九州大学学術情報リポジトリ
Kyushu University Institutional Repository
反応性スパッタリングによる(ZnO)x(InN)1-xの高品 質結晶薄膜の作製と発光特性の評価
宮原, 奈乃華
https://doi.org/10.15017/2534465
出版情報：九州大学, 2019, 博士（工学）, 課程博士 バージョン：
権利関係：
（別紙様式5-2）
氏 名 宮原 奈乃華
論 文 名 反応性スパッタリングによる(ZnO)x(InN)1-xの高品質結晶薄膜の作製 と発光特性の評価
論文調査委員 主 査 九州大学 教授 白谷正治 副 査 九州大学 教授 興雄司 副 査 九州大学 准教授 板垣奈穂
論 文 審 査 の 結 果 の 要 旨
本研究は，室温動作エキシトントランジスタの実現を念頭に，新規半導体材料(ZnO)x(InN)1-x (以
下ZION)の高品質結晶薄膜の作製とZION薄膜の発光特性について研究を行ったものである．ZION
の高品質結晶薄膜の作製においては，世界で初めてサファイア基板上ZION薄膜のエピタキシャル 成長に成功した．さらに，高速粒子の成膜表面への入射を大幅に抑制することによりZnOテンプレ ート上に作製したZION薄膜の刃状転位密度が約2桁減少することを示し，これまでに実現できな かった組成領域である(ZnO)0.82(InN)0.18薄膜のエピタキシャル成長に成功した．ZION の室温フォ トルミネッセンス測定により2.79 eVのフォトルミネッセンスがZION起因であることを明らかに した．これらの結果は，電気電子工学上価値のある業績であり，博士(工学)の学位に値するものと 認める．
