400V, 150A, VCE(sat);4.2V, Single ECH8

N-Channel IGBT

400V, 150A, VCE(sat);4.2V, Single ECH8

TIG065E8

最大定格を超えるストレスは、デバイスにダメージを与える危険性があります。最大定格は、ストレス印加に対してのみであり、推奨動作条件を超えての機能的動作に 関して意図するものではありません。推奨動作条件を超えてのストレス印加は、デバイスの信頼性に影響を与える危険性があります。

特長

  ・  低飽和電圧    ・  2.5V 駆動

  ・  エンハンスメントタイプ  ・  ゲート・エミッタ間保護ダイオード内蔵

  ・  実装高 0.9mm、実装面積 8.12mm²  ・  dv / dt 保証 *   ・  ハロゲンフリー対応

絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

項目 記号 条件 定格値 unit

コレクタ・エミッタ電圧 VCES 400 V

ゲート・エミッタ電圧 (DC) VGES ±4 V

ゲート・エミッタ電圧 ( パルス ) VGES PW ≦ 1ms ±5 V

コレクタ電流 ( パルス ) ICP VGE=2.5V, CM=100μF 150 A

最大コレクタ・エミッタ dv / dt dv / dt VCE ≦ 320V, starting Tch=25℃ 400 V / μs

チャネル温度 Tch 150 ℃

保存周囲温度 Tstg − 40 〜＋ 150 ℃

*：ターン・オフ時のコレクタ電圧の傾き dv / dt は、図 1 の回路において、全数スクリーニング実施。

外形図 unit : mm (typ) 7011A-004

製品と外形に伴う情報

・パッケージ名  ：ECH8

・JEITA, JEDEC  ：-

・最小梱包単位  ：3000 pcs./reel

パッキングタイプ：TL  マーキング

電気的接続図

1 : Emitter

2 : Emitter 3 : Emitter 4 : Gate 5 : Collector 6 : Collector 7 : Collector 8 : Collector ECH8

1 4

8 5

0.15

0 to 0.02

0.250.25

2.8 2.3

0.65 2.9

0.3

0.90.07

Top View

Bottom View

8 7 6 5

1 2 3 4

ZE

LOT No.

TL

TIG065E8-TL-H

http://onsemi.jp

Semiconductor Components Industries, LLC, 2013 October, 2013

電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃

項目 記号 条件 定格値

min typ max unit

コレクタ・エミッタ降伏電圧 V(BR)CES IC=2mA, VGE=0V 400 V

コレクタ・エミッタしゃ断電流 ICES VCE=320V, VGE=0V 10

μA

ゲート・エミッタもれ電流 IGES VGE= ± 4V, VCE=0V ±10

μA

ゲート・エミッタしきい値電圧 VGE(off) VCE=10V, IC=1mA 0.4 0.9 V

コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) IC=100A, VGE=2.5V 4.2 7 V

入力容量 Cies

VCE=10V, f=1MHz

3100 pF

出力容量 Coes 30 pF

帰還容量 Cres 23 pF

図 1 大電流 R 負荷スイッチング回路図

注 1、ターン・オフ時の保護のため、OFF 時のコレクタ電圧の傾き dv / dt は、dv / dt ≦ 400V / μs となるような      ゲートシリーズ抵抗 RG の設定をお願い致します。

Ordering Information

Device パッケージ名 最小梱包単位 memo

TIG065E8-TL-H ECH8 3,000pcs./reel Pb-Free and Halogen Free

100kΩ

CM RL

RG

VCC +

TIG065E8 VGE

IT16024

IC  --  VCE

コレクタ・エミッタ電圧,  VCE  --  V コレクタ電流,  I C   --  A

0 0 25 75

50 150

100 125

IT16025

IC  --  VGE

ゲート・エミッタ電圧,  VGE  --  V コレクタ電流,  I C   --  A

0 0

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

25 125

75

50 150

100

0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

V GE

=4.0V ^{3.0V 2.5V}

V

1.8V

25°^C 75°C Tc= -

-25

°C

Tc=25

C

IT16029

ケース温度,  Tc

--  

C コレクタ・エミッタ飽和電圧,  V CE (sat)    --  V

0 25 50 75 100 125 150

--25 --50 5 9 8 7 6 10

4 3

0 1 2

VCE(sat)  --  Tc

VGE=3V, IC=150A

コレクタ・エミッタ電圧,  V CE   - -  V

4 3

0 1 2

IT16026 0 0.5 1.0

VCE  --  VGE

ゲート・エミッタ電圧,  VGE  --  V

10

5 9

7 6 8

2.0

1.5 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

130A 100A

Tc= --25

C

IC=150A

ケース温度,  Tc

--  

C

ゲート・エミッタしゃ断電圧,  V GE (off)  - -  V

0 25 50 75 100 125 150

--25 --50 1.0

0.6 0.5 0.9 0.8 0.7

0.4 0.3 0.2 0.1 0

VGE(off)  --  Tc

コレクタ・エミッタ電圧,  VCE  --  V Cies,  Coes,  Cres    --  pF

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20

100

10 7 5 10000

1000 7 5 3 2

3 2 7 5 3 2

Cies,  Coes,  Cres  --  VCE

IT16031

Cies

Coes Cres

f=1MHz コレクタ・エミッタ電圧,  V CE   - -  V

4 3

0 1 2

IT16028 0 0.5 1.0

VCE  --  VGE

ゲート・エミッタ電圧,  VGE  --  V

10

5 9

7 6 8

2.0

1.5 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

130A 100A

Tc=75

C

IC=150A

コレクタ・エミッタ電圧,  V CE   - -  V

4 3

0 1 2

IT16027 0 0.5 1.0

VCE  --  VGE

ゲート・エミッタ電圧,  VGE  --  V

10

5 9

7 6 8

2.0

1.5 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

130A 100A

Tc=25

C

IC=150A

2 3 5 7 100 2 3 5 7 1000

10

コレクタ電流 (パルス),  ICP  --  A

SW Time  --  ICP

スイッチングタイム,  SW Time  - -  ns

IT16032 3

2

7 5 7 5

3 2 1000 10000

100

3 2

7 5 7 5

3 2 1000 10000

100

tr td(off)

td(on)

測定回路 図1   V

=2.5V   V

=320V   R

=140Ω   CM=100

  PW=50μs  

0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

SW Time  --  RG

スイッチングタイム,  SW Time  - -  ns

IT16033

t r _td(off) td(on)

tf

ゲートシリーズ抵抗,  RG  --  

V

=10V I

=1mA

測定回路 図1

  V

=2.5V

  V

=320V

  ICP=150A

  CM=100

  PW=50μs  

dv / dt  --  RG

ゲートシリーズ抵抗,  RG  --  

ターンオフdv / dt  - -  V / 

s

200 250 300 350

100 150

50 0 0 100 200 300 500

400

600

測定回路 図1

  V

=2.5V   V

=320V   I

=150A 

ICP  --  VGE

ゲート・エミッタ電圧,  VGE  --  V

コレクタ電流(パルス),  I CP   - -  A

1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 1.0

0.5 0 0 20 40 60 80 100 120 140 180 160

V

=320V CM=100

Tc=25

C

Tc=70

C

コレクタ電流(パルス),  ICP  --  A

メインコンデンサ容量,  C M   - -  

F

CM  --  ICP

20 40 60 80 100 120 140

0 160

50

0 100 150 200 250

300

VCE=320V

VGE=2.5V

Tc=25

C Tc=70

C

コレクタ電流(パルス),  ICP  --  A

メインコンデンサ容量,  C M   - -  

F

CM  --  ICP

20 40 60 80 100 120 140

0 160

50 0 100 150 200 300 350

250 400 450

500

VCE=320V

VGE=3V

Tc=25

C Tc=70

C

dv / dt  --  Turn off IC

ターンオフ・コレクタ電流,  Turn off IC  --  A

ターンオフdv / dt , dv / dt  - -  V / 

s

20 40 60 80 100 120 140

0 160

0 100 200 300 400

500

Tc=25

C

VCE≦320V

dv/dt の定義について

  dv/dt の定義は、ターンオフ区間の下記に定める VCE の傾きの中で最大のものとしています。

  dv/dt=ΔVCE/

Δt=Δ

  全体波形  ターンオフ区間拡大

スイッチングタイムの定義

V,I VCE

IC

ICP

Turn off IC

t ターンオフ区間

Δt=100ns IC

VCE

ΔVCE

IT15323 Turn off VCE

VGE

VCE

IC

VGE:10%

VCE:90%

VGE:90%

VCE:10%

VCE:10%

td(on) tr td(off)

tf IC:90%

IC:10%

IT15324 t

t

t

エンボステーピングの情報   TIG065E8-TL-H

Outline Drawing Land Pattern Example

Mass (g) Unit

* For reference0.02 mm

Unit: mm

0.4

0.6

2.8

0.65

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(参考訳)