３Ｒ対策技術への取り組み

温室効果が低く環境に優しい代替フロン（CF

3

I）を用いた

世界トップレベルの半導体加工技術の実現

１

平成１９年９月２８日

ＮＥＤＯ 環境技術開発部

（株）半導体先端テクノロジーズ

我が国の代替フロン等３ガス

排出削減への取り組み

我が国の京都議定書による温室効果ガス削減目標

（1990年比6％削減）

我が国の京都議定書 目標（▲６％）の内訳

基準年

百万 t-CO2

2010年

百万 t-CO2

課題

エネルギー起源

CO2

１０４８

１０５６

＋0.6％以内

非エネルギー起源

CO2、CH4、N2O

１３９

１２４

▲1.2％以上

代替フロン等３ガス

HFC、PFC、SF6

５０

５１

＋0.1％以内

森林吸収

CDM等

－－－

－－－

▲６８

吸収源 ：▲3.9％

CDM等 ：▲1.6％

温室効果ガス排出量

合計

１２３７

１１６３

▲６％

※ ※：代替フロン等３ガス分野は1995年を基準年としたCO2換算排出量比 ３

温室効果ガス排出削減の取り組みの流れ

基準年（単位：百万ton-CO2）

CO

₂

１１２２

N

₂

O

４０

CH

₄

２５ （１９９０年）

HFC

20.2

PFC

12.6

SF

_６

16.9 （１９９５年）

特定ﾌﾛﾝ類

CFC

65.0

HCFC

95.0 （１９９５年：参考値）

モ

ン

ト

リ

オ

ー

ル

議定

書

京都議定書対象温室効

果ガ

ス

160

５０

118７

経済成長による増加

森林吸収源▲３．９％、CDM等▲１．６％ 計（▲５．５％） ６８ 非ｴﾈ起源CO2、メタン排出、一酸化二窒素排出 （▲１．２％） １２４

基準排出量

123７

１１１２

特定フロンからの移行阻止

３ガス（+０．１％） ５１

最終的に使用禁止（2030年）

エネルギー起源CO2 （＋０．６％） １０５６

６％削減

１２３７

１１６３

回収・除害技術

代替物質の開発

ノンフロン化技術

数値はH17年3月30日地球温暖化対策推進本部 「京都議定書達成目標計画」ならびにモントリオール議定書関係資料より抜粋

代替フロン等３ガス

４

0

50

100

150

200

250

排

出

量

( 1 0 0 万 t -C O 2 )

1995実績

2000実績

2010自然体 2010第1次目標 2010第2次目標

CFC

HCFC

３ガス

特定フロン類（CFC、HCFC）および

代替フロン類等３ガス（HFC、PFC、SF

6

）排出量推移

49.7 95.0 65.0 39.1 118.4 46.0 107 67.5 67.5 67.5 67 51

CFC、HCFCの代

替として、

３ガス

排出量が増加

削減目標値達成

のため

重点対策が必要

出典：産業構造審議会 化学・バイオ部会 第12回地球温暖化防止対策小委員会 H17/6月 CFC、HCFCの値はNEDOによる推定値

排出量（100万t-C

O

2

）

2010目標 (現行対策での推定値) 地球温暖化対策推進大綱(1998年) 目標値 ：＋2% ( 73百万t-CO₂) 京都議定書目標達成計画(2004年) 目標値 ：+0.1% ( 51百万t-CO₂) 2010見通し (2004年度時点での 推定値) 2010見通し (1998年の時点におけ る自然体の推定値-当 初見通し) ５

１９９５年 （基準年） （第1次削減目標値） 金属 製造 発泡・ 断熱材 ＰＦＣｓ 10.8 ＳＦ６ 11.8 ＨＦＣｓ 51.1 ＰＦＣｓ ＨＦＣｓ ２０．２ １２．６ ＳＦ６ １６．９

代替フロン削減目標（5600万ton-CO2削減）達成のための重点的取り組み

49.7

73.7 (+2%)

２０１０年 （第2次削減目標値） ＰＦＣｓ 8.7 ＳＦ６ ＳＦ６ 8.0 ＨＦＣｓ 34.9

51.7 (+0.1％)

第２次削減目標 追加措置（2005）

73-51＝22

第1次削減量目標(1998)

107-73＝34

２０１０年 自然体での予測値 １０７

単位(百万t-CO2)

冷凍空調 機器

追加対策

半導体・ 液晶製造 ２０１０年 推定値

107 (+5%)

発泡断熱、冷凍空調機器、半導体・液晶製造、

金属製造等の分野

での代替フロン・脱フロン

技術の開発と普及

最終削減目標

107-51＝56

（再精査による削減量加速）

66.6 (+2%)

２０１０年 ２０１０年

削減量加速

(2004再精査)

73-66＝7

重点対策分野

６

代替フロン等３ガス排出量の分野別実績

（年）

1995 基準年 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006

総排出量

51.2

51.8

50.1

45.3

38.7

34.0

28.8

25.1

23.5

7.3 0.7 2.6 3.7 1.5 5.5 1.2 1.0

17.2

16.6

HFC等製造 に係る事項 22.9 21.2 19.1 17.6 17.1 14.9 11.6 8.4

19.3

3.2 0.6 2.2 4.0 1.5 5.8 1.0 2.6 3.2 発泡・断熱材 に係る事項 0.5 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.3 0.3 エアゾール等 に係る事項 1.4 2.1 2.6 2.9 2.8 2.8 2.7 2.7 1.6 1.1 冷凍空調機器 に係る事項 0.8 1.2 1.5 1.8 2.1 2.5 2.9 3.4 4.4 4.2 洗浄剤・溶剤 に係る事項 10.4 9.9 9.6 6.7 3.7 2.2 2.2 1.7 1.7 1.6 半導体等製造 に係る事項 4.1 5.0 6.2 6.4 6.8 7.4 5.7 5.7 4.9 4.6 絶縁ガス機器 に係る事項 11.0 11.8 10.3 9.1 5.0 2.8 2.0 1.5 0.7 0.7 金属製品 に係る事項 0.2 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 1.2 1.1 1.0 1.0 0.9 （100万t-CO2） 「発泡･断熱材」 ｢冷凍空調機器｣ ｢半導体等製造｣及び「金属製品」 が増加傾向にある 出典：産業構造審議会 化学・バイオ部会 第17回地球温暖化防止対策小委員会 H19/6月 ※ ※：目標計画策定時の基準年(1995年)総排出量は、49.7（≒50）百万t-CO2とされていたが、 その後、推計方法の変更や更なる使用実態の把握等により変更されている。 ７

HFC等３ガス 分野別排出量推移

（京都議定書対象外のＨＦＣ・ＰＦＣを除く）

HFC等３ガス ガス別排出量推移

（京都議定書対象外のＨＦＣ・ＰＦＣを除く） 0.0 10.0 20.0 30.0 40.0 50.0 60.0 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 金属製品に係る事項 電気絶縁ガス使用機器に係る事項 半導体等製造に係る事項 洗浄剤・溶剤に係る事項 冷凍空調機器に係る事項 エアゾール等に係る事項 発泡・断熱材に係る事項 HFC等製造に係る事項 （百万GWPt） 0.0 10.0 20.0 30.0 40.0 50.0 60.0 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 SF6 PFC HFC （百万GWPt） 出典：産業構造審議会 化学・バイオ部会 第17回地球温暖化防止対策小委員会 H19/6月 ８

資料:UNFCCC

（百万GWPt） 95 114 120 133 ₁₃₂ 135 125 133 ₁₃₁ 143 67 72 76 76 66 ₆₄ 61 64 67 66 51 52 ₅₀ 45 39 34 29 19 23 25 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 米国 EU15ヵ国 日本

国際比較が可能な２００４年時点で、我が国の排出量は、基準年比約４８％減少しているが、

一方で、米国は約５１％の大幅増、またＥＵは横ばいに留まっている。

なお、中国については、詳細なデータは不足しているが、ＷＲＩ－ＣＡＩＴの２０００年ベースと

我が国（２００４年）を比較すると、約２．３倍の排出量になる。現在は、より増加しているものと

推測される。

先進各国の代替フロン等3ガス排出量推移

代替フロン等３ガス排出抑制状況の国際比較について

９

ＮＥＤＯの代替フロン等３ガス

排出削減への取り組み

温暖化対策目標へ向けた組織的取り組み

（1990年比6％削減）

我が国の京都議定書 目標（▲６％）の内訳

基準年

百万 t-CO2

2010年

百万 t-CO2

課題

エネルギー起源

CO2

１０４８

１０５６

_{＋0.6％以内}

非エネルギー起源

CO2、CH4、N2O

１３９

１２４

_{▲1.2％以上}

代替フロン等３ガス

HFC、PFC、SF6

５０

５１

_{＋0.1％以内}

森林吸収

CDM等

－－－

－－－

▲６８

吸収源 ：▲3.9％

CDM等 ：▲1.6％

温室効果ガス排出量

合計

１２３７

１１６３

_▲６％

※ ※：代替フロン等３ガス分野は1995年を基準年としたCO2換算排出量比

エネルギー・環境技術本部

による総合的貢献

省エネ技術開発部

新エネ技術開発部

環境技術開発部

エネルギー対策

推進部

省エネ技術開発部

新エネ技術開発部

環境技術開発部

エネルギー対策

推進部

および

京都メカニズム

事業推進部

１１

実証研究開発を経て実用化へ 市場化促進支援へ 液中燃焼方式 実用化研究を経て実用化へ プラズマ方式 ロータリーキルン方式 SF6代替ガスによる送変電機器技術の開発 新規フロン代替物質を使用した エッチング性能評価 送変電分野か らの温室効果 ガス排出抑制 半 導 体 ･ MEMS 分野からの温 室効果ガス排 出抑制 ﾌﾛﾝ製造･利用 現場の漏洩ゼ ロ化(含海外) ノンハロン消 火ｼｽﾃﾑの世界 市場投入 冷凍空調シス テムからの冷 媒漏洩対策 水発泡を含むノンフロン発泡材の 断熱性能劣化防止 発泡分野の完_{全 ﾉ ﾝ ﾌ ﾛ ﾝ 化 達} 成 断熱発泡材中 のフロン回収 無害化達成 断熱材中のフロン回収･ 無害化技術 ＣＤＭ ＣＤＭ、、ＪＩ事業への適用ＪＩ事業への適用 ノンハロン消火システム の基礎技術開発 省エネ型SF6代替ガス利用 Mg鋳造ｼｽﾃﾑの開発 建築物解体現場 向け 可搬型処理装置の開 発（実用化） プラズマ方式 SF6ﾌﾘｰﾏｸﾞﾈｼｳ ﾑ鋳造､製造技 術開発 SF6フリー高機能発現Mg 合金組織制御技術開発 回収･破壊技術の開発 自動車･家電 ﾘｻｲｸﾙ 現場向 高機能回収無害化設備の 開発 ﾘｻｲｸﾙ現場のﾌ ﾛ ﾝ 漏 洩 ｾ ﾞ ﾛ 化 無害化達成 ノンフロンダストブロ ワーの開発 ﾀﾞ ｽﾄﾌﾞﾛﾜ ｰ分 野の完全ﾉﾝﾌﾛ ﾝ化 ノンフロン化技術の開発 2006 2008 2010～ 1999 2001 2003 2004 2005 2007 2009 1998 2000 2002 ～1997 空気ｻｲｸﾙ冷凍ｼｽﾃﾑ空調技術の 開発 省エネフロン代替物質合成技術開発（2002～006） SF6等に代替するガスを利用した電子デバイス ｸﾘｰﾆﾝｸﾞﾌﾟﾛｾｽｼｽﾃﾑの研究開発（1998～2002） 電子デバイス製造プロセスで使用するエッチングガス の代替ガスシステム及び代替プロセスの研究開発 （1999～2003） HFC-23破壊技術の開発（1998～2001） HFC等破壊処理技術 調査（1999～2000） シクロペンタン断熱材か らのシクロペンタン回収 技術開発(1999～2000) ハロン破壊実証試験 （1999～2000） 建築用断熱材フロン 回収・処理技術調査 （2000～2001） CFC分解処理技術 （1996～1998） 代替物質の開発

NEDOにおけるフロン対策分野の技術開発の流れ（１）

【実線は実施済み・実施中のＰＪ，点線は検討中のＰＪ】 特 定 フ ロ ン 破 壊 処 理 技 術 (1993～1995) 新規冷媒等研究開発（1994～2001） 現場発泡(新規 ﾌﾛﾝ代替物質) 超臨界CO2による断熱発泡材の 開発 革新的ノンフロン系断熱材技術 開発（2007～2011） ノンフロン冷凍／空調システムの開発 （2005～2009） SF6フリー高機能発現Ｍｇ合 金組織制御技術開発PJ （2004～2006） １２

NEDOにおけるフロン対策分野の技術開発の流れ（２）

～ 2005年

～ 2010年

設備実用化実証 『地域地球温暖化 防止支援事業』 （Ｈ１８～２０年度）

［第1期：回収・破壊技術の開発］

［第2期：代替物質の開発］

開発技術の実証・普及促進

地球温暖化対策推進大綱目標達成

希少資源対応

フロン回収システム開発

世界規模での温暖化抑止への貢献

開発技術のＣＤＭ・ＪＩ 化

～ 2015年

(低GWP合成ガス開発) ＳＦ６フリーＭｇ合金 組成制御技術開発

［第3期：ノンフロン化技術の開発］

CFC・HFC等 破壊・回収技術開発 （プラズマ、キルン、焼却方式） 2012年 超臨界CO2による断熱発泡材 開発/CO2圧縮機・空調機の 要素技術開発 電子ﾃﾞﾊﾞｲｽｸﾘｰﾆﾝｸﾞ・ ｴｯﾁﾝｸﾞｶﾞｽ等技術開発 ノンフロン冷凍空調 システム開発(業務・住宅・車）

［第４期：NEDO開発技術の実証・普及］

省エネフロン代替合成技術開発 (絶縁ｶﾞｽ・断熱・ｴｯﾁﾝｸﾞ・ ﾏｸﾞﾈｼｳﾑ等) 革新的ノンフロン系 断熱材技術開発 ＨＦＣ-２３破壊技術の開発 １３ 新規フロン代替 物質を使用した エッチング性能 評価 京都議定書 第１約束期間 （2008年～2012年） 2008年

１４

新規代替フロン

「CF

3

I」について

・地球温暖化係数

GWP≒１

・オゾン層破壊係数

ODP≒０．００６

参考資料