破壊強度と酸化との関連性について
芳 賀 武
・ 1 . 緒 言
セラミックスは耐熱性,耐摩耗性,耐腐食性お よび超硬 さ性などに優れた特性を持 ってい る.最近は特に航空機, 自動事等の各種エンジン部品に使用されているはか,人 工骨,人工 歯等の医療器材にも使用され,さらに
JC基板やセンサーなどの電子器機材 として,各分野 において使用 され るように成 り,注 目を集めた. しか しセラ ミックスは一般に使用 されてい るような金属に比べて靭性がないため脆 く,また気孔率が高いと言われている.
一方,機械加工により導入され る研摩キズ等の影響を著 しく受けやすい.従 って測定 され る強度のば らつ きが大であるのが一般的である.そ こでセラ ミックスのような脆性材料では 破壊力
♂′で評価するのは危険であ り, き裂の存在に依存 しない材料の特性値を持 って評価 する必要がある. この材料の特性値 として,破壊 じん性値
(Ktc)が用い られているこ とが 多い.破壊 じん性の測定はほとん ど室温で測定 した結果で多 く報告 されている. しか し高温 における破壊 じん性値は二,三の例が報告1 ) 〜3 )されている程度で,高温において直接破壊 じ ん性値を求めることは装置な どの問題で非常にむずか しいのが現状である.
著者は常圧焼成 した
SiCおよびポ ットプレスした
Si3
N4を大気中で酸化 させた のち,た だちに常温で破壊 じん性である
Kzcをマイクロ ・インデンテ ィシ ョソ法に より測定 し求 め
た.また,表面の酸化の度合を走査型電子顕微鏡で観察 し,破壊 じん性値
Ktcと酸化の度合 との関連性について比較,検討を加えた結果を報告す る.
2.
理論と実験方法 ( 1 ) 破壊 じん性値
KLC の求め方
Kzc
値は
,EVANS4)によって提案 された ピッカ‑ス硬度計による方法を用いた. とッヵ
‑ス正子によって試料の表面にき裂が発生 しない荷重
Pで圧 こんをつける.その圧 こんの対 角線の長 さdを計測 し, これを試料の真の硬 さ
Hvとし
,Hv
,P
,dの問には
Hv‑A'・P・d2・.・・・.(1)
の関係があ り
,Hvを求めた.
(Aを定数 とす る)
つぎに ビッカース圧子に よ、 って,試料面に圧 こんをつけき裂を発生させ, これを計測す る γ . ・を圧 こんの対角線の半長
,Cを き裂長 さの平均値 とす ると
Kt
c,Hv
,Cお よび γEの間 には,つ ぎの ような関係がある.
* 昭和58年11月粉体粉末冶金協会 秋季大会に一部購浜発表p.166.
** 機枕工学科 助教授
原稿受付 昭和61年9
月
30日
50 長野工業高等専門学校紀要 ・第17
号
3
Ktc/HvJ 言 ∝(C/T.I)‑す
この(
2)式 より
KICを求め ることができる.
本実験においては を用いて,破壊 じん性値
Kzc
Fig.1Schematicview of inducedcrackbymeans ofindentation.
KIC‑0.16Hy(C/T.・)‑i
を求めた
Fig.1に ビッカース庄子で圧 こんをつけ た と き発 生す るき裂 の発生模式図を示 した.
( 2 ) 試料および実験方法
試料は市販の
SiC‑A Type,SiC・BTypeおよび
Si8
N4 の
3種類を用いた. ここで
SiC・ATypeは
SiC‑BTypeよ り高密度の試料である.
Si3N4は 焼結助材 と して
Y203と
Al皇03を用いたホ ットプレス材である
. 5×5×50mmの素 材 より
5×5×10mmの試料を採取 した.試料の表面 を ダイ ヤモン ド・ペース トにより鏡面研摩仕上げを起い,酸化実験 の試料 とした.酸化実験試料は
Z,Oa粉末上に置 き,マ ッフ ル炉を用い
,900oC,1000oC,1100oC
,1200oCおよび
1300 oCの
5種類の温度で
,1hrお よび
10hrを大気中に保持 し 酸化させた.その後常温で
Ktc の測定お よび表面観察を行 った.
KJ
c の測定実験では
,Hvは加圧荷重
1kg,保持時間
30secで1 0点測定 し,そ の平均値 / \
を用いた.また
Fig.1に示す ように
Cは ビッカース庶子により試料面に発生した
4本のき / \
裂 の長 さの平均値であ り
,γiは圧 こんの対角線の半長である
.Cお よび
γJの測定は加圧荷 重
10kg,保持時間
20secでき裂を発生させ
30点の圧 こんの平均値か ら求めた.
Fig.2 Relarionshipbetweenoxidationtem・
peratureandfracturetoughness.
3.
実験結果お よび考察
Fig.2か ら
Fig.5は各温度 に
1時間および
10時間保持後,常温に て硬 さを測定す る方法 か ら求 め た
Ktcの値である.
Fig.2
は
EVANSの授案 した
Kzc‑0.16Hvri(a/rl)弓 の 式を使
用 して
,Kzcの値を求めた結果であ
る.
1時間保持の場合
SiC材では
10 00oCでやや上昇 し
,1100oC,1200o Cでやや下降 し
,1300oCでさ ら に
下降す る.また
Si3N4材では ほ ぼ
一定の値を示すが
1300oCに お い て
かな りの下降を示す.
SiC材と
Si3
Ǹ
材 とを比較 した場合
,1300oC で の
下降状況は
SiC材に比べて
Si3
N4 材の方がやや下降度が大 きい.
10
時間保持の場合,9
00oCの温度ではやや上昇す る ものの
1200oCまで各材料 とも一定 の値 を 示 す が,
1300oCの温度にお い て,急激な下 降の傾向を見る.
SiC材 とSi8
N4材 とを比較 した場合,Si
c‑A Type:材 お よび
SiC‑BType材の方が
Si3
N4 材に比べて急激な下降を示す (この
ことはあとに述べ るように,電子顕 微鏡観察か らも分か るように酸化被 膜上の硬 さを測定 してい るため と考
える).
Fig.3とFig.4
は貞広氏
5)の
Ktc‑βOP/C
官で 3
β0‑0.0726の式を使用 して
Ktcの値を求めた結果 で あ る.
Fig.3は
1時間酸化の場合であ り
,evansの式に代入 した値 よりやや低い程度である.またその傾向は
Sic‑A Type材,Si
C・BType材お よび
Si3
N4材 ともに同様 の傾向を示 した.
Fig.4は 10時間酸化 の 場合 で,やは り
evansの式に 代入 した値 よりやや低い値を示す.しか し温 度が上昇 しても下降度は小さ く,特 に1
300oCの時急激な下降を示 さな い. このことは
evansの式はHvとい う真の硬 さを代入 したもので, この裏の硬 さ
Hvは貞広氏の式には ない ことより, この其の硬 さ
Hvに 大 きく左右 されるも の と考 え られ る. この
evansの式 と貞広氏 との比較をして見たが,浮岡氏
6)は
SiCの試料を用いて,硬 さ測定で求める 方法 とUno
tchの破壊テス トか ら求3めた式
Ktc‑β。×P/C
す,β。‑0.1の 式か ら使用 して
Ktcの値を求め た 結果の
1例を
Fig.5に示す.「 斗 帥
1・tAケ‑1ト
ー‑千凸0 4 (仰・u JN M )。 bJ
ssu N D
nOIU ∝
2U謹」(l・uJN竜gssUNH9nO l u ∝
⊃トUVt lL
KIC:P。PIC2
P . =0 . 0726
D
O迩 Blq S
≒ ミ
還A B ‑ : 1 . i h :
皇≡篭≡ ≡ :≡テきく
0
Tl900 1 000 1 1 00 1 200 1 300 0XI DAr f ON TEMPERAT URE( o c)
Fig.3 Relationshipbetweenoxidationtem・
peratureandfracturetoughness.
K
I C =P P . . = P 0. / C3 0 i
726ゝ 丁ム ー ‑ \
̲: } 一一 も、 ÷
完 ここ 完 ;; b : N I . A B : ̲ . . . 0 : h :
9 0 0 1 000 1 1 00 1 2 00 1 300 0XI DA nON T EMPERA TURE( ● C)
Fig.4 Relationshipbetweenoxidationtem・
peratureandfracturetoughness.
# A O て三 三軒 \ ▲ ST C̲ A̲ . Oh
(Fu
〜tl)豊 SS山NH 9rn L u ∝⊃l¥臣 8 6 4 2 レ LL‑︻‖丘 l Iロ. 育 上 「 ‑ ー : 二 A D 二 1 ‑ I : : K こ I C ‑ : : . ニ . ー
.:
6二二二\
H:Il(qe;r:,:雪、1ロ、、 ヽ 、 、 、1 、 、 .ヽ
Ds;
,N ,. .h
、 ミ t A D 5 s 1 ㌔ C 凡 ‑
,A‑1
10h
0h900 1 000 1 1 0 0 1 200 1 300
C Ⅸl D A Tl ON TEMPERA TURE( o C)
Fig.5 Relationshipbetweenoxidationtem・
peratureandfracturetoughness.
52
長野工業高等専門学校紀要 ・第
17号
DlSTANCEFROMEDGE Q2mm0.4m,T.
Fig.6 Measurlngpointsoffrac‑
Fig.5
は1
0時間酸化の場合で,浮用氏の式 を代入 す ると全般的にかな り高い値を示す.温度の上昇 とと もにやは り同様の傾向を示すが,1
300oCでの
eVanSの式か ら求めた急激な下降は見 られない. このことか
ture tough nesTsafter the re・ ら
evansの式 と貞広氏の式 とはやや一致す る傾向があ movalofoxide丘1m・る.この浮田氏の
β。の値は同 じSi
C材でも,成作上
ポア‑の大 きさや密度あるいは粒度等が異なるために, 違 った値を示 したものと考え られ,浮田氏の β。の値を代入 した ために全般的に高い値を示
した ものと考え られ る.
そ こで酸化被膜がかな り影響 されるのではないか と判断 されるので,特に1
0時間酸化の場 合について,酸化表面を
10fLm研摩 し
,Fig.6に示す位置の場所,すなわち端から
012mm, 0.4mmおよび中心か ら2.5mmの3カ所 の位置のKLCを測定 し
, evansの式にその値を代入 して整理 した結果,Tabl
el および
Table2に示す結果を得た.Tabl
elとTable2を図に示す と
Fig.7か らFig.9のように示 され る.Fig.7はSiC‑A Type材を示 し,900oC, 1200oCお よび13∞oCの温 度 に お い て,
Kt
c の値は
3カ所 の位置に関係な くほ とん ど変化 しない.Fig.8ほ SiC・BType材を示 し,
KtdSiC)MNm一昔
Table1 Fracturetough nessofSi8N4aftertheremovalofoxide丘1m.
K
z
c(SiBN.)MNm一昔Table2 FracturetoughnessofSicaftertheremovalofoxide丘1m.
900oC, 1200oC
の温 度 に お い て
Ktc
の値はほ とん ど変化な く
, 3カ所 の位置においても差は見 られな か った. しか し
1300oCの温度では 先端部の0.
2mm付近においてKzcの値の低下を見る. このことは表面 か らかな り深い所 まで酸化被膜があ る もの と考 え られ る.Fi
g.9は Si3N4材を示 し
,900oCおよび
1200 oCの温度において
,grcの値は ほ
とんど変化な く
,1300oCに おい て
や や Kzcの値が高い. このこ とは 表面を 1 0 F m 研摩す ると
,Si3N.の 酸化被膜がほ とんで研摩 され,初め の酸化 させな い状態 での
Ktcの値 とほ とん ど同 じであることより,義 面の酸化は
Si3N4の場合少ないもの
と考え られる.
この表面の酸化の影響を調べ るた め走査型電子顕微鏡 より調査 した.
その結果
,pI10t0.1は 各温度 に お ける酸化の変化を示 した もので,そ の代表的な材料である密度の少ない
SiC・B Typeについて示 したものである.
900oCか ら
1300oCの各温度 に
10時間保持 させたときの写真であ る.
900oCの温度では多 くのポア‑
が観察 されるが,温度の上昇 ととも にポア‑がふ さが り減少 し,その後 温度の上昇で酸化 し初 め
,1300oCの温度ではかな り表面に酸化被膜が 観察 され た. また
SiC‑A Typeおよび
Si3N4の両材においても同様の 傾向を示 した.この ことより
1300oC
の温度に
10時間保持す るとかな り 酸化が急激におこり,酸化被膜が試 料全体に観察 された.
Pho
t 0.
2は
1300oCの温度におい て
, 1時間保持 と
10時保持を示 した
缶
・u JN
M)3 IM S
S3NH 9 rK )1 山 ∝
⊃‑1ー産山
A‑TYPE I Oh r Dl ST ANCE FROM EDGE
払d≡ 三 ≡≡三三 三 詞
.・22m:mmmJ o
t, 9 00 1 000 1 1 00 1 2 00 1 300 oxI D A TZ ON TEMPER
ATURE( ℃)
Fig.7 Relationbetween oxidation temperature and fracture toughnessatthe measuring pointsoffracturetoughnessafterthere・
movalofoxide丘1m.
(仙 ・u
N三)。 望 SS山 N
H9nO1山 ∝
⊃DvEB一 丁YPE I Ohr
DI ST ANE FROM EDGE
駈 ≡ ≡ ‑ ‑ 1 5 ‑ ‑ ≡ ≡≡
誉ヽ
二二三 !. 4 5:諾 ヽ 00 . 2 mm
90 0 1 000 1 1 00 1 200 1 3 00 oxI DA l : 1 0N TEMPE RATURE( ' C)
Fig.8 Relationbetween oxidation temperature andfracture toughnessatthe measuring pointsoffracturetoughnessafterthere・
movalofoxide丘1m.
642
(⁝ ・tD
NM
)3TMSSU
NLml山当
トUVdjSもN 1 1 0h r DI ST ANCE FR洲 EDGE
A ▲,,r ー
転 : 二 ・ ‑ I: . I ‑
̲二 :̲I/ Oa2mm
900 1 000 1 1 00 1 2 00 1 3 00 α1 DA TI ON TEMPRATURE( . C)
Fig.9 Relationbetween oxidation temperature andfracture toughnessatthe measurlng pointsoffracturetoughnessafterthere・
movalofoxide丘1m.
54 長野工兼高等専門学校紀要 ・節17
号
100ノ」m
(a)SiC・BType900oC IObr (b) SiC・BTypelOOOoC IObr
( C)
Sic‑ら Type1100C IObr (d) SiC・BType13000C 1ObrPhoto.1 Surfaceappearanceofsamplesoxidized
ものである.Phot
o.2(a)(C)(e)は1300oC 1時間保持の域令である.
SiC材ではポアーの減 少が視察 されるのに対 して,Phot
o.2(b) ( d) ( ∫ )は
1300oC10時間抹持の場合である.酸化被 膜が表面全体におおい,ある部分では破 くり面も槻黙 された.そ こで酸化被膜の表面に圧 こ んを押 した場合,Pho
to.3に示す ように13∞oCl時間保持の場介は明確に硬 さを示す四角 形状の圧 こんが観察 された. しか し
1300oC1 0時r l ' 1 L J 扶持のI i b 介は征 を示す四角形状の圧 こん はやや不明瞭であるが測定できないほどではない。 この場合,観察 したかぎ りでは酸化被膜 を押 しているものと
photo.3(叫 の写英か ら判断できる.
このことより
1300oC10時間で測定 された
KIC の低下お よび表面を
10pm研摩 した とき 先端部の
0.2mm付近での
Ktcの低下はその酸化被膜の硬 さを押 したために低下 したものと判断できると思われる.
ll.折pal .坑 渥 藤
■「+‑‑‑二相 .恵.一美云
+地 ∫ ▲.
I+● 1●
<S 規 整・訂i■
(a) Sic‑A Type1300oC lhr (C) Sic‑B Type1300oClhr
(b) Sic‑A Type1300oC IOhr (d) SiC・B Type1300oC IOhr (e) SidN41300oC lhr (f) Si8N413000C 1Ohr
Photo.2 Surfaceappearanceofsamplesoxidized
56
長 野工業 I L r 等
tfiflつ1'JL':投紀要 ・節17P , ・
Ll00人Jm!
(a) SiC・A Typelhr (I)) SiC・A TypelOhr Photo.3 Surfaceappearanceolsat‑
叩
lesoxidized4,結
論
以上の ことよ り,常 L fで・ 鵬
約 花形Lf・SiCお よび, 1 ‑ .ウトブ レスをほ どこした
Si3N.を大
気中で
1時間陳将 と1 0 日 、 f E ' l T ) 保持の) I , 5 合につい て
恨ILさせたとき ,常 弧で破壊 じん性値である
K/C と適所の酸化の皮介 との側述作について比峠,検討 した
t.'.rJl,つ ぎ の よ うな結論を得
た.
(1) SiCIA Type
材お よび
SiC‑B Type」 句とも
hr900oCか ら
1200oCまでの温度範囲にお け る
K/C の値は
1時間保持 と
10時間保持後 もほ とん ど変化な く,初めの値 と同様 の結果 を得た. しか し
1300oCの温度において, 1
時rE I u 保持の似合
,Klc の伯は さほ ど低下 して いない
.10時間保持の場合
,Klc の伯は急激に低下 している.
(2)SiaN 4
材においても同様 の結果 を得てい る.
(3)
この
K/C の値 の急激な低下は酸化被膜 の影響が大で あ り,特 に
1300oCの 温度に
10時 間保持 した場合,酸化被膜がかな り明確に観察 された.
(4)
表面を
10FLm研摩 した場合に おいて,特 に1 0時間保持の
SiC‑B Type材は
K/Cの個 の低下を見 ることより酸化の度合が大 きい.
5.
参 考 文 献
1)
米屋勝利,橋本八郎,セラミックス
,l
l,935‑42(1976).2) J.W.Edington,D.J.RowclifFeandJ.L Hensha
l l
,PowderMetal.Tnt.,7,82‑96,136‑47(1975).
3)
井関考着,森 政次,鈴木弘茂,窯業協会誌
,86,597‑605(1978).4) A.G.EVANS,J.Am.Ceram.SOC.,59,371(1976).
5)
貞贋孟史,粉体および粉末冶金
,28,8.286‑290(1981).6)