5054H data sheet (Japanese)

5054H series, 5054xF

小型水晶発振モジュール用 IC

■概要

5054Hseries, 5054xF は、発振周波数40～170MHz、3rd オーバートーンの小型水晶発振器向けの水晶発振モジュール 用 IC です。発振回路部を定電圧駆動にしたことにより、従来品と比べ、消費電流と水晶電流を大幅に低減するとともに、 発振特性の電源電圧依存性も大幅に低減しました。PAD 配置は、パッケージ構造、実装方法に合わせて3種類から選択 できますので小型発振器に最適です。

■特長

・幅広い動作電源電圧範囲: 1.70～3.63V (HxA～HxE ver.), 2.25～3.63V (xF ver.)

・推奨発振周波数範囲（3rd オーバートーン）: 40～135MHz（HxA～HxE ver.）, 133～170MHz（xF ver.） ・動作温度範囲:-40℃～+125℃(HxA～HxE ver.), -40℃～+105℃(xF ver.)

・定電圧駆動の発振回路により、消費電流と水晶電流を低減 ・出力ドライバビリティ: ±8mA

・小型水晶振動子に最適な低水晶電流の発振特性 ・スタンバイ機能内蔵

・実装方法に合わせて 3 種類の PAD 配置を選択可 スタンバイ時発振停止、出力 Hi-Z

5054(H)Ax: Flip Chip Bonding 向け ・出力 DUTY: 50±5% (1/2VDD)

5054(H)Bx，5054(H)Cx: Wire Bonding 向け ・ウェーハフォーム[WF5054(H)xx] ・出力負荷容量: 15pF ・チップフォーム[CF5054(H)xx]

■アプリケーション

・5.0×3.2, 3.2×2.5, 2.5×2.0 小型水晶発振器

■シリーズ構成

動作電源電圧 範囲[V] 推奨発振周波数 範囲*1_[MHz] C₀キャンセル回路 /推奨 C₀値[pF] PAD 配置とバージョン名*2

Flip Chip Bonding Wire BondingⅠ Wire BondingⅡ

1.70～3.63 40～50 無/≤2 5054HAA - 5054HCA

1.70～3.63 50～65 無/≤2 5054HAB - 5054HCB

1.70～3.63 65～85 有/1～2 5054HAC 5054HBC 5054HCC

1.70～3.63 85～105 有/1～2 5054HAD 5054HBD 5054HCD

1.70～3.63 105～135 有/1～2 5054HAE 5054HBE 5054HCE

2.25～3.63 133～170 有/1～2 5054AF 5054BF 5054CF *1. 推奨発振周波数は、NPC 特性確認用水晶からの目安であり、発振周波数帯を保証するものではありません。水晶振動子の特性や実装条件 により特性が大幅に変動しますので発振特性の十分な評価のもとご使用下さい。 *2. ウェーハフォームの場合WF5054(H)xx、チップフォームの場合、CF5054(H)xxとなります。

■オーダーインフォメーション

商品名 形態 バージョン名称 WF5054(H)xx-x Wafer form WF5054(H)□□-□

CF5054(H)xx-x Chip form PAD 配置 A:Flip Chip Bonding 向け B:Wire Bonding 向け TypeⅠ C:Wire Bonding 向け TypeⅡ 発振周波数範囲

形態 WF:Wafer form CF:Chip(Die) form

■ブロックダイアグラム

*1. 5054HxA, HxB バージョンは、C0キャンセル回路を

内蔵しておりません。

■PAD 配置図

5054(H)Ax 5054(H)Bx 5054(H)Cx

Flip Chip Bonding 向け Wire Bonding 向け TypeⅠ Wire Bonding 向け TypeⅡ

・チップサイズ: 0.60 mm×0.57mm，PAD 開口部: 80μm×80 μm，チップ裏面: VSSレベル ・チップセンターの座標を(0,0)とします。

■PAD 座標 ■端子説明

PAD 番号 PAD 座標[μm] PAD 番号 端子名 機 能 X Y _(H)Ax 5054 _(H)Bx 5054 _(H)Cx5054 1 -145.2 -193.5 1 2 1 XT 水晶振動子接続端子 XT,XTN の間に水晶振動子を接続 2 145.2 -193.5 2 １ 2 XTN 3 208.5 -1.1 3 6 5 VDD (+) 電源端子 4 208.5 193.5 4 5 4 Q 出力端子 5 -208.5 193.5 5 4 3 VSS (-) 電源端子 6 -208.5 -1.1 6 3 6 INHN 出力状態制御入力端子(Low で発振停止) 1 2 3 4 5 6 (-300,-285) (300,285) XTN XT INHN VSS Q VDD X Y (0,0) 1 2 3 4 5 6 (-300,-285) (300,285) XT XTN VDD Q VSS INHN X Y (0,0) 1 2 3 4 5 6 (-300,-285) (300,285) XT XTN VSS Q VDD INHN X Y (0,0) C₀ Cancel*1 V_Reg CMOS R_F R_D C_D C_G R_PU INHN XT XTN Q VDD VSS

■絶対最大定格

VSS=0V 項 目 記号 条 件 定 格 単位 電源電圧範囲*1 _V DD VDD-VSS 間 -0.3～+4.0 V 入力電圧範囲*1*2 _V IN 入力端子 -0.3～VDD+0.3 V 出力電圧範囲*1*2 _V OUT 出力端子 -0.3～VDD+0.3 V 出力電流*3 _I OUT Q 端子 ±20 mA 接合温度*3 _T j 150 ℃ 保存温度範囲*4 _T STG チップ、ウェーハ単体 -55～+150 ℃ *1. 一瞬たりとも超えてはならない値です。万一、定格を超えた場合は、電気的特性、信頼性などに影響を与える恐れがあります。 *2. 定格に記載の“V_DD”は、推奨動作条件に定める動作電源電圧(V_DD)の規格値を示します。 *3. 超えないようにご使用ください。万一超えた場合は、特性劣化、信頼性低下の懸念があります。 *4. N₂または真空雰囲気で、梱包材を含まない単体保存の場合です。

■推奨動作条件

VSS=0V

項 目 記号 条 件 MIN TYP MAX 単位

発振周波数*1 _f OSC VDD=1.70～3.63V 5054HxA ver. 40 - 50 MHz 5054HxB ver. 50 - 65 5054HxC ver. 65 - 85 5054HxD ver. 85 - 105 5054HxE ver. 105 - 135 V_DD=2.25～3.63V 5054xF ver. 133 - 170 出力周波数 fOUT VDD=1.70～3.63V CLOUT≤15pF 5054HxA ver. 40 - 50 MHz 5054HxB ver. 50 - 65 5054HxC ver. 65 - 85 5054HxD ver. 85 - 105 5054HxE ver. 105 - 135 VDD=2.25～3.63V CLOUT≤15pF 5054xF ver. 133 - 170 動作電源電圧 VDD VDD-VSS 端子間*2 5054HxA ～HxE ver. 1.70 _{- 3.63 V} 5054xF ver. 2.25 入力電圧 VIN 入力端子 VSS - VDD V 動作温度 Ta 5054HxA～HxE ver. -40 - +125 ℃ 5054xF ver. - +105 出力負荷容量 C_L Q 端子 - - 15 pF *1. 発振周波数は、NPC 特性確認用水晶からの目安であり、発振周波数帯を保証するものではありません。水晶振動子の特性や実装 条件により特性が大幅に変動しますので発振特性の十分な評価のもとご使用下さい。 *2. 5054 series を安定に動作させるため、VDD-VSS 間には 0.01μF 以上のセラミックチップコンデンサを IC の直近(3mm 以内程度)に 実装して下さい。また IC からコンデンサまでの配線パターンは、できるだけ太い配線パターンでご使用下さい。 Note. 推奨動作条件範囲外で使用すると信頼性に影響を与える場合がありますので、この範囲内で使用して下さい。

■電気的特性

●DC 特性（HxA～HxE version）

特記なき場合、VDD=1.70～3.63V, VSS=0V, Ta=-40～+125℃

項 目 記号 条 件 MIN TYP MAX 単位

“H”レベル出力電圧 VOH Q 端子, 測定回路 3, IOH=-8mA Ta=-40～+85℃ VDD -0.4 - VDD V Q 端子, 測定回路 3, IOH=-8mA VDD -0.45 - VDD “L”レベル出力電圧 V_OL Q 端子, 測定回路 3, IOL=8mA Ta=-40～+85℃ 0 - 0.4 V Q 端子, 測定回路 3, IOL=8mA - 0.45 “H”レベル入力電圧 VIH INHN 端子, 測定回路 4 0.7VDD - - V “L”レベル入力電圧 VIL INHN 端子, 測定回路 4 - - 0.3VDD V 出力リーク電流 IZ Q 端子, 測定回路 5 INHN=“Low” Q=V_DD - - 10 μA Q=VSS -10 - - 消 費 電 流*1 _I DD 5054HxA(fOSC), 測定回路 1 無負荷, INHN=“OPEN” fOSC=50MHz, fOUT=50MHz VDD=3.3V - 3.5 7.0 mA VDD=2.5V - 3.0 6.0 VDD=1.8V - 2.5 5.0 5054HxB(fOSC), 測定回路 1 無負荷, INHN=“OPEN” fOSC=65MHz, fOUT=65MHz V_DD=3.3V - 4.0 8.0 VDD=2.5V - 3.0 6.0 VDD=1.8V - 2.5 5.0 5054HxC(fOSC), 測定回路 1 無負荷, INHN=“OPEN” fOSC=85MHz, fOUT=85MHz VDD=3.3V - 4.5 9.0 VDD=2.5V - 4.0 8.0 VDD=1.8V - 3.5 7.0 5054HxD(fOSC), 測定回路 1 無負荷, INHN=“OPEN” fOSC=100MHz, fOUT=100MHz VDD=3.3V - 5.5 10.5 VDD=2.5V - 4.5 8.5 V_DD=1.8V - 4.0 7.5 5054HxE(fOSC), 測定回路 1 無負荷, INHN=“OPEN” fOSC=133MHz, fOUT=133MHz VDD=3.3V - 7.0 13.5 VDD=2.5V - 5.5 10.5 VDD=1.8V - 4.5 8.5 スタンバイ電 流 IST 測定回路 1, INHN=“VSS”, Ta=-40～+85℃ - - 10 μA 測定回路 1, INHN=“VSS” - - 20 INHN 端子 プルアップ抵抗 RPU1 測定回路 6 0.8 3 24 MΩ RPU2 測定回路 6 30 70 150 kΩ 発 振 部 帰 還 抵 抗 RF 5054HxA ver. 設計値 1.6 3.1 4.7 kΩ 5054HxB ver. 設計値 1.3 2.6 3.9 5054HxC ver. 設計値 1.4 2.8 4.2 5054HxD ver. 設計値 1.2 2.3 3.5 5054HxE ver. 設計値 1.1 2.1 3.2

特記なき場合、VDD=1.70～3.63V, VSS=0V, Ta=-40～+125℃

項 目 記号 条 件 MIN TYP MAX 単位

発 振 部 容 量 CG 5054HxA ver. ウェーハ内モニターパターンにて確認 設計値 寄生容量は除く 7.2 9.0 10.8 pF C_D 8.0 10.0 12.0 CG 5054HxB ver. ウェーハ内モニターパターンにて確認 設計値 寄生容量は除く 5.6 7.0 8.4 CD 7.2 9.0 10.8 CG 5054HxC ver. ウェーハ内モニターパターンにて確認 設計値 寄生容量は除く 2.4 3.0 3.6 CD 3.2 4.0 4.8 CG 5054HxD ver. ウェーハ内モニターパターンにて確認 設計値 寄生容量は除く 0.8 1.0 1.2 CD 1.6 2.0 2.4 CG 5054HxE ver. ウェーハ内モニターパターンにて確認 設計値 寄生容量は除く 0.0 0.0 0.0 C_D 0.8 1.0 1.2

*1. Q 端子に容量(C_LOUT)を負荷した場合の消費電流 I_DD(C_LOUT)は、無負荷時の消費電流(I_DD)、出力周波数(f_OUT)と次式で算出することが出来ます。

●DC 特性（xF version）

特記なき場合、VDD=2.25～3.63V, VSS=0V, Ta=-40～+105℃

項 目 記号 条 件 MIN TYP MAX 単位

“H”レベル出力電圧 VOH Q 端子, 測定回路 3, IOH=-8mA Ta=-40～+85℃ VDD -0.4 - VDD V Q 端子, 測定回路 3, IOH=-8mA VDD -0.45 - VDD “L”レベル出力電圧 V_OL Q 端子, 測定回路 3, IOL=8mA Ta=-40～+85℃ 0 - 0.4 V Q 端子, 測定回路 3, IOL=8mA - 0.45 “H”レベル入力電圧 VIH INHN 端子, 測定回路 4 0.7VDD - - V “L”レベル入力電圧 VIL INHN 端子, 測定回路 4 - - 0.3VDD V 出力リーク電流 IZ Q 端子, 測定回路 5 INHN=“Low”, T_a=-40～+85℃ Q=V_DD - - 10 μA Q=VSS -10 - - Q 端子, 測定回路 5 INHN=“Low” Q=VDD - - 100 Q=VSS -100 - - 消 費 電 流*1 _I DD 測定回路 1 無負荷, INHN=“OPEN” fOSC=170MHz, fOUT=170MHz VDD=3.3V - 15.0 29.5 mA V_DD=2.5V - 13.0 25.5 スタンバイ電 流 IST 測定回路 1, INHN=“VSS”, Ta=-40～+85℃ - - 10 μA 測定回路 1, INHN=“V_SS” - - 100 INHN 端子 プルアップ抵抗 RPU1 測定回路 6 0.8 3 24 MΩ RPU2 測定回路 6 30 70 150 kΩ 発 振 部 帰 還 抵 抗 RF 設計値 2.1 4.0 6.0 kΩ 発 振 部 容 量 CG ウェーハ内モニターパターンにて確認 設計値 寄生容量は除く 0.0 0.0 0.0 pF CD 0.8 1.0 1.2

*1. Q 端子に容量(C_LOUT)を負荷した場合の消費電流I_DD(C_LOUT)は、無負荷時の消費電流(I_DD)、出力周波数(f_OUT)と次式で算出することが出来ます。

●AC 特性

特記なき場合、VDD=1.70～3.63V, VSS=0V, Ta=-40～+125℃

項 目 記号 条 件 MIN TYP MAX 単位

出力立ち上がり時間

t

_r1 測定回路 1 CLOUT=15pF 0.1VDD→0.9VDD VDD=2.25～3.63V

HxA, HxB, HxC, HxD, HxE ver. - 1.0 2.0

ns Ta=-40～＋105°C, xF ver. - 1.0 2.0

t

_r2 測定回路 1 CLOUT=15pF 0.1VDD→0.9VDD VDD=1.70～2.25V Ta=-40～+85℃

HxA, HxB, HxC, HxD, HxE ver.

-

1.5 2.5 HxA, HxB, HxC, HxD, HxE ver. - 1.5 3.0

出力立ち下がり時間

t

_f1 測定回路 1 CLOUT=15pF 0.9VDD→0.1VDD VDD=2.25～3.63V

HxA, HxB, HxC, HxD, HxE ver. - 1.0 2.0

ns Ta=-40～＋105°C, xF ver. - 1.0 2.0

t

_f2 測定回路 1 CLOUT=15pF 0.9VDD→0.1VDD VDD=1.70～2.25V Ta=-40～+85℃

HxA, HxB, HxC, HxD, HxE ver. - 1.5 2.5 HxA, HxB, HxC, HxD, HxE ver. - 1.5 3.0

出力 DUTY サイクル DUTY

測定回路 1 CLOUT=15pF

Ta=25℃

VDD=1.70～3.63V

HxA, HxB, HxC, HxD, HxE ver. 45 50 55

％ VDD=2.25～3.63V, xF ver. 45 50 55 出力ディスエーブル 遅延時間

t

OD 測定回路 2, CLOUT≤15pF, Ta=25℃ - - 200 ns ●タイミングチャート 図 1. 出力スイッチング波形 図 2. 出力ディスエーブル遅延時間（tOD） タイミングチャート fOUT Q INHN VIH tOD 0.1V Hi-Z VIL 0.5VDD 0.1V Low VDD VSS VDD VSS fOUT 0.1VD D 0.1VD D 0.9VD D 0.9VDD Tw T tf tr Q DUTY measurement voltage 0.5VDD DUTY = Tw/T×100 (%)

■機能説明

●INHN 端子の機能

INHN 端子を Low レベルにすることにより Q 端子出力を停止させてハイ・インピーダンスにして、IC の動作をディス エーブル状態にすることができます。

INHN 端子 Q 端子 発振部

High(Open) fOUT 動作

Low Hi-Z 停止

●パワーセーブプルアップ抵抗

INHN 端子のプルアップ抵抗は入力レベル(High or Low)に応じて RPU1または RPU2に切り換わります。

INHN 端子を Low レベルに固定にしたときは INHN 端子に内蔵しているプルアップ抵抗値が大きくなり(RPU1)、ディス

エーブル時にプルアップ抵抗で消費する電流を小さくすることができます。

INHN 端子を High または Open で使うときはプルアップ抵抗値が小さくなり(RPU2)、外来ノイズによる影響を受けにくくな

ります。これにより、INHN 端子内部は High レベルに固定された状態となりますので、不意に出力が停止するといった問 題を回避できます。 ●発振検出機能 本製品には発振検出回路が搭載されています。 発振検出回路は水晶振動が起動し、安定するまでは出力回路が Low レベルとなる機能です。この機能により、電源投 入時や INHN 端子による発振再起動時における異常発振の危険性を軽減することができます。 ●C₀キャンセル回路 C0キャンセル回路を搭載した発振回路は、振動子の C0をキャンセルすることで発振回路の等価的な C0を小さくし、 振動子の C0値増加による負性抵抗の低下を抑制することができます。この効果によって、発振余裕を確保しやすくなり ます。

■測定回路

●測定回路 1 測定項目: IDD, IST, DUTY, tr, tf ●測定回路 2 測定項目: tOD ●測定回路 3 測定項目: VOH, VOL 測定項目 SW1 SW2 IDD OFF OFF IST ON or OFF ON DUTY, tr, tf ON OFF A XT XTN INHN VSS Q SW1 X’tal VDD IDD, IST 0.1 F CL= 15 pF

(Including probe capacitance) SW2

※AC特性はQ端子を オシロスコープで観測する。

●測定回路 4 測定項目: VIH, VIL ●測定回路 5 測定項目: IZ ●測定回路 6 測定項目: RPU1, RPU2 INHN VSS Q VDD IZ 0.1 F A VDD 及び VSS ) 0.7V (V 0.7V -V R 0V) (V I V R IN DD DD PU2 IN PU DD PU1 = = = =

■参考特性例

以下の特性は、下記の水晶振動子を使用した時の数値です。使用する水晶振動子や測定環境により、特性は異なりま すのでご注意下さい。 使用水晶振動子 振動子パラメータ Parameter 50MHz 65MHz 80MHz 100MHz 125MHz 170MHz C0(pF) 1.3 1.7 1.6 1.7 2.0 2.8 R1(Ω) 59 40 59 44 33 45 ●消費電流 C0 L1 C1 R1

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

40

60

80

100

120

140

160

180

C

u

rr

en

t c

ons

um

pt

io

n

[m

A

] l

Frequency [MHz]

Current Consumption Characteristics

T

_a

=25℃, No load

3.3 V

2.5 V

1.8 V

●負性抵抗 使用測定器： インピーダンス アナライザ 4396B (Agilent 社製) 凡例は、水晶振動子の C相当の容量を 5054 の XT-XTN 間に並列に接続して測定した結果です。 -1000 -900 -800 -700 -600 -500 -400 -300 -200 -100 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 Ne ga ti ve Re si st an ce [ Ω ] Frequency [MHz]

Negative Resistance Characteristics 5054HxA version, Ta=25℃ VDD=1.8V VDD=2.5V VDD=3.3V C0=0pF(None) C0=1pF C0=2pF -1000 -900 -800 -700 -600 -500 -400 -300 -200 -100 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 N egat iv e R es is tan ce [ Ω ] Frequency [MHz]

Negative Resistance Characteristics 5054HxB version, Ta=25℃ VDD=1.8V VDD=2.5V VDD=3.3V C0=0pF(None) C0=1pF C0=2pF -1000 -900 -800 -700 -600 -500 -400 -300 -200 -100 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 N egat iv e R es is tan ce [ Ω ] Frequency [MHz]

Negative Resistance Characteristics 5054HxC version, Ta=25℃ VDD=1.8V VDD=2.5V VDD=3.3V C0=0pF(None) C0=1pF C0=2pF -1000 -900 -800 -700 -600 -500 -400 -300 -200 -100 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 N egat iv e R es is tan ce [ Ω ] Frequency [MHz]

Negative Resistance Characteristics 5054HxD version, Ta=25℃ VDD=1.8V VDD=2.5V VDD=3.3V C0=0pF(None) C0=1pF C0=2pF -1000 -900 -800 -700 -600 -500 -400 -300 -200 -100 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 N egat iv e R es is tan ce [ Ω ] Frequency [MHz]

Negative Resistance Characteristics 5054HxE version, Ta=25℃ VDD=1.8V VDD=2.5V VDD=3.3V C0=0pF(None) C0=1pF C0=2pF -1000 -900 -800 -700 -600 -500 -400 -300 -200 -100 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 Ne ga ti ve R esi st an ce [ Ω ] Frequency [MHz]

Negative Resistance Characteristics 5054xF version, Ta=25℃ VDD=2.5V VDD=3.3V C0=0pF(None) C0=1pF C0=2pF

●周波数電圧偏差 使用測定器： 周波数カウンタ 53132A (Agilent 社製) -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 F re q u en cy D evi at io n [ p p m ] V_DD[V]

Frequency Deviation Characteristics 5054HxB version, fOSC=65MHz, Ta=25℃ 0ppm: V_DD=2.5V -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 F re q u enc y D evi at io n [p p m ] VDD[V]

Frequency Deviation Characteristics 5054HxA version, fOSC=50MHz, Ta=25℃

0ppm: VDD=2.5V -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 F re que nc y D ev ia tio n [ ppm ] VDD[V]

Frequency Deviation Characteristics 5054HxD version, fOSC=100MHz, Ta=25℃ 0ppm: VDD=2.5V -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 F re que nc y D ev ia ti on [ppm ] VDD[V]

Frequency Deviation Characteristics 5054HxC version, fOSC=80MHz, Ta=25℃ 0ppm: VDD=2.5V -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 F re que nc y D ev ia ti on [ ppm ] VDD[V]

Frequency Deviation Characteristics 5054HxE version, fOSC=125MHz, Ta=25℃

0ppm: VDD=2.5V -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 F re que nc y D ev ia ti on [ p pm ] V_DD[V]

Frequency Deviation Characteristics 5054xF version, fOSC=170MHz, Ta=25℃

●ドライブレベル 使用測定器： オシロスコープ DSO80604B (Agilent 社製) カレントプローブ CT-6 (Tektronix 社製) 0 50 100 150 200 250 300 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 Dr iv e L ev el [ μ W] VDD[V]

Drive Level Characteristics 5054HxA version, fOSC=50MHz, Ta=25°C

0 50 100 150 200 250 300 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 Dr iv e L ev el [ μ W] VDD[V]

Drive Level Characteristics 5054HxD version, fOSC=100MHz, Ta=25°C 0 50 100 150 200 250 300 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 Dr iv e L ev el [ μ W] V_DD[V]

Drive Level Characteristics 5054HxC version, fOSC=85MHz, Ta=25°C 0 50 100 150 200 250 300 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 D riv e L ev el [μ W] V_DD[V]

Drive Level Characteristics 5054HxB version, f_OSC=65MHz, T_a=25°C 0 50 100 150 200 250 300 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 Dr iv e L ev el [ μ W] VDD[V]

Drive Level Characteristics 5054HxE version, f_OSC=125MHz, T_a=25°C

0 100 200 300 400 500 600 700 800 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 Dri ve L ev el [ μ W] VDD[V]

Drive Level Characteristics 5054xF version, f_OSC=170MHz, T_a=25°C

●位相ノイズ 使用測定器： シグナルソース アナライザ E5052B(Agilent 社製) -180 -160 -140 -120 -100 -80 -60 -40

1.0E+01 1.0E+02 1.0E+03 1.0E+04 1.0E+05 1.0E+06 1.0E+07 1.0E+08

P h as e N oi se [d B c/ H z] Offset Frequency [Hz]

Phase Noise Characteristics

5054HxB version, VDD=3.3V, fOSC=65MHz, Ta=25℃ -180 -160 -140 -120 -100 -80 -60 -40

1.0E+01 1.0E+02 1.0E+03 1.0E+04 1.0E+05 1.0E+06 1.0E+07 1.0E+08

Pha se N ois e [d B c/H z] Offset Frequency [Hz]

Phase Noise Characteristics

5054HxA version, VDD=3.3V, fOSC=50MHz, Ta=25℃

-180 -160 -140 -120 -100 -80 -60 -40

1.0E+01 1.0E+02 1.0E+03 1.0E+04 1.0E+05 1.0E+06 1.0E+07 1.0E+08

P h as e N oi se [d B c/ H z] Offset Frequency [Hz]

Phase Noise Characteristics

5054HxD version, VDD=3.3V, fOSC=100MHz, Ta=25℃ -180 -160 -140 -120 -100 -80 -60 -40

1.0E+01 1.0E+02 1.0E+03 1.0E+04 1.0E+05 1.0E+06 1.0E+07 1.0E+08

P h as e N oi se (d B c/ H z) Offset Frequency [Hz]

Phase Noise Characteristics

5054HxC version, VDD=3.3V, fOSC=80MHz, Ta=25℃ -180 -160 -140 -120 -100 -80 -60 -40

1.0E+01 1.0E+02 1.0E+03 1.0E+04 1.0E+05 1.0E+06 1.0E+07 1.0E+08

Pha se N ois e [d B c/H z] Offset Frequency [Hz]

Phase Noise Characteristics

5054xF version, VDD=3.3V, fOSC=170MHz, Ta=25℃ -180 -160 -140 -120 -100 -80 -60 -40

1.0E+01 1.0E+02 1.0E+03 1.0E+04 1.0E+05 1.0E+06 1.0E+07 1.0E+08

Pha se N ois e [d B c/H z] Offset Frequency [Hz]

Phase Noise Characteristics

●出力波形

5054HxA version, VDD=3.3V, fOUT=50MHz, CLOUT=15pF, Ta=25℃

5054HxC version, VDD=3.3V, fOUT=85MHz, CLOUT=15pF, Ta=25℃

5054HxE version, VDD=3.3V, fOUT=133MHz, CLOUT=15pF, Ta=25℃

5054xF version, VDD=3.3V, fOUT=170MHz, CLOUT=15pF, Ta=25℃

※この資料に記載されている商品のご使用に際しては、次の点にご注意くださいますようお願い申し上げます。 1. この資料に記載されている商品は、パーソナル機器・工作機器・計測機器などの一般的な信頼性を必要とする電子機器および電気機器に使 用されることを目的として設計・製造されたものであり、航空宇宙機器・原子力制御機器・医療機器・輸送機器・防災機器・防犯機器などの極めて 高い信頼性・安全性を必要とする機器に使用されることを想定したものではありません。また、その故障または誤動作が直接人命に関わる商品 に使用されることを想定したものではありません。本資料の商品をこのような機器に使用するご希望がありましたら、必ず事前に当社営業部まで お問い合わせください。 なお、事前のご相談無しに本資料の商品をそのような機器に使用され、そのことによって発生した損害等については、当社では一切の責任を 負いかねますのでご了承ください。 2. この資料に記載されている内容は、商品の特性や信頼性等の改善のため予告なしに変更されることがありますので予めご了承ください。 3. この資料に記載されている内容については、その商品の使用に際して第三者の知的財産権その他の権利を侵害していないことを保証するも のではなく、また、その実施権の許諾が行われるものでもありません。したがって、その使用に起因する第三者の権利に対する侵害について当 社は責任を負いかねますのでご了承下さい。 4. この資料に記載されている回路等の定数は一例を示すものであり、量産に際しての設計を保証するものではありません。 5. この資料に記載されている商品の全部または一部が外国為替及び外国貿易法その他の関係法令に定める物資に該当する場合は、それらの 法令に基づく輸出の承認、許可が必要になりますので、お客様にてその申請手続きをお願いいたします。

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