• 検索結果がありません。

MUSES01 2 回路入り J-FET 入力高音質オペアンプ ~ 人の感性に響く音を追求 ~ 概要 MUSES01 は オーディオ用として特別の配慮を施し 音質向上を図った 2 回路入り JFET 入力高音質オペアンプです 低雑音 高利得帯域 低歪率を特徴とし オーディオ用プリアンプ アクティブフ

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

シェア "MUSES01 2 回路入り J-FET 入力高音質オペアンプ ~ 人の感性に響く音を追求 ~ 概要 MUSES01 は オーディオ用として特別の配慮を施し 音質向上を図った 2 回路入り JFET 入力高音質オペアンプです 低雑音 高利得帯域 低歪率を特徴とし オーディオ用プリアンプ アクティブフ"

Copied!
12
0
0

読み込み中.... (全文を見る)

全文

(1)

MUSES01

2 回路入り J-FET 入力 高音質オペアンプ

~

人の感性に響く音を追求

~

 概 要 MUSES01は、オーディオ用として特別の配慮を施し、音質向上を図った 2回路入りJFET入力高音質オペアンプです。 低雑音、高利得帯域、低歪率を特徴とし、オーディオ用プリアンプ、 アクティブフィルター、ラインアンプ等に最適です。 特 徴 ●動作電源電圧 Vopr= ±9V ~ ±16V ●低雑音 9.5nV/√Hz typ. @f=1kHz ●入力オフセット電圧 VIO= 0.8mV typ. 5mV max.

●入力バイアス電流 IB= 200pA typ. 800pA max @Ta=25°C

●電圧利得 Av=105dB typ. ●スルーレート SR=12V/µs typ. ●バイポーラ構造 ●外形 DIP8 ■端子配列 は、新日本無線株式会社の商標または登録商標です。 + 1 2 3 4 8 7 6 5 -+ ピン配置 1. A OUTPUT 2. A -INPUT 3. A +INPUT 4. V- 5. B +INPUT 6. B -INPUT 7. B OUTPUT 8.V+ MUSES01  外 形

(2)

MUSES01

■絶対最大定格 (Ta=25°C) (注 1)電 源 電 圧 が ±15V 以 下 の 場 合 は 、 電 源 電 圧 と 等 し く な り ま す 。 ■推奨動作電圧範囲 (Ta=25°C) ■電気的特性 DC 特性(指定無き場合には V+/V-=±15V, Ta=+25℃) 項 目 記 号 条 件 最 小 標 準 最 大 単 位 消 費 電 流 Icc 無信号時 R L=∞ - 8.5 12.0 mA 入 力 オ フ セ ッ ト 電 圧 VIO Rs≦10k (注 2) - 0.8 5.0 mV 入 力 バ イ ア ス 電 流 IB (注 2,3) - 200 800 pA 入 力 オ フ セ ッ ト 電 流 IIO (注 2,3) - 100 400 pA 電 圧 利 得 AV RL≧2k, Vo=10V 90 105 - dB 同 相 信 号 除 去 比 CMR VICM=8V, (注 4) 60 75 - dB 電 源 電 圧 除 去 比 SVR V +/V-=9 to 16V (注 2,5) 70 83 - dB 最 大 出 力 電 圧 1 VOM1 RL=10k 12 13.5 - V 最 大 出 力 電 圧 2 VOM2 RL=2k 10 12.5 V 同 相 入 力 電 圧 範 囲 VICM CMR≧60dB 8 9.5 - V (注2) VICM=0V で測定 (注3) 絶対値にて表記 (注4) VICM=0V → +8V 及び VICM=0V → -8V と変化させたときの入力オフセット電圧変動量より同相信号除去比を算出 (注5) V+/V-=±9V → ±16V と変化させたときの入力オフセット電圧変動量より電源電圧除去比を算出 項 目 記 号 条 件 単 位 電 源 電 圧 V+/V- 18 V 同 相 入 力 電 圧 範 囲 VICM 15(注1) V 差 動 入 力 電 圧 範 囲 VID 30 V 消 費 電 力 PD 910 mW 負 荷 電 流 Io ±25 mA 動 作 温 度 範 囲 Topr -40 to +85 °C 保 存 温 度 範 囲 Tstg -50 to +150 °C 項 目 記 号 定 格 単 位 電 源 電 圧 V+/V- 9 ~ 16 V

(3)

MUSES01

■電気的特性 AC特性(指定無き場合にはV+/V-=±15V, Ta=+25℃) 項 目 記 号 条 件 最 小 標 準 最 大 単 位 利 得 帯 域 幅 積 GB f=10kΩ - 3.3 - MHz ユ ニ テ ィ ・ ケ ゙ イ ン 周 波 数 fT ARV=+100, RS=100Ω, L=2kΩCL=10pF - 3.0 - MHz 位 相 余 裕 ΦM ARV=+100, RS=100Ω, L=2kΩ,CL=10pF - 60 - Deg 入 力 換 算 雑 音 電 圧 1 VNI1 f=1kHz, AR V=+100 S=100Ω , - 9.5 - nV/√ Hz

入 力 換 算 雑 音 電 圧 2 VNI2 RIAA, R30kHz, LPF S =2.2kΩ, - 1.2 3.0 uVrms

全 高 調 波 歪 率 THD f=1kHz , AR V=+10 L=2kΩ, Vo=5Vrms - 0.002 - % チャンネルセパレーション CS f=1kHz , AR V=-100 S=1kΩ, RL=2kΩ - 150 - dB 立ち上がり時 ス ル ー レ ー ト +SR AV=1,VIN=2Vp-p, RL=2kΩ,CL=10pF - 12 - V/us 立ち下がり時 ス ル ー レ ー ト -SR AV=1,VIN=2Vp-p, RL=2kΩ,CL=10pF - 13 - V/us

(4)

MUSES01

■ アプリケーション情報 パッケージパワーと消費電力、出力電力 IC はIC 自身の消費電力(内部損失)によって発熱し、ジャンクション温度Tj が許容値を超えると破壊される可 能性があります。この許容値は許容損失PD(=消費電力の最大定格)と呼ばれています。図1にMUSES01のPDの周囲温 度依存性を示します。 この図の特性は、次の2点から得ることができます。1点目は25℃におけるPDで、絶対最大定格の消費電力に相当し ます。もう1点はこれ以上の発熱を許容できない、つまり許容損失0W の点です。この点は、IC の保存温度範囲Tstg の上限を最大のジャンクション温度Tjmax とすることで求めることができます。これら2点を結び、25℃以下を25℃ と同じPDとすることで図1の特性を得ることができます。なお、これらの2点間のPDは次式で表されます。 許容損失

ja

Ta

Tj

P

D

max

[W] (Ta=25℃~Ta=Tjmax) ここでθja は熱抵抗であり、パッケージ材料(樹脂、フレーム等)に依存します。次にIC自身の消費電力を導き ます。IC の消費電力は、次式で表されます。 消費電力=(電源電圧VDD)×(消費電流IDD)-(出力電力Po) この消費電力がPDをこえない条件でMUSES01を使用してください。安定した動作を維持するためにも、許容損失PD に注意し、余裕のある熱設計することを推奨します。 図1 MUSES01 の許容損失 PDの周囲温度特性例 最大保存温度 最大動作温度 PD [mW] Ta [℃] -40 25 85 150 910 DIP8

(5)

MUSES01

■ 特性例 THD+N 対 出力電圧特性例(周波数) V+/V-=±15V,A V=+10, Rg=1kΩ,Rf=9.1kΩ, RL=2kΩ,Ta=25℃ 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10 出力電圧 [Vrms] TH D + N [ % ] f=20kHz 1kHz 20Hz 100Hz 入力換算雑音電圧 対 周波数特性例 V+/V-=±16V,A V=+100,Rs=100Ω,RL=∞,Ta=25℃ 0 10 20 30 40 50 60 70 80 1 10 100 1,000 10,000 周波数 [Hz] 入力 換算 雑音 電圧 [ nV /√H z] 入力換算雑音電圧 対 周波数特性例 V+ /V -=±15V,AV=+100,Rs=100Ω,RL=∞,Ta=25℃ 0 10 20 30 40 50 60 70 80 1 10 100 1,000 10,000 周波数 [Hz] 入力 換算 雑音 電圧 [ nV /√H z] 入力換算雑音電圧 対 周波数特性例 V+ /V -=±9V,AV=+100,Rs=100Ω,RL=∞,Ta=25℃ 0 10 20 30 40 50 60 70 80 1 10 100 1,000 10,000 周波数 [Hz] 入力 換算 雑音 電圧 [ nV /√H z] THD+N 対 出力電圧特性例(周波数) V+/V-=±9V,A V=+10, Rg=1kΩ,Rf=9.1kΩ, RL=2kΩ,Ta=25℃ 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10 出力電圧 [Vrms] THD + N [%] f=20kHz 1kHz 20Hz 100Hz THD+N 対 出力電圧特性例(周波数) V+/ V-= ±1 6 V,A V= + 1 0 , Rg= 1 kΩ,Rf = 9 .1 kΩ, RL= 2 kΩ,Ta= 2 5 ℃ 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10 出力電圧 [Vrms] THD + N [ % ] f= 2 0 kHz 1 kHz 2 0 Hz 1 0 0 Hz

(6)

MUSES01

チャンネルセパレーション 対 周波数特性例

V+ /V

-=±16V,AV=-100, RS=1kΩ, RL=2kΩ, Vo=5Vrms, Ta=25℃

-180 -170 -160 -150 -140 -130 -120 10 100 1000 10000 100000 周波数 [Hz] チャンネル セ パレ ー シ ョン [dB ] チャンネルセパレーション 対 周波数特性例 V+ /V

-=±15V,AV=-100, RS=1kΩ, RL=2kΩ, Vo=5Vrms, Ta=25℃

-180 -170 -160 -150 -140 -130 -120 10 100 1000 10000 100000 周波数 [Hz] チャンネル セ パレ ー シ ョン [dB ] チャンネルセパレーション 対 周波数特性例 V+ /V

-=±9V,AV=-100, RS=1kΩ, RL=2kΩ, Vo=4Vrms, Ta=25℃

-180 -170 -160 -150 -140 -130 -120 10 100 1000 10000 100000 周波数 [Hz] チャンネル セ パレ ー シ ョン [dB ] 40dB電圧利得 対 周波数特性例 (周囲温度) V+ /V -=±16V, AV=+100, RS=100Ω, RT=50Ω, RL=2kΩ,CL=10pF VIN=-30dBm,Vicm=0V -60 -40 -20 0 20 40 60 1 10 100 1000 10000 100000 周波数 [kHz] 電圧 利得 [dB] -180 -120 -60 0 60 120 180 位相 [ d e g] 電圧利得 位相 -40℃ Ta=25℃ 85℃ 40dB電圧利得 対 周波数特性例 (周囲温度) V+ /V -=±15V, AV=+100, RS=100Ω, RT=50Ω, RL=2kΩ,CL=10pF VIN=-30dBm,Vicm=0V -60 -40 -20 0 20 40 60 1 10 100 1000 10000 100000 周波数 [kHz] 電圧 利得 [ dB] -180 -120 -60 0 60 120 180 位相 [ deg] 電圧利得 位相 -40℃ Ta=25℃ 85℃ 40dB電圧利得 対 周波数特性例 (周囲温度) V+ /V -=±9V, AV=+100, RS=100Ω, RT=50Ω, RL=2k,CL=10pF VIN=-30dBm,Vicm=0V -60 -40 -20 0 20 40 60 1 10 100 1000 10000 100000 周波数 [kHz] 電圧 利得 [ dB] -180 -120 -60 0 60 120 180 位相 [ deg] 電圧利得 位相 -40℃ Ta=25℃ 85℃

(7)

MUSES01

過渡応答特性例 (周囲温度) V+/V-=±16V,V IN=2VP-P,f=100kHz PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,CL=10pF,RL=2kΩ -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 時間[μsec] 出力 電圧 [V ] -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 入力 電圧 [V ] 入力電圧 出力電圧 Ta=25℃ -40℃ 85℃ 過渡応答特性例 (周囲温度) V+/V-=±15V,V IN=2VP-P,f=100kHz PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,CL=10pF,RL=2kΩ -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 時間[μsec] 出力 電圧 [V ] -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 入力 電圧 [V ] 入力電圧 出力電圧 Ta=25℃ -40℃ 85℃ スルーレート 対 周囲温度特性例 V+/V-=±15V,V IN=2VP-P,f=100kHz PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,CL=10pF,RL=2kΩ 0 4 8 12 16 20 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] ス ル ーレ ート [V/ μse c ] Rise Fall 過渡応答特性例 (周囲温度) V+/V-=±9V,V IN=2VP-P,f=100kHz PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,CL=10pF,RL=2kΩ -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 時間[μsec] 出力 電圧 [V ] -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 入力 電圧 [V ] 入力電圧 出力電圧 Ta=25℃ -40℃ 85℃ スルーレート 対 周囲温度特性例 V+/V-=±9V,V IN=2VP-P,f=100kHz PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,CL=10pF,RL=2kΩ 0 4 8 12 16 20 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] ス ル ーレ ート [V/ μse c ] Rise Fall スルーレート 対 周囲温度特性例 V+/V-=±16V,V IN=2VP-P,f=100kHz PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,CL=10pF,RL=2kΩ 0 4 8 12 16 20 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] ス ル ーレ ート [ V/μsec] Rise Fall

(8)

MUSES01

消費電流 対 電源電圧特性例 (周囲温度) GV=0dB,Vin=0V 0 2 4 6 8 10 12 0 3 6 9 12 15 18 電源電圧 [V+ /V -] 消費電流 [mA ] -40℃ 85℃ Ta=25℃ 消費電流 対 周囲温度特性例 (電源電圧) GV=0dB,Vin=0V 0 2 4 6 8 10 12 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] 消費電流 [ mA ] V+/V-=±15V ±16V ±9V 入力オフセット電圧 対 電源電圧特性例 (周囲温度) VICM=0V,Vin=0V -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 電源電圧 [V+/V- 入力 オ フ セ ッ ト電 圧 [mV] -40℃ Ta=25℃ 85℃ 電源電圧除去比 対 周囲温度特性例 VICM=0V ,V+/V-=±9V to ±16V 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] 電源電 圧除去比 [d B ] 入力バイアス電流 対 周囲温度特性例 (電源電圧) VICM=0V 1 10 100 1,000 10,000 100,000 1,000,000 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] 入力ハ ゙イ ア ス 電流 [pA ] V+/V-=±15V ±16V ±9V 入力バイアス電流 対 同相入力電圧特性例 (周囲温度) V+/V-=±16V 1 10 100 1,000 10,000 100,000 1,000,000 -16 -12 -8 -4 0 4 8 12 16 同相入力電圧 [V] 入力 バ イア ス電流 [ p A] Ta=25℃ -40℃ 85℃

(9)

MUSES01

入力バイアス電流 対 同相入力電圧特性例 (周囲温度) V+/V-=±15V 1 10 100 1,000 10,000 100,000 1,000,000 -15 -12 -9 -6 -3 0 3 6 9 12 15 同相入力電圧 [V] 入力 バ イア ス電流 [ p A] Ta=25℃ -40℃ 85℃ 入力バイアス電流 対 同相入力電圧特性例 (周囲温度) V+/V-=±9V 1 10 100 1,000 10,000 100,000 1,000,000 -9 -6 -3 0 3 6 9 同相入力電圧 [V] 入力 バ イア ス電流 [ p A] Ta=25℃ -40℃ 85℃ 入力オフセット電流 対 周囲温度特性例 (電源電圧) VICM=0V 1 10 100 1,000 10,000 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] 入力 オフ セッ ト電 流 [ p A] V+/V-=±15V ±9V ±16V 入力オフセット電圧 対 出力電圧特性例 (周囲温度) V+/V-=±15V,R L=2kΩ to 0V -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 -16 -12 -8 -4 0 4 8 12 16 出力電圧 [V] 入力 オフセ ッ ト電 圧 [ m V] -40℃ Ta=25℃ 85℃ 電圧利得 対 周囲温度特性例 RL=2kΩ to 0V,V+/V-=±16V,Vo=-11V to +11V 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] 電圧 利得 [ d B ] 電圧利得 対 周囲温度特性例 RL=2kΩ to 0V,V+/V-=±15V,Vo=-10V to +10V 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] 電圧 利得 [ d B ]

(10)

MUSES01

電圧利得 対 周囲温度特性例 RL=2kΩ to 0V,V+/V-=±9V,Vo=-4V to +4V 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] 電圧利得 [d B ] 同相信号除去比 対 周囲温度特性例 (同相入力電圧) V+/V-=±16V 0 20 40 60 80 100 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] 同相信号 除去比 [ d B ] Vicm=0V to -9V 0V to +9V 同相信号除去比 対 周囲温度特性例 (同相入力電圧) V+/V-=±15V 0 20 40 60 80 100 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] 同相信号 除去比 [ d B ] Vicm=0V to -8V 0V to +8V 同相信号除去比 対 周囲温度特性例 (同相入力電圧) V+/V-=±9V 0 20 40 60 80 100 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] 同相 信号除去比 [ d B ] Vicm=0V to -2V 0V to +2V 最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (周囲温度) V+/V-=±16V,Gv=open,R L to 0V -18 -15 -12 -9 -6 -3 0 3 6 9 12 15 18 10 100 1000 10000 100000 負荷抵抗[Ω] 最大出力電 圧 [V ] 85℃ 25℃ -40℃ 最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (周囲温度) V+/V-=±15V,Gv=open,R L to 0V -16 -12 -8 -4 0 4 8 12 16 10 100 1000 10000 100000 負荷抵抗[Ω] 最大出力電 圧 [V ] 85℃ 25℃ -40℃

(11)

MUSES01

最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (周囲温度) V+/V-=±9V,Gv=open,R L to 0V -10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10 10 100 1000 10000 100000 負荷抵抗[Ω] 最大出力電 圧 [V ] 85℃ 25℃ -40℃ 最大出力電圧 対 周囲温度特性例 (電源電圧) Gv=open,RL=2kΩ to 0V -18 -15 -12 -9 -6 -3 0 3 6 9 12 15 18 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] 最大 出力 電圧 [ V ] V+/V-=±15V ±16V ±9V 最大出力電圧 対 周囲温度特性例 (電源電圧) Gv=open,RL=10kΩ to 0V -18 -15 -12 -9 -6 -3 0 3 6 9 12 15 18 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] 最大 出力電圧 [V ] V+/V-=±15V ±16V ±9V 利得帯域幅積 対 周囲温度特性例 (電源電圧) f=10kHz,AV=80dB, RS=10Ω, RT=50Ω,RL=2kΩ, CL=10pF,VIN=-50dBm 0 1 2 3 4 5 6 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] 利 得帯域幅積 [M H z] V+ /V -=±15V ±16V ±9V ユニティ・ゲイン周波数 対 周囲温度特性例 (電源電圧) AV=+100, RS=100Ω, RT=50Ω,RL=2kΩ, CL=56pF,VIN=-30dBm 0 1 2 3 4 5 6 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] ユ ニ テ ィ ・ゲ イ ン 周 波数 [ M Hz ] V+/V-=±15V ±16V ±9V 位相余裕 対 周囲温度特性例 (電源電圧) AV=+100, RS=100Ω, RT=50Ω,RL=2kΩ, CL=10pF,VIN=-30dBm 0 30 60 90 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] 位相 余裕 [ d e g] V+ /V -=±15V ±16V ±9V

(12)

MUSES01

MEMO

<注意事項> このデータブックの掲載内容の正確さには万全を期 しておりますが、掲載内容について何らかの法的な保 証を行うものではありません。とくに応用回路につい ては、製品の代表的な応用例を説明するためのもので す。また、工業所有権その他の権利の実施権の許諾を 伴うものではなく、第三者の権利を侵害しないことを 保証するものでもありません。

参照

関連したドキュメント

 音楽は古くから親しまれ,私たちの生活に密着したも

これらの先行研究はアイデアスケッチを実施 する際の思考について着目しており,アイデア

 TV会議やハンズフリー電話においては、音声のスピーカからマイク

また適切な音量で音が聞 こえる音響設備を常設設 備として備えている なお、常設設備の効果が適 切に得られない場合、クラ

高出力、高トルク、クリーン排気を追求した排ガ ス対応エンジンは、オフロード法 2014 年基準に 適合する低エミッション性能を実現。また超低騒

(4) 現地参加者からの質問は、従来通り講演会場内設置のマイクを使用した音声による質問となり ます。WEB 参加者からの質問は、Zoom

機能名 機能 表示 設定値. トランスポーズ

パキロビッドパックを処方入力の上、 F8特殊指示 →「(治)」 の列に 「1:する」 を入力して F9更新 を押下してください。.. 備考欄に「治」と登録されます。