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Microsoft PowerPoint - m54562fp_j.ppt

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Academic year: 2021

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(1)

概 要 M54562FPは、PNPトランジスタとNPNトランジスタで構成さ れた、8回路の出力ソース形ダーリントントランジスタアレイ であり、微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回 路です。 特 長 ●高耐圧(BVCEO≧ 50V)

●大電流駆動(IO(max)= -500mA)

●出力クランプダイオード付き ●TTL,CMOS IC出力で駆動可能 ●出力電流ソース形 用 途 各種リレー及びプリンターのドライブ、LED・蛍光表示管 及びランプなどのドライブ、MOS-バイポーラの各ロジック系 とリレー、ソレノイド、小型モーターとのインタフェースなど 機能概要 入力インバータと電流ソース形の出力部で構成される回路 が8回路内蔵されています。出力部は、PNPトランジスタと NPNダーリントントランジスタからなり、PNPトランジスタの ベース電流は定電流となっています。各出力とGND間にス パイクキラー用クランプダイオードが入っており、VS及びGND は8回路共通です。 入力は、入力抵抗として、8.5kΩ入っており、最大30Vまで印 加できます。出力電流は最大500mA流し出すことができ、供 給電圧VSは最大50Vまで印加できます。 V -0.5 ~ +30 入力電圧 VI V 50 供給電圧 VS V –0.5 ~ +50 出力が“L”のとき コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO 単位 定 格 値 条 件 項 目 記 号 絶対最大定格(指定のない場合は、 Ta=-20~+75℃ ) 回路図(各回路) VSとGNDは8回路共通です。 破線で示すダイオードは寄生ダイオードであり使用しないでください。 単位:Ω VS 出力OUT 入力IN 8.5K 20K 3K GND 1.5K 7.2K ピン接続図(上面図) 外形 20P2N-A 3 4 5 6 7 8 9 10 18 17 16 15 14 13 12 11 →O2 →O3 →O4 →O5 →O6 →O7 →O8 IN2→ IN3→ IN4→ IN5→ IN6→ IN7→ IN8→ Vs GND 出力 入力 2 19 →O1 IN1→ 1 20 NC NC NC:無接続 ○ #

(2)

V -2.4 -1.2 — IF= -350mA クランプダイオード順電圧 VF 4.7 2.8 — VI= 25V μA 100 — — VR= 50V クランプダイオード逆電流 IR mA 15.0 5.6 — VS= 50V, VI= 5V (all input) 供給電流 IS mA 0.75 0.48 — VI= 5V 入力電流 II 2.0 1.5 — VS= 10V, VI= 2.4V, IO= -100mA V 2.4 1.75 — VS= 10V, VI= 2.4V, IO= -350mA コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) μA 100 — — VS= 50V, VI= 0.2V 電源リーク電流 IS(leak) 最大 標準* 最小 単位 規 格 値 測 定 条 件 項 目 記 号 電気的特性(指定のない場合は、Ta = -20~+75℃) *:標準値はTa = 25℃の値であり、これを保証するものではありません。 #:使用しない入力ピンは必ずGNDに接続してください。 Duty Cycle 5%以下 V 0.2 - 0 “L”入力電圧 VIL V 30 5 2.4 “H”入力電圧 VIH -100 - 0 Duty Cycle 30%以下 mA -350 - 0 出力電流 (8回路同時動作時の 1回路当りの電流) IO V 50 - 0 供給電圧 VS 最大 標準 最小 単位 定 格 値 項 目 記 号 推奨動作条件(指定のない場合は、Ta = -20~+75℃) スイッチング特性(指定のない場合は、Ta = 25℃) ns — 5200 — ターンオフ時間 toff ns — 110 — CL= 15pF(注1) ターンオン時間 ton 最 大 標 準 最 小 単位 規 格 値 測 定 条 件 項 目 記 号 注1 測定回路 50Ω PG 入力 出力 (1)パルス発生器(PG)の特性 : PRR = 1kHz, tw = 10μs, tr = 6ns, tf = 6ns, ZO= 50Ω VI= 0~2.4V (2)入出力条件 : RL= 30Ω, VS= 10V (3)静電容量CLは、結線の浮遊容量及びプローブの 入力容量を含みます。 タイミング図 出力 入力 50% 50% ton 50% 50% toff CL RL 被測定素子 VS # #

(3)

① ② ③ ④ ⑥⑦ ●出力電流は1回路 当りの電流です。 ●繰返し周波数≧10Hz ●○内の数字は同時動作 回路数を示す。 ●Ta=75℃ ⑤ ⑧ ① ② ③ ④ ⑤ ●出力電流は1回路当りの電流です。 ●繰返し周波数≧10Hz ●○内の数字は同時動作回路数を示す。 ●Ta=25℃ クランプダイオード特性 順バイ アス電流 I F (m A) 0 0.5 1.0 1.5 2.0 0 100 200 300 500 400 Ta=25℃ Ta=-20℃ Ta=75℃ エミッタ接地伝達特性 出力電流 I O (m A) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 0 1.0 Ta=25℃ Ta=-20℃ Ta=75℃ -100 -200 -300 -500 -400 VS=20V VS-VO=4V 出力飽和電圧-出力電流特性 出力飽和電圧 VCE(sat) (V) 出力電流 I O (m A) 0 0.5 1.0 1.5 2.0 0 2.5 Ta=25℃ Ta=-20℃ Ta=75℃ -100 -200 -300 -500 -400 VS=10V VI=2.4V 標準特性 熱低減率特性 周囲温度 Ta (℃) 許容消費 電力 Pd (W ) 0 25 50 75 100 0 0.5 1.0 1.5 2.0 デューティサイクル-出力電流特性 デューティサイクル (%) 0 20 60 80 100 0 -100 -200 -300 -500 40 -400 デューティサイクル-出力電流特性 デューティサイクル (%) 0 20 40 60 80 100 出力電流 I O (m A) 出力電流 I O (m A) 0 -100 -200 -300 -500 -400

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入力特性 入力電圧 VI(V) 入力電流 I I (mA ) 0 1 2 4 5 0 0.2 0.6 0.8 1.0 3 0.4 Ta=25℃ Ta=75℃ Ta=-20℃ 入力特性 入力電圧 VI(V) 入力電流 I I (mA ) 0 5 10 20 25 0 1 3 4 5 15 2 Ta=25℃ Ta=75℃ Ta=-20℃ VS=20V VS=20V

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安全設計に関するお願い

弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品は故障が発生したり、誤動作する場合が あります。弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として、人身事故、火災事故、社会的損 害などを生じさせないような安全性を考慮した冗長設計、延焼対策設計、誤動作防~設計などの安全 設計に十分ご留意ください。

本資料ご利用に際しての留意事項

・本資料は、お客様が用途に応じた適切な三菱半導体製品をご購入いただくための参考資料であり、 本資料中に記載の技術情報について三菱電機が所有する知的財産権その他の権利の実施、使用を 許諾するものではありません。 ・本資料に記載の製品データ、図、表、プログラム、アルゴリズムその他応用回路例の使用に起因 する損害、第三者所有の権利に対する侵害に関し、三菱電機は責任を負いません。 ・本資料に記載の製品データ、図、表、プログラム、アルゴリズムその他全ての情報は本資料発行 時点のものであり、三菱電機は、予告なしに、本資料に記載した製品または仕様を変更すること があります。三菱半導体製品のご購入に当たりましては、事前に三菱電機または特約店へ最新の 情報をご確認頂きますとともに、三菱電機半導体情報ホームページ (www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors)などを通じて公開される情報に常にご注意 ください。 ・本資料に記載した情報は、正確を期すため、慎重に制作したものですが万一本資料の記述誤りに 起因する損害がお客様に生じた場合には、三菱電機はその責任を負いません。 ・本資料に記載の製品データ、図、表に示す技術的な内容、プログラム及びアルゴリズムを流用す る場合は、技術内容、プログラム、アルゴリズム単位で評価するだけでなく、システム全体で 十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。三菱電機は、適用可否に対 する責任は負いません。 ・本資料に記載された製品は、人命にかかわるような状況の下で使用される機器あるいはシステム に用いられることを目的として設計、製造されたものではありません。本資料に記載の製品を運 輸、移動体用、医療用、航空宇宙用、原子力制御用、海底中継用機器あるいはシステムなど、特 殊用途へのご利用をご検討の際には、三菱電機または特約店へご照会ください。 ・本資料の転載、複製については、文書による三菱電機の事前の承諾が必要です。 ・本資料に関し詳細についてのお問い合わせ、その他お気付きの点がございましたら三菱電機また は特約店までご照会ください。

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