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トランジスタ増幅回路の
小信号等価回路と解析
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トランジスタの大信号等価回路の解析
トランジスタ増幅回路の
等価回路
二端子対回路による
等価回路表現
ブラックボックス中身はなんだかわからない
入力と出力の電流電圧の関係だけで表してやろう
i1
i2
v2 v1 入力 出力いろいろな可能性がある
V1 V2 Z11 Z12 Z21 Z22 I1 I2 = I1 I2 Y11 Y12 Y21 Y22 V1 V2 = V1 I2 H11 H12 H21 H22 I1 V2 = インピーダンス行列 Z で表す Z パラメータ アドミッタンス行列 Y で表す Y パラメータ ハイブリッドの行列 H で表す H パラメータ①
②
③
h
パラメータ
ブラックボ ックス i1 i2 v2 v1 交流的に入力開放 i1=0 v1=h12 v2 h12=v1/v2 hr i2=h22 v2 h22=i2/v2 ho X インダクタなど用いる v1 i2 h 11 h12 h21 h22 i1 v2 = ブラックボ ックス i1 i2 v1 交流的に入力短絡 v2=0 v1=h11 i1 h11=v1/i1 hi i2=h21 i1 h21=i2/i1 hf コンデンサなど用いるh
パラメータの物理的意味
入力インピーダンス
電流増幅率
電圧帰還率
出力アドミタンス(イ
ンピーダンスの逆数)
0 1 1 2)
(
v ii
v
h
0 1 2 2)
(
v fi
i
h
0 2 1 1)
(
i rv
v
h
0 2 2 1)
(
i ov
i
h
h
パラメータによる
エミッタ接地の等価回路
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hr
:
トランジスタの場合、コレクタ-
エミッタ側からベースーエミッタ側に信
号が伝わることは、ほとんどない→電圧
帰還率は 0 でいい
•
ho:
トランジスタ増幅回路の場合、出力抵
抗は、負荷抵抗に比べて十分大きい→出
力アドミッタンスは 0 でいい
簡略化したエミッタ接地小信号等価
回路
規格表からのパラメータの求め
方
hie = vbe/ ibe△ △ hfe = ice/ ibe△ △ これらは動作点に依存する。
しかし、普通に使う動作点ではほぼ一定→場合によっては規格表に 書いてあったりする
0.1/2.0μ
演習 10.1
μA mA mA μA V 20 μA 40 μA 60 μA 80 μA上記の特性のトランジスタの hie, hfe を計算せよ
動作点は 4V20μA 付近としましょう。
B I BE V CE V B I C I 0 . 0 0.2 0.6 60 20 40 0 80 4 . 0 0.8 0 20 60 12 4 8 0 16 40 80 C I 0 2 6 12 4 8 0 16 4 8バイアス抵抗、コレクタ抵抗、
負荷抵抗の影響
RB RC C1 C2 VDD=8V 10KΩ 100KΩ RL=10K vi vo RB hie hfe ib RC RL ポイント1 コンデンサは小信号的には短絡 ポイント2 電源とグランドは小信号的には短絡例題 1 電流増幅度 i
2
/i
1
を求
めよ
vi vo RB= 100K hie=50K hfe ib RC=10K hfe=200 i1 ① ib を i1 で表す ib=100/150×i1=2/3 ×i1② i2+iRC = -hfe ib i2=-(200×2/3 )/ 2×i1 i2/i1 = - 66.7 RL に表れる 電圧・電流を出力とする i2 RL=10K ib
CR
結合増幅回路の簡易等価回路例
• 直流電源を通して Vcc と GND は接続される • コンデンサは交流(中域周 波数)では導通 C B ER1 R2 R3 R4 C1 C2 C3 R1 R2 R3 R4 C2 C3 vi R1//R2 hie hfe ib R3 vo R1//R2 hie hfe ib RC RL
CR
結合増幅回路の接続
入力インピーダンス
出力インピーダンス
Ro Ri
そもそも何を増幅するのか?
X10
X10
例えばマイク
例えばスピーカ
スピーカを鳴らそうと思ったら、
利得(ゲイン)
• 増幅度のことで、デシベル dB 表記する
• デシベル表記とは?
– 電圧利得: Gv=20 log Av( 電圧増幅度) – 電流利得: Gi=20 log Ai( 電流増幅度)
– 電力利得 : Gp=10 log Ap( 電力増幅度: Av×Ai)
• なぜ係数が 20 なのか?→ 電力の係数が 10 なので、、 • なぜ対数を使うのか? – 利得の掛け算が足し算になる – 広い範囲を表す場合に 0 をたくさん付けなくて済む – 電圧増幅度が 10 倍ならば 20dB, 100 倍ならば 40dB – 20 log 2 = 6 なので 6dB で倍、 -6dB で半分 – マイナスは減衰: -3dB は1 /√2 – 増幅率が 1 だと 0dB – 先の例題は約 42.5dB
Ro r I I と Ro が決まっている時、 r に最大の電力を供給す るにはどうすればよいか? rが大きい→電圧は上がるが電流が小さい r が小さい→電流は大きいが電圧が上がらない
v=Ro
・ r/(Ro+r) ・ I
ir=v/r
Pr=v
2/r
これを微分して0とする
r=R
の時最大!→インピーダンスマッチン
グ
インピーダンスマッチングのた
めに
•
昔の六石ラジオではトランスを使った
–
コイルの巻き数でインピーダンス変換ができ
た
–
しかし波形が歪むという欠点が、、、
•
エミッタフォロワ(前回やったコレクタ
接地)やベース接地でインピーダンスを
変換
–
エミッタフォロワの主目的はこれだ!
•
差分増幅器で入力インピーダンスを無限
大、出力インピーダンスを 0 にする→次
回のオペアンプ
低周波での等価回路
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バイパスコンデンサが導通とみなせず、
高周波での等価回路
CR
結合増幅回路の周波数特性
CR
結合増幅器は実用的か?
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増幅は可能だが、複数段数で用いると、
入出力のインピーダンスが合わず、効率
が悪い
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低周波域、高周波域で利得が低下
•
より効率の良い増幅回路の実現のため、
様々な回路構成が考案された
–
差動増幅器→オペアンプ
–
実際には様々なオペアンプが増幅器として用
いられる。
–
次回以降、このオペアンプを勉強する
R2 OFF Y R1 Vcc R1 IB R2 Y hFE×IB
大信号増幅回路の等価回路
VccH=Vcc H=Vcc L
入力側
…
出力側
ON R1 R1 R1 R1 R2 Vcc IIL IIL IIL IIL IRn
個の入力が可能=ファンアウトが n
IB×hFE > n×IIL+IR
MOSFET
の(ソース接地)増幅
回路
バイポーラトランジスタにおける エミッタ接地増幅回路と類似 ・エミッタ E⇒ ソース S ・ベース B⇒ ゲート G ・コレクタ C⇒ ドレイン DMOSFET
の小信号等価回路
gm は相互コンダクタンス 抵抗の逆数で単位はジーメンス( S) Ohm をひっくり返して Mho (モー)という場合もある。
等価回路
RG1, RG2 は vgs には影響を与えない
R1 100KΩ R2 20KΩ R3 20KΩ R4 5KΩ C1 C2 C3 in out