギュレータ ( スタンバイ機能付き ) 概要 AEC-Q100 Grade2 XD6506 シリーズは 0.8uA(TYP.) の超低消費電流を実現した CMOS プロセスの正電圧レギュレータ IC です IC は基準電圧源 誤差増幅器
... ■概要 XD6506 シリーズは、0.8uA(TYP.)の超低消費電流を実現した CMOS プロセスの正電圧レギュレータ IC です。 IC は基準電圧源、誤差増幅器、ドライバトランジスタ、電流フォールドバック回路、位相補償回路等から構成されています。 出力電圧は 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 2.8V, 3.0V, 3.3V, 5.0V のいずれかに IC ...
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バイポーラパワートランジスタ
... 入力電圧24V系にも対応した高圧電源用一次側スイッチとしてお勧めです。 （V CEO = 80 V 以上） h FE の低電流域での保証化。 一例） 2SC6061 h FE : 100以上（＠V CE = 2V / Ic = 1mA） *1: FR4基板 （銅箔面積645 mm 2 、 ガラスエポキシ、t = 1.6 mm） 実装時 *2: Tc = 25℃ *1 *1 *1 *2 *1 ...
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高周波電圧信号重畳時の誘導機における磁気飽和突極性と回転子スロット高調波の一次インピーダンス特性に与える影響の考察
... ：速度推定値 また， Fig. 1.4 における VT（Voltage Transducer）は電圧センサである。その他の記号は 1.1.2 項における Fig. 1.3 と同様である。 1.1.1 項において述べたようにセンサレス化が産業界に与える恩恵は多岐にわたり，速度 センサの排除によるシステム全体の小形化や速度センサ削減及びその配線の削減による低 ...
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NJM2387A ON/OFF 機能付き出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387A は出力可変型低飽和レギュレータです 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 出力電流は 1.0Aまで供給可能で 出力電流が 500mA 時に入出力間電位差は 0.2V(typ.) と低飽和を実現しております
... ・コントロール端子 － VIN 間に抵抗 Rc を接続する場合 本抵抗を挿入することによりコントロール電圧が高くなった場合にコントロール端子に流れる電流が大きくなるの を制限することができます。コントロール電流の低減が不要であれば、本抵抗の接続は必要ございません。 コントロール端子 － VIN 端子間にプルアップ抵抗 Rc を接続するとコントロール電流は低減されますが、抵抗 Rc ...
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低転位GaN 基板上縦型トランジスタの開発
... 乗に反比例する。破壊電界の大きな GaN を用いることで Si と比較して 1000 分の 1 の超低オン抵抗化が理論的に可 能となることから、GaN の物性特性はパワーデバイス用途 としても優れている。さらに、パワーデバイスは高耐圧・ 大電流動作が必要であること、配線・パッケージの容易さ から縦型構造が一般的である。縦型構造では転位と呼ばれ る結晶性の乱れがリークの要因となるため、低転位 GaN ...
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NJM2387/89 出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387/89 は出力可変型低飽和レギュレータです 出力電流は1.0A まで供給可能であり 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 最大入力電圧は 35Vと高耐圧のため TV カーオーディオ等の電源アプリケーションに最適です NJM238
... NJM2387はON/OFFコントロール端子付きですので、OFF時 の消費電流を低減させることができます。 ■ 特 長 ● 低入出力間電位差 0.2V typ. (Io=0.5A時) ● 出力電流 Io(max.)=1.0A ● 基準電圧 Vref＝1.26V 2% ● ON/OFF機能付き (NJM2387) ...
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LM193/LM293/LM393/LM 回路入り低動作電圧低オフセット電圧コンパレータ
... LM293 シリーズは、高ゲイン、広帯域幅を持つ多くのコンパレー タ製品のように、 不注意によって出力端子が入力に浮遊容量を通 して容量結合されると、簡単に発振を起こします。これは、コン パレータの出力が切り替る出力電圧の遷移期間のみに見られま す。電源のバイパスは、この問題の解決のためには必要ありませ ん。 標準的なプリント基板のレイアウトは、入出力間の浮遊容量 による結合を減少する助けとなります。 入力抵抗を 10kΩ ...
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