アナログプラットフォーム開発部 堀口 真志
Rev. 0.00
ルネサス エレクトロニクス株式会社
群馬大学客員教授 堀口真志
2010
年2011.11.25
システム集積回路工学論
第3回 降圧回路
1 降圧回路の種類
2 シリーズ型降圧回路 電流供給能力
ループ安定性(位相余裕)
PSRR
3 スイッチング降圧回路
4 スイッチトキャパシタ降圧回路 5 レイアウト上の注意
目次
オンチップ電源回路の基本構成(降圧)
基準電圧 発生回路
V EXT
V INT V REF
負荷
V BGR
電圧変換/
トリミング
降圧回路
(
内部回路)
外部電源
内部電源
降圧回路の種類
V INT
V EXT
V REF
V EXT C
1C
0 負荷
I L
充電負 荷
C
0V EXT C
1 負I L
荷放電
I L
I L
I P V EXT
I N
負荷
V INT
C L
I L
V EXT
V REF V INT
C C
R C I L
差動増幅器 出力段 位相補償
シリーズ降圧回路 (Series Regulator)
負 荷
2段アンプ構成
V G
-
電源除去比(PSRR < –20dB)-
電流供給能力-
負荷変動耐性(ΔV INT
/V INT
< 5%)-
ループ安定性(位相余裕 > 45°)-
低消費電力 Requirementsシリーズ降圧回路の特性
PSRR: Power Supply Rejection Ratio
DC
Transient AC
AC DC
Simulation
降圧回路の電流供給能力(PMOS出力)
V INT V EXT V REF
負
荷
I L
A
V REF V G
V EXT
I L
A
: voltage gain of differential amp.G m
: transconductance of P-ch driver– G m V G
=I L
V G
=A
(V INT
–V REF
)L m REF
INT
I
G V A
V 1
R OUT
V INT
–G m V G
等価回路
等価回路
G m
(V G –V INT
)降圧回路の電流供給能力(NMOS出力)
V INT V EXT V REF
負
荷
I L
A
V REF V G
V EXT
I L
A
: voltage gain of differential amp.G m
: transconductance of N-ch driverG m
(V G
–V INT
) =I L V G
=A
(V REF
–V INT
)
m LREF
INT
I
G V A
A V A
1 1
1
R OUT
V INT
-
R OUT
はPMOS出力と同等 - ループ安定性良好I L V INT
V REF
I Lmax
V EXT V GS max
V REF
V GS max
=V EXT
–V REF
+V THN
V INT I L
降圧回路の電流供給能力
m L
INT
OUT
I A G
R V
1
I L max
=G m
(V GS max
– |V THP
|)=
G m
(V EXT
–V REF
+V THN
– |V THP
|)≒
V REF − V THN
V REF
= 1.8V100 80
60 40
20 0.60
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V EXT
= 2.5V2.2V
1.9V
V INT V EXT
W = 2000 μm L = 0.5 μm
V REF
I
L≅ 0.3V
電流供給能力シミュレーション
I L
(mA)V
INT(V)
V REF
2R R
Voltage Divider 100
80 60
40 20
1.00 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
I L
(mA)V
INT(V)
V EXT
= 2.2 VV REF
/2 = 0.9 Vwith Voltage Divider
without
電流供給能力の改善(1)
V EXT
V INT
I L
Voltage Divider
電流供給能力の改善(2)
V EXT
V REF
V GS max
差動増幅器
出力段
V INT
EXT
GS V
V max
I L
出力のうち入力に帰還される割合 降圧回路の場合普通は
β
= 1 出力を分圧している場合はβ
< 1 安定性にとってはβ
= 1が最も厳しいa
入力 出力
ループ安定性
帰還アンプは発振する場合がある
発振する条件
(1) 閉ループの一周の位相シフトが360°(正帰還)
(2) 閉ループの一周の利得が1(0dB)以上 これらは周波数の関数
閉ループ
β
β
:伝達関数
アンプの周波数特性(1)
a
1v in v out
a
2a
3r
1C
1r
2C
2r
3C
3
3 2
1
0
1 1
1
P P
P in
out
ω s ω
s ω
s
a v
s v a
a
0=a
1a
2a
3: 低周波利得ω P
1=1/r
1C
1,ω P
2=1/r
2C
2,ω P
3=1/r
3C
3: 極 (pole)ω
Ga in | a ( s )|
0dB
0º
Pha se arg a ( s )
-90º -180º
a
0ω P
2ω P
1ω ω P
3–20dB/decade
–40dB/decade
ω P
: 主要極 (dominant pole)3dB
伝達関数
アンプの周波数特性(2)
3 2
1 0
1 1
1
1
P P
P
Z in
out
ω s ω
s ω
s
ω a s
v s v
a
a
0: 低周波利得ω P
1,ω P
2,ω P
3: 極 (pole)ω Z
: 零点 (zero)ω Z
= ωPi
ならば、"pole-zero cancellation"ω
Ga in | a ( s )|
0dB
0º
Pha se arg a ( s )
-90º -180º
a
0ω P
2ω P
1ω
ω P
3ω Z
開ループ伝達関数と閉ループ伝達関数
開ループ
a
(s
)v in v out
3 2
1
0
1 1
1
P P
P in
out
ω s ω
s ω
s
a v
s v a
閉ループ
a
(s
)V REF V INT
s V a ( s ) A
INT
ω
Ga in | a ( s )|
0dB
a
0ω P
2ω P
1ω P
3ω
Ga in | A ( s )|
0dB
ω
0ω
Ga in | a ( s )|
0dB
0º
Pha se arg a ( s )
-90º -180º
a
0ω P
2ω P
1ω
位相余裕
ω P
3位相余裕 利得余裕
–20dB/decade
–40dB/decade
利得余裕:
−(開ループ伝達関数の位相が
−180°になる周波数における利得)
位相余裕:
(開ループ伝達関数の利得が0dBにな る周波数における位相) + 180°
0º 15º 30º 45º 60º 75º 90º
なぜ位相余裕が必要か?
1.PVT (Process, Voltage, Temperature) 変動 2.閉ループ周波数応答のpeaking
位相余裕
閉ループ 利得 | A | (dB)
20
0
-20
-40
f
0.1
f
10f f
: 開ループ利得=0dBV REF
V INT
( )
REF INT
V s V
A =
理想
現実
I L
51mAV INT
V REF
1mA 1mA
V
EXT= 4.4 V V
REF= 3.0 V V
BB= –3 V 0.5-μm rule W = 3000 μm C
L= 650 pF
I
S(amp) = 1.35 mA
6 4 2 0
Volta ge (V)
0 50 100 150 200 250
V
REFI
LC
LV
EXTV
INT60 40 20 0
Cu rren t (mA )
Time (ns)
位相余裕が不十分だと‥‥
45º 60º
位相余裕確保のための方針
1. 段数を最小に(2~(3)段)
2.極
ω P 1
とω P 2
とを離す3.利得の適正化(不必要に大きくしない)
低周波利得 a
0(dB)
20 0 40 80 100
60
1 10 100 1000 10000
a
0~<
ω P
2 /ω P
1 位相余裕
INT
min
min
π f L Z V
LC f π
a ≪ , 2 ≫
2
0
1 V EXT
V REF
V INT
C C R C
I L
位相補償
位相余裕のシミュレーション方法 ( 開ループ )
負荷 注意事項
- 負荷を正しくつける(負荷容量、
電流により周波数特性変化) AC
電源
LPF
L C
-
ダミー
V EXT
V REF
V INT
C C R C
I L
位相余裕のシミュレーション方法 ( 閉ループ )
負荷 注意事項
- 負荷を正しくつける(負荷容量、
電流により周波数特性変化) AC
電源 - 位相余裕>45°では誤差大
2
maxarcsin 1 2
= A
位相余裕
閉ループ利得の ピークを観測
ω P
1 = 1/C g r
1,ω P
2 = 1/C L r
2Dominant pole方式位相補償
V REF
V
INTg m
1, r
1C g
g m
2, r
2ω
Gain0dB
0°
Phase
−90°
−180°
a
0ω P
1ω P
2ω C C C L
位相補償 負荷
L g
C
C
r r C
C a
2 1 0
2
位相余裕45°確保の条件
~数千-数万pF
補償なし
ω
P2' 補償ありω P
1 = 1/C g r
1,ω P
2 = 1/C L r
2Pole-zero方式位相補償
V REF
V INT g m
1, r
1C g
g m
2, r
2ω
Gain0dB Phase
a
0ω P
1ω P
2ω C C C L
位相補償 負荷
L g
L C
g C
C
r C r C C C a
r C R
C
2 1 0
1
2 R C
~数百-数千pF
補償なし
位相余裕45°確保の条件 0°
−90°
−180°
ω
P2'ω
Zω
P3補償あり
等価回路
Miller効果
–a
入力 出力
C
–a
入力 出力
(
a
+1)C
(1+1/a
)C
≒
C
注)Millerは人名
a
≫ 1位相余裕45°確保の条件
Miller方式位相補償
V REF
V INT g m
1, r
1C g
g m
2, r
2C C
C L
位相補償負荷
2 1
2
mm L
C
g
g C C
ω
Gain0dB Phase
a
0ω P
2ω P
1ω
~数十pF
PSRR(電源除去比)要注意
ω P
1 = 1/C g r
1,ω P
2 ~g m
2/C L
補償なし
0°
−90°
−180°
ω
P1' 補償ありV INT
+v int
V EXT
電源除去比(PSRR)のシミュレーション方法
負荷 注意事項
- 大振幅ノイズによる動作点の 変動は解析できない
AC電源
) dB ( log
20
= PSRR
ext int
v v
電源 回路
v ext
AC 成分 DC
成分
DC電源
Regulator for Active Mode
BGR, Trimming
Standby Regulator
CPU
Flash
マイコンへの適用例
位相余裕の実測
° 47 10 =
× 2 arcsin 1
2
2 20V EXT
= 5 VI L =
スイッチング降圧回路 (Switching Regulator)
I P V EXT
off chip
I
Ncomparator pulse
gen.
CLK
- 電力効率≧90%
V INT
- 外付け部品必要
L, C, diode, (power Tr.)
V REF
I D C
L I L
-
スイッチングノイズ要注意PWM
PWM: Pulse Width Modulation
N1
I P
I N
+I D
i
M1 on M2 on
T
1T
2 0Δi
0V EXT
スイッチング降圧回路の動作波形
I P V EXT
I N
I D
M1M2 N1
i
EXT INT
INT INT EXT
T V T
V T
T V Δ i L
V T V
Δ i L
2 1
1 2 1
V INT
先にオフ
先にオン
スイッチングノイズの低減
I P V EXT
I N
W P
1W P
2W N
1W N
2 pulsegen.
CLK
V INT
V
REFI D
I N I P
I D
I L
C
(大) (小)
L
(大) (小)
等価回路
スイッチトキャパシタ降圧回路(1)
V EXT
C
1C
0V EXT C
1- 電力効率>80%
- C外付け必要
C
0C
0- 電圧変換比=整数比
負 荷
V INT
(=V EXT
/2)負
荷
I L
充電V EXT C
1 負I L
荷放電
(
C 0
:C 1
によらない)V EXT C
1C
0 負 荷V
1C
0V EXT C
1 負荷
V INT
V INT
スイッチトキャパシタ降圧回路の動作
1.0
0 0.5
V INT ( × V
EXT)
V
1V
1C
0 :C
1 = 4 : 1電圧
1/3降圧
2/3降圧
スイッチトキャパシタ降圧回路(2)
C
0V EXT C
2C
0 負荷
I L
充電V EXT C
1I L
負荷 放電
C
0V EXT C
1C
0 負荷
I L V EXT C
1 負I L
荷 放電
C
2 充電C
2C
1C
2V INT
=V EXT
/3V INT
= 2V EXT
/3スイッチトキャパシタ降圧回路の出力抵抗
等価回路
V EXT
C
1C
0 負荷
V INT
(=V EXT
/2)V
0R OUT V INT
負 荷1
0
4
, 1
2 R fC
V V
EXT OUT
0 1
4
11
2 I C C
fC
V
INT V
EXT
L
f:
クロック周波数降圧回路方式比較
電力変換効率
シリーズ スイッチング スイッチトキャパシタ
電流 電流 電流
電圧
有効 電力
V INT
V EXT
損失
電圧 電圧
自己消費電力
0
V EXT
/2有効 電力
V EXT V EXT
V INT
0
V INT
0 変換
変換
I EXT I EXT I EXT
有効 電力
損失
降圧回路方式比較
シリーズ スイッチング スイッチトキャパシタ 電圧
変換比
外付け 部品数 端子数
増加 電力変換 >90%
効率
任意 整数比
任意
V EXT
≒V INT
は困難>80%
n
2n
−10~1 ≧2
0~1 3~5
EXT INT
V
<
V
過渡応答 <10ns >
T C
/2 >T C
/2レイアウト上の注意‥‥ノイズ
電源分離
基準電圧 発生回路
電圧変換
/
トリミングV EXT 1
V REF
負荷
V BGR
V EXT 2
V SS 1 V SS 2
シールド線
V INT
降圧回路
レイアウト上の注意‥‥ノイズ
シールド線の断面図
Isolation substrate
3rd metal 2nd metal 1st metal
V REF
問題
出力トランジスタがNMOSであるシリーズ降圧回路 では、位相補償の方式としてとしてMiller方式を 用いることができない。その理由を述べよ。
V INT V EXT V REF
負
荷