分析測定標準料金表
2012年7月版
菱電化成株式会社 分析センター
料金について
１．掲載しました価格は、原則として１試料当たりの標準を示します。 なお消費税は含まれておりません。 ２．次のような場合には料金を割引致します。 ①試料数が多い場合 ②長期間契約に基づく場合 ３．次のような場合には、ご相談の上、割増料金を申し受けることがあります。 ①妨害物質等により規定の方法で分析できない場合 ②分析結果に対する詳細な考察を必要とする場合 ③特に急を要する場合 ④試料を引き取りに伺う場合 備考 １．分析をご依頼の節は分析申込書にご記入の上、ＦＡＸ等にてご連絡下さい。 ２．試料は原則として、ご持参あるいはご送付いただきます。 ３．ご報告納期は、標準的な機器分析の場合、試料受け取り後２週間以内です。目 次
Ⅰ．元素分析 ・プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ－ＡＥＳ）・・・・・・・・・・・・・・ 3 ・マイクロ波誘導質量分析（ＭＩＰ－ＭＳ）・・・・・・・・・・・・・ 4 ・プラズマ質量分析（ＩＣＰ－ＭＳ) ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 4 ・原子吸光分析（ＡＡＳ) ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 4 ・蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 5 ・有機元素分析 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 5 ・重量分析 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 5 ・容量分析 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 5 Ⅱ．クロマトグラフ分析 ・イオンクロマトグラフ分析（ＩＣ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 6 ・ガスクロマトグラフ分析（ＧＣ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 7 ・ゲル浸透クロマトグラフ分析（ＧＰＣ）・・・・・・・・・・・・・・・・ 7 ・高速液体クロマトグラフ分析（ＨＰＬＣ) ・・・・・・・・・・・・・・ 8 Ⅲ．化合物構造解析 ・赤外分光分析（ＦＴ－ＩＲ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 9 ・紫外・可視分光分析（ＵＶ・ＶＩＳ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 10 ・ウエハアナライザ（ＷＴＤ－ＧＣ／ＭＳ）・・・・・・・・・・・・・ 10 ・ガスクロマトグラフ質量分析（ＧＣ／ＭＳ）・・・・・・・・・・・・ 11 ・熱分解ガスクロマトグラフ質量分析（Ｐｙ－ＧＣ／ＭＳ） ・ 12 ・飛行時間型二次イオン質量分析（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ） ・・・ 12 ・PCB分析（GC／ＥＣＤ法） ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 12 ・水分測定（カールフィッシャー法） ・・・・・・・・・・・・・・・・ 12 ・Ｘ線回折（ＸＤ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 13 ・昇温脱離ガス分析（ＴＤＳ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 13 Ⅳ．表面分析・局所分析 ・電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）・・・・・・・・・・・・・・・・ 14 ・オージェ電子分光分析（ＡＥＳ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 16 ・二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 17 ・Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 18 Ⅴ．形態観察 ・走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 19 ・透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 20 ・集束イオンビーム加工（ＦＩＢ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 22 ・光学顕微鏡（ＯＭ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 22 ・写真撮影 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 22 ・ミクロトーム ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 22 分析申込書 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 24備考欄
プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ-ＡＥＳ） ●試料前処理 ・酸溶解（可溶性試料） 1試料目 10,000 2試料目以降 5,000 ・酸溶解（難溶性試料） 1試料目 20,000 2試料目以降 7,000 ・ろ過・洗浄 5,000 ・アルカリ融解 15,000 ・振とう抽出 5,000 ・灰化 5,000 ・切断 5,000 ・粉砕 5,000 ・加圧酸分解 20,000 ・有機物湿式分解 20,000 ・マイクロ波溶解 20,000 ・テフロン密封容器酸抽出 12,000 ・濃度調製 3,000 ●定性分析 ・水溶液1ppm以上指定成分 20元素まで／1試料 15,000 追加1試料／同一系列ごとに 10,000 ●半定量分析 20元素まで／1試料 20,000 追加1試料／同一系列ごとに 15,000 ●定量分析 1元素／1試料 8,000 追加1元素／同一試料または 同一系列試料ごとに 2～25元素目まで 5,000 26～50元素目まで 3,000 51元素目より 2,000 ●定量分析（特殊溶媒測定） （有機溶媒測定、ふっ酸溶媒測定） 1元素／1試料 10,000 追加1元素／同一試料または 同一系列試料ごとに 2～25元素目まで 7,000 26～50元素目まで 5,000 51元素目より 4,000 ●定量分析（窒素パ－ジ：S、P） 1元素／1試料 10,000 追加1元素／同一試料または 同一系列試料ごとに 2～25元素目まで 7,000 26～50元素目まで 5,000 51元素目より 4,000分 析 測 定 項 目
単価（単位：円）
備考欄
プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ-ＡＥＳ） ●水素化物法 （Ａｓ，Ｓｅ，Ｇｅ，Ｓｂ） 1元素／1試料 15,000 追加１試料／同一元素 12,000 マイクロ波誘導質量分析（ＭＩＰ－ＭＳ） ●試料前処理 ・クリーンルーム環境分析 ガス捕集器具準備 1箇所目 20,000 2箇所目以降 10,000 ・薬液中不純物分析 濃縮 10,000 ・Ｓｉウェハ表面微量金属分析 （6インチ、 8インチ） 1試料目 20,000 2試料目以降 10,000 ・ウェハ表面微量金属分析 別途見積 （化合物半導体基板、不定形基板） ●定性分析 20元素まで／1試料 30,000 ●半定量分析 20元素まで／1試料 45,000 ●定量分析 1元素／1試料 20,000 追加1元素／同一試料または 10,000 同一系列試料ごとに プラズマ質量分析（ＩＣＰ－ＭＳ） ●定量分析 1元素／1試料 30,000 追加1元素／同一試料または 15,000 同一系列試料ごとに ●その他特殊元素 別途見積 原子吸光分析（ＡＡＳ） ●フレームレス法 1元素／1試料 15,000 追加1試料／同一元素 12,000 ●還元気化法 （Ｈｇ） 1元素／1試料 15,000 追加１試料／同一元素 12,000分 析 測 定 項 目
単価（単位：円）
備考欄
Ｘ線分析1（ＸＲＦ-波長分散型） ●試料前処理 ・錠剤法 5 蛍光 ,000 ・切断 5,000 ・粉砕 5,000 ●定性分析（原子番号9以上の元素） 指定成分1元素／1試料 10,000 追加指定成分１元素／同一試料ごとに 5,000 ・未知試料 40,000 ●半定量分析（ＦＰ法）＊１ 50,000 ●定量分析 1元素／1試料 別途見積 Ｘ線分析2（ＸＲＦ-エネルギー分散型） ●スクリーニング 蛍光 分析（ＲｏＨＳ指令＊2物質） （Ｃｄ，Ｐｂ，Ｃｒ，Ｈｇ，Ｂｒ） 1試料目 20,000 2試料目以降 10,000 機元素分析 ●Ｃ，Ｈ，Ｎの定量分析 3成分／1試料（ｎ＝2）＊3 20,000 分析 ●強熱残渣 1試料目 10 有 重量 ,000 2試料目以降 5,000 ●乾燥減量 1試料目 8,000 2試料目以降 4,000 ●蒸発残留物 1試料目 10,000 2試料目以降 5,000 ●その他 別途見積 分析 ●中和滴定 1試料目 10 容量 ,000 2試料目以降 5,000 ●その他 別途見積*1 ＦＰ法：Fundamental Parameter Method
*2 RoHS：Restriction of Hazardous Substances *3 （ｎ＝２）：２点測定を標準とする
オンクロマトグラフ分析（ＩＣ） ●試料前処理 ・溶液濃度調製（希釈） 3 イ
備考欄
,000 ,000 ・水抽出（超音波抽出） 5 ・振とう抽出 5,000 , ・テフロン密封容器抽出 12 000 ・遠心分離 3,000 ,000 ・ろ過 5 , ・試料燃焼処理 10 000 ・酸素フラスコ燃焼 1試料目 10,000 2試料目以降 8,000 ・その他（発生ガス捕集など） 別途見積 ●定量分析（標準無機陰イオン） (F－,Ｃｌ－,NO２ － ,Br－,NO３ － ,PO４ ３－ ,SO４ ２－ ) 7成分まで／1試料 25,000 追加1試料（同一系列）ごとに 10,000 ●定量分析（標準無機陰イオン＜濃縮法＞） (F－,Ｃｌ－,NO２ － ,Br－,NO３ － ,PO４ ３－ ,SO４ ２－ ) 7成分まで／1試料 40,000 追加1試料（同一系列）ごとに 20,000 ●定量分析（標準無機陽イオン） (1価：Ｌｉ＋,Ｎａ＋,Ｋ＋,ＮＨ４ ＋ ) 4成分まで／1試料 25,000 追加1試料（同一系列）ごとに 10,000 ：Ｃａ２＋ (2価 ,Ｍg２＋) 1価陽イオンと同一試料追加２成分まで 10,000 追加1試料（同一系列）ごとに 5,000 ●定量分析（標準有機酸イオン）(HCOO－,CH３COO－,C２H５COO－)
3成分まで／1試料 25,000 追加1試料（同一系列）ごとに 10,000
●その他特殊イオン 別途見積
備考欄
ガスクロマトグラフ分析（ＧＣ） ●サンプリング（ガス捕集） 5,000 ●条件検討 別途見積り ・濃縮（ロータリーエバポレータ） 10,000 ・溶媒抽出 5,000 ・ソックスレー抽出 15,000 指定1成分／1試料 10,000 追加1試料／同一条件 8,000 追加1成分／同一試料 4,000 指定1成分／1試料 30,000 追加1成分／同一試料 8,000 追加1試料 10,000 ゲル浸透クロマトグラフ分析（ＧＰＣ、ＳＥＣ＊2） ●試料前処理 ・溶解試験 5,000 ・溶液濃度調製（希釈） 5,000 ・溶解 5,000 ・抽出 5,000 ・濾過 5,000 1試料／1条件（ＴＨＦ＊ 3） 30,000 追加１試料ごとに 20,000 1試料／1条件（DMF＊ 3、CHCl3） 50,000 追加１試料ごとに 25,000 1試料／1条件（ＨFIP＊ 3） 80,000 追加１試料ごとに 40,000 ・データ処理（クロマト・微分曲線の 10,000 多重表示）*1 ＴＣＤ：Thermal Conductivity Detector、 ＦＩＤ：Flame Ionization Detector *2 ＳＥＣ：Size Exclusion Chromatography
*3 ＴＨＦ：Tetrahydrofuran、 ＤＭＦ：Dimethylformamide、 ＨＦＩＰ：Hexafluoroisopropanol
単価（単位：円）
●試料前処理 ●測定(成分数､ポリスチレン基準の相対分子量) ●定性分析（無機ガスのみ） ●定量分析（TCD,FID）＊1分 析 測 定 項 目
備考欄
高速液体クロマトグラフ分析（HPLC） ●試料前処理 溶液調製 5,000 ●条件検討 別途見積り ●定性分析 1成分／1試料目 15,000 追加 1成分／1試料目 8,000 ●定量分析 1成分／1試料目 40,000 追加 1成分／1試料目 12,000 1成分／2試料目 15,000 追加 1成分／2試料目 6,000単価（単位：円）
分 析 測 定 項 目
備考欄
赤外分光分析（ＦＴ－ＩＲ） ●試料前処理 ・ＫＢr錠剤成型 通常成型 5,000 希釈・濃度調製の追加 5,000 ・ＫＲＳ板塗布 3,000 ・振とう抽出、超音波抽出 5,000 ・ソックスレー抽出 1試料目 15,000 2試料目以降 10,000 ・乾留（試験管） 3,000 ・濃縮（ヒーターなどによる） 5,000 ・濃縮（ロータリーエバポレータ） 10,000 ・カラムクロマト分離(シリカゲルによる) 別途見積 ・粉砕、切断 5,000 ・削り取り 5,000 ・バイルシュタイン試験 3,000 ・透過法、反射法 10,000 ・ＡＴＲ（全反射吸収）法＊1 15,000 ・ＲＡＳ（高感度反射）法＊2 15,000 ・試料採取 3,000 ・20μｍφ以上採取 5,000 ・マイクロサンプリング（20μｍφ以下） 12,000 ・顕微透過法、顕微反射法 20,000 ・マイクロＡＴＲ法 20,000 ・顕微ＡＴＲ法 30,000 ・顕微ＲＡＳ法 30,000 ・差スペクトル 10,000 ・スペクトル拡大、多重表示による解析 5,000 ・ピーク面積比（強度比）計算 10,000 ・スペクトル解析（未知物質のDB検索） 20,000 ・スペクトル詳細解析（微細構造解析） 別途見積*1 ＡＴＲ：Attenuated Total Reflection *2 RAS：Reflection Absorption Spectrometry
分 析 測 定 項 目
単価（単位：円）
●測定１（フーリェ変換型装置） ●測定２（顕微ＦＴ－ＩＲ法） ●データ処理 ●データ解析 ●同定・解析備考欄
・可視分光分析（ＵＶ・ＶＩＳ） ・スペクトル測定（200～900ｎｍ） 1試料目 10 紫外 ,000 2試料目以降 5,000 ・スペクトル測定（240～800ｎｍ） 1試料目 10,000 2試料目以降 5,000 ・その他 別途見積 エハアナライザ（WTD－GC／ＭＳ） ●試料前処理 ケース搬 ウ 5, 送 000 1試料目 25,000 2試料目以降 15,000 10成分まで／1試料 20,000 50成分まで／1試料 60,000 追加1成分ごとに 10,000 10成分まで／1試料 20,000 30成分まで／1試料 25,000 50成分まで／1試料 30,000 追加25成分ごとに 5,000 指定1成分／1試料 30,000分 析 測 定 項 目
単価（単位：円）
●透過率測定 ●積分球反射率測定 ●定性分析 ●測定 ●半定量分析 ●定量分析備考欄
ガスクロマトグラフ質量分析（ＧＣ／ＭＳ） ●試料前処理 ・濃縮（ロータリーエバポレータ） 10,000 ・溶媒抽出 5,000 ・ソックスレー抽出 15,000 ・固相マイクロ抽出 10,000 5成分まで／1試料 50,000 10成分まで／1試料 70,000 5成分まで／1試料 15,000 10成分まで／1試料 20,000 加熱脱着ガス分析1（スタティックヘッドスペース法） ●試料前処理 ・ヘッドスペースバイアル挿入→加熱 15,000 5成分まで／1試料 50,000 10成分まで／1試料 70,000 5成分まで／1試料 15,000 10成分まで／1試料 20,000 加熱脱着ガス分析2（ダイナミックヘッドスペース法） 5成分まで／1試料 70,000 10成分まで／1試料 90,000 5成分まで／1試料 15,000 10成分まで／1試料 20,000分 析 測 定 項 目
単価（単位：円）
●定性分析 ●定性分析 ●半定量分析（ヘキサデカンまたはトルエン換算） ●定性分析 ●半定量分析（ヘキサデカンまたはトルエン換算） ●半定量分析（ヘキサデカンまたはトルエン換算）備考欄
解ガスクロマトグラフ 質量分析（Py-ＧＣ／ＭＳ） ・試料調製 5 熱分 ,000 ・シングルショットパイロライザ 5成分まで／1試料 100,000 10成分まで／1試料 115,000 20成分まで／1試料 120,000 ・ダブルショットパイロライザ 5成分まで／1試料 150,000 10成分まで／1試料 165,000 20成分まで／1試料 170,000 時間型二次イオン質量分析（TOF-SIMS） ●試料前処理 ・破断等によるサンプリング 5 飛行 ,000 ・二次イオン質量スペクトル （正・負イオン） 1試料目 120,000 2試料目以降 90,000 （正・負イオンいずれか） 1試料目 70,000 2試料目以降 50,000 ・同一試料内・追加測定 20,000 ＊ 複雑な形状の試料、絶縁物試料 別途見積り ＣＢ分析（ＧＣ/ＥＣＤ法） ●サンプリング ・採取 5 Ｐ ,000 ・器具加工 5,000 分析一式 22,000 測定（カールフィッシャー法） ●測定 1試料目 10 水分 ,000 2試料目以降 5,000 ●定量分析分 析 測 定 項 目
単価（単位：円）
●測定（定性分析） ●測定 ●試料前処理備考欄
線回折（ＸＤ） ●試料前処理 ・粉砕 3 Ｘ ,000 1試料目 12,000 2試料目以降 10,000 ・既知物質の結晶性、配向性 1試料目 25,000 2試料目以降 15,000 ・結晶子径評価 1試料目 30,000 2試料目以降 20,000 ・複雑な未知物質の同定 1試料目 35,000 2試料目以降 25,000 別途見積 脱離ガス分析（ＴＤＳ） ●指定質量数分析（n=2） ・1～200am 昇温 uの指定質量数：8個まで、 ステージ温度：80 ～ 1000℃ 但し、標準測定条件（昇温レート1℃／sec） 以外での測定は別途見積 2試料目まで 40,000 3試料目以降 30,000 n数追加ごとに 15 000, 追加指定質量 30,000 出力指定質量数 5個 40,000 出力質量数追加（質量数 5個ごと） 5,000 別途見積 別途見積 ●その他 ●定性分析（n＝2） ●定量分析（H2のみ） ●解析分 析 測 定 項 目
単価（単位：円）
●回折図形のみ ●回折図形＋解析線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）（波長分散型） ●試料前処理 ・試料調製 3 電子
備考欄
,000 ・切断 5,000 ・包埋研磨（一式） 一般試料 20,000 硬質材料 30,000 大型試料 別途見積 微細パターン試料 別途見積 ・研磨 一般試料 13,000 硬質材料 15,000 大型試料 別途見積 微細パターン試料 別途見積 ・樹脂包埋 一般試料 13,000 大型試料 15,000 ・蒸着 1試料目 5,000 2試料目以降 3,000 2試料目まで 15,000 3試料目以降 12,000 ・1元素／1測定点 2箇所目まで 10,000 3箇所目以降 8,000 2試料目まで 5,000 3試料目以降 4,000 2試料目まで 7,000 3試料目以降 5,600 ・1元素／ 測定1 2試料目まで 12,000 3試料目以降 9,600 同一視野追加1元素 2試料目まで 8,000 3試料目以降 7,200 ・5元素まで／1測定（n＝5） 40 000, 2測定目より 1 定につき測 30,000 追加 1元素／同一測定点 10,000 ＊ZAF法：Z（原子番号）、Absorption(吸収）、Fluorescence（蛍光励起）の 各補正係数を求めて定量を実施 ●定量分析（ＺＡＦ法）* ●定性分析2（精密測定） ●表面形状像（二次電子像） ●組成像（反射電子像）分 析 測 定 項 目
単価（単位：円）
●定性分析1（全元素） ●特性Ｘ線像線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）（波長分散型） ●線分析1（ステージスキャン） ・2 電子
備考欄
1 元素／ 測定点 2試料目まで 15,000 3試料目以降 12,000 追加 1元素／同一測定点 2試料目まで 6,000 3試料目以降 4,800 ・2元素／1測定点 2試料目まで 15,000 3試料目以降 12,000 加 1追 元素／同一測定点 2試料目まで 6,000 3試料目以降 4,800 ・5元素／ 測定，X /Y1 軸 軸＝250点/250点 2試料目まで 60,000 3試料目以降 48,000 追加 1元素／同一測定 2試料目まで 12,000 3試料目以降 9,600 ・特殊な表示条件設定 別途見積 ・5元素／1測定点（n＝5） 2試料目まで 20,000 3試料目以降 16,000 追加 1元素／同一測定点 2試料目まで 8,000 3試料目以降 6,400 *P＆B：Peak＆Background （バックグラウンドを差し引いたピーク強度測定） ●面分析（カラーマッピング） ●Ｐ＆Ｂ測定*分 析 測 定 項 目
単価（単位：円）
●線分析２（ビームスキャン）ジェ電子分光分析 （ＡＥＳ） ●試料前処理 ・試料調製 3 オー
備考欄
,000 ・切断 5,000 ・洗浄 3,000 ・導電処理 5,000 5,000 13,000 同一視野追加１測定点 10,000 同一試料イオンエッチング後 10,000 ・30分まで 40,000 追加1元素 10,000 ・60分まで 60,000 追加1元素 15,000 ・15分以下 別途見積 ・60分以上 別途見積 ・4元素まで 40,000 追加1元素 10,000 ・3元素まで 40,000 追加1元素 10,000 別途見積分 析 測 定 項 目
単価（単位：円）
●表面形状像 ●半定量分析 ●定性分析 ●深さ方向の元素分布（4元素まで） ●線分析 ●面分析イオン質量分析（ＳＩＭＳ） ●試料前処理 ・試料調製 3 二次
備考欄
,000 ・切断 5,000 ・洗浄 3,000 ・1次イオン源1種による測定（n=2） 70,000 ・高質量分解能スペクトル 20,000 1次イオン源1種による測定（n=2） ・15分まで（Si換算2000Å：O2+） 70,000 追加1元素 7,000 ・30分まで 100,000 追加1元素 10,000 ・30分以上 別途見積 ・高質量分解能測定（1元素当たり） 20,000 ・同時測定可能な4元素、長さ1mmまでの 80,000 1測定 別途見積 ・RAE分析 別途見積 ・二次イオン像 別途見積 ・デプスプロファイル 別途見積 ・断面プロファイル 別途見積 20,000分 析 測 定 項 目
単価（単位：円）
●質量スペクトル測定（定性分析） ●絶縁物分析 ●深さ方向の元素分布（4元素まで） ●線分析 ●定量分析 ●画像処理解析線光電子分光分析（ＸＰＳ） ●試料前処理 ・試料調製 3 Ｘ
備考欄
,000 ・切断 5,000 ・洗浄 3,000 ・ワイドスキャン 20,000 ・ワイドスキャン測定後１元素 8,000 ・イオンエッチング後１元素 10,000 ・試料傾斜測定 12,000 ・ピーク分離 別途見積 ・4元素／ 試料1 70,000 追加1元素 15,000 ・ワイドスキャンモード 100,000 ●化学結合状態分析 ●深さ方向分析（Si換算1000Åまで）分 析 測 定 項 目
単価（単位：円）
●定性分析 ●精密測定（ナロースキャン）査電子顕微鏡（ＳＥＭ） ●試料前処理 ・試料調製 3 走
備考欄
,000 ・切断 5,000 ・包埋研磨（一式） 一般試料 20,000 硬質材料 30,000 大型試料 別途見積 微細パターン試料 別途見積 ・研磨 一般試料 13,000 硬質材料 15,000 大型試料 別途見積 微細パターン試料 別途見積 ・樹脂包埋 一般試料 13,000 大型試料 15,000 ・蒸着 1試料目 5,000 2試料目以降 3,000 ・倍率2×104まで 7,000 ・倍率2×104～8×104 10,000 1視野増すごとに 5,000 ・倍率1×105まで 15,000 ・倍率1×105以上 20,000 1視野増すごとに 10,000 7,000 7,500 同一視野追加１測定点 5,000 ・2元素／1測定点 20,000 追加1元素／同一測定点 8 000, ・1元素／1測定 12,000 同一視野追加１元素 8,000＊ＥＤＸ：Energy Dispersive X-ray Spectrometer ●面分析（特性Ｘ線像（ＥＤＸ）） ●測定1（通常観察） ●組成像（反射電子像） ●測定2（高分解能観察）
分 析 測 定 項 目
単価（単位：円）
●定性分析（ＥＤＸ）＊ ●線分析（ＥＤＸ）備考欄
透過電子顕微鏡（ＴＥＭ） ●試料前処理 ・分散法 標準 30,000 検討を要するもの 別途見積 ・レプリカ法 30,000 ・イオンエッチング法 バルク試料 100,000 薄膜平面試料 120,000 薄膜断面試料 単層膜 標準 100,000 検討を要するもの 別途見積 多層膜 半導体・セラミックス系 150,000 金属層を含むもの 180,000 検討を要するもの 別途見積 デバイス構造 半導体デバイス 180,000 金属層を含むもの 210,000 検討を要するもの 別途見積 ・化学研磨法 研磨条件が確立されているもの 50,000 検討を要するもの 別途見積 ・電解研磨法 研磨条件が確立されているもの 50,000 検討を要するもの 別途見積 ・超薄切片法 別途見積分 析 測 定 項 目
単価（単位：円）
電子顕微鏡（ＴＥＭ）（つづき） ●観察 ・明視野法 標準 35 透過
備考欄
,000 追加１視野につき 10,000 ・暗視野法 標準 35,000 特殊観察（弱ビーム法等） 60,000 加追 1視野につき 10,000 ・電子線回折 反射法 25,000 透過法 制限視野回折 20,000 極微電子線回折 40,000 追加１視野につき 10,000 極微電子線回折（特定微小領域） 45,000 加追 1視野につき 35,000 ・格子像観察 2波格子像 40,000 多波格子像 80,000 追加1視野につき 35 000, ・点分析（定性分析） 30,000 追加1測定点 15,000 ・線分析（4元素まで） 30,000 追加1元素 10,000 ・面分析（3元素まで） 40,000 追加1元素 10,000分 析 測 定 項 目
単価（単位：円）
●分析イオンビーム加工（ＦＩＢ） ●イオンビーム加工 ・断面観察用試料作製（SIM像観察含む） 3hr以内 60 集束
備考欄
,000 3hr以上 別途見積 , ・透過電子顕微鏡用試料作製 120 000 ダイシング用前処理含む 150,000 再加工可能ピックアップ用 180,000 30,000 30,000 ・1視野 10,000 追加1視野 8,000 光学顕微鏡（ＯＭ） ●試料前処理 ・切断 5,000 ・包埋研磨 20,000 ・エッチング（化学的） 1試料目 10,000 2試料目以降 5,000 ・1視野 5,000 追加1視野 3,000 写真撮影 ・1視野 5,000 追加1視野 3,000 ミクロトーム ・初期検討が必要なもの 30,000 同一条件2試料目以降 15,000 ・初期検討が必要なもの 130,000＊SIM：Scanning Ion Microscope ●透過電子顕微鏡観察用試料作製 ●接写 ●断面観察用試料作製
分 析 測 定 項 目
単価（単位：円）
●観察 ●ピックアップ ●観察（ＳＩＭ像）* ●ダイシング．分析項目 （元素・分離分析、組成・構造解析、表面・局所分析、形態観察 等） ．その他 （ご要望 等） ．試料内容 （名称、主成分 等） ．前処理条件 等 ．試料取扱い上の留意点 （安全性、保管方法、その他）
