GEMを用いた検出器の開発
千葉研究室
修士
2年
杉山史憲
発表の流れ
・研究目的
・
GEMを用いた中性子画像検出器の原理
・基本特性
・ビームテスト
・今後の実験
研究目的
1.中性子検出の必要性
2.中性子捕獲
中性子で見た構造 X線で見た構造 たんぱく質 (ミオグロビン)の構造 ●窒素 ●炭素 ○酸素 ●水素
中性子検出の必要性
・中性子の特徴
-スピンが1/2 -電荷がゼロ構造解析
・中性子の波動性を用いた構造解析
-TOF法を用いる弾性散乱の実験中性子検出の必要性
位置情報に加えて時間情報も必要
位置と時間に対し高い分解能を持つ
検出器が求められている
中性子捕獲
7 4 10 1 3 2 5 0 7 4 3 2 6 1 3 4 3 0 1 2 3 1 3 1 2 0 1 12.792
2.310
4.78
0.765
Li
MeV
B
n
Li
MeV
Li
n
H
MeV
He
n
H
p
MeV
α
α
α
∗⎧
+
+
+
→ ⎨
+
+
⎩
+
→
+
+
+
→
+
+
3He カウンター
3840b 940b 5330b~
3He カウンター~
・特徴
-高価な3Heガスを使用 -封じきり -検出効率 50%~100% -γ線に対して低感度・問題点
-高価であり、材料に制約がある -位置分解能は良くない 5mm~1cm程度 -高いレートに耐えられない現在の中性子検出器
GEMを用いた
中性子画像検出器の原理
1.GEMの原理
2.GEMを用いた中性子検出の原理
3.チェンバー内構造
GEMの原理
・
GEM(Gas Electron Multiplier)とは?
-粒子の位置や時間を測定する検出器 -右の写真が実際に実験で 使用しているGEMフォイル -このGEMフォイルをガスを 充填させたチェンバー内に 組み込んで実験する 10cm 10cm
・原理
-GEMフォイルの上側と下側に 異なる電位をかけることで、電場を 発生させるGEMの原理
14 0 μm 50 μm 5 μm 5 μm Cu Polyimide・原理
-GEMフォイルの上側と下側に 異なる電位をかけることで、電場を 発生させる -チェンバー内に入ってきた粒子と ガス分子が衝突してイオン化 -電場に沿って電子が移動し 穴の部分でガス増幅GEMの原理
GEMを用いた中性子検出器の
原理
・
GEMに
10Bを蒸着させる
7 4 10 1 3 2 5 0 7 4 3 22.792
2.310
Li
MeV
B
n
Li
MeV
α
α
∗⎧
+
+
+
→ ⎨
+
+
⎩
94% 6% 7 7 3Li
3Li
0.48
MeV
( )
γ
∗→
+
4He or
7Li
熱中性子 10B Polyimide 4He or
7Li
GEMを用いた中性子検出器の
原理
・
GEMに
10Bを蒸着させる
-中性子と10Bが反応してα粒子を生成 -α粒子とチェンバー内のガス分子が衝突して電子を生成 -電子が電場に沿って ドリフト -電子が読み出し基盤で 読み出される 熱中性子 4He or
7Li
10B Polyimide 4He or
7Li
チェンバー内構造
電子変換部 電子増幅部利点
GEM1-B GEM2-B GEM3-Cu Ar-CO2 gas 2 mm 1 mm 1 mm 1 mm 読み出し基盤 n α (実際は8枚) ・高価な3Heガスが いらない ・高い位置分解能、 時間分解能が得られる ・γ線に対して低感度 セットアップ例 ED =1.5kV/cm ΔVGEM =233V(B-GEM) ET =1.5kV/cm(B-GEM間) ΔVGEM =520V(100μGEM) EI =6.5kV/cm セットアップ例 ED =1.5kV/cm ΔVGEM =233V(B-GEM) ET =1.5kV/cm(B-GEM間) ΔVGEM =520V(100μGEM) EI =6.5kV/cm基本特性
1.中性子検出
2.γ線に対する感度チェック
3. 二次元画像
Test chamber
Water
減速材
1MeV
10meV Energy (eV)
252Cf (<En>=2.14MeV)
Test chamber
Water
減速材
1Me V
10meV Energy (eV)
252Cf (<En>=2.14MeV)
中性子検出
0 200 400 600 800 1000 0 2 4 6 8 10 Water depth(cm) C ount in g ra te in 100s ec Pad Foil中性子検出
・
GEMに蒸着させる
10Bの厚みを変化させて計測
0 5000 10000 15000 20000 25000 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 Thickness of Boron in one GEM(μm)T he num ber o f th e co unts 1.2μm 2.1μm 2.4μm 上側 下側 上側:1.2μm 下側:1.2μm 上側:1.2μm 下側:0.9μm 上側:0.6μm 下側:0.6μm
中性子検出
・
10Bを蒸着させたGEMの枚数を変えて測定
0 10000 20000 30000 40000 50000 60000 70000 80000 90000 100000 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9The number of the Boron-GEM
T he nu m b er o f the co unt s F 10B : 0.6μm+0.6μm
γ線に対する感度チェック
Neutron (2.2Å) 200mV/div 100nsec 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 The value of ADCT he num ber o f the co unt s o f C o 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 T he num ber o f th e co unt s o f neut ro n Co-60 Neutron 中性子のデータ収集の閾値 γ線のデータ収集の閾値
二次元画像
X-Y ストリップ 1.6mm 間隔 ストリップの数 52×52 有感エリア 83.2mmx83.2mm 83.2mm 83.2mm二次元画像
・
0.8mm読み出し
ピッチでの画像
1 6 11 16 21 26 31 36 41 46 51 56 61 66 71 76S1 S5 S9 S13 S17 S21 S25 S29 S33 S37 S41 S45 S49 S53 S57 S61 S65 S69 S73 S77 9-12 6-9 3-6 0-3ビームテスト
1.MUSASI(原研JRR3ガイドホール)
-協力 原研 鈴木、奥2.NOP(原研JRR3ガイドホール)
-協力 原研 鈴木、奥、篠原3.MINE(原研JRR3ガイドホール)
-協力 京大 日野、林田4.KENS(KEK)
-協力 KEK 佐藤、猪野、鹿内、神山ビームテスト
1.MUSASI(原研JRR3ガイドホール)
-協力 原研 鈴木、奥2.NOP(原研JRR3ガイドホール)
-協力 原研 鈴木、奥、篠原3.MINE(原研JRR3ガイドホール)
-協力 京大 日野、林田4.KENS(KEK)
-協力 KEK 佐藤、猪野、鹿内、神山MUSASI
・
MUSASIのビーム形状
1 6 11 16 21 26 31 36 41 46 51 S1 S7 S13 S19 S25 S31 S37 S43 S49 160-180 140-160 120-140 100-120 80-100 60-80 40-60 20-40 0-20 1 4 7 10 13 16 19 22 25 28 31 34 37 40 43 46 49 S152 S4 S7 S10 S13 S16 S19 S22 S25 S28 S31 S34 S37 S40 S43 S46 S49 S52 150-200 100-150 50-100 0-50・位置分解能
MUSASI
1 7 13 19 25 31 37 43 49 S1 S16 S31 S46 1 10 100 1000 10000 100000 1D Liner scale Strip pitch : 1.6mm 2D Log scalewith 0.5mmφ pin hole
0 2000 4000 6000 8000 10000 12000 1 4 7 10 13 16 19 22 25 28 31 34 37 40 43 46 49 Strip Number N um be r o f N eu tr on s 1.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1 11 21 31 41 51
MUSASI
・検出器の歪み
XY direction 16mm pitch 1 4 7 10 13 16 19 22 25 28 31 34 37 40 43 46 49 S152 S4 S7 S10 S13 S16 S19 S22 S25 S28 S31 S34 S37 S40 S43 S46 S49 S52MINE
・時間分解能のテスト
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 0 50 100 150 200 Time (20nsec/bin)Normalized Hit Counts
50μm GEM 一枚 (ボロン厚 1.2μm + 0.9μm) PNSE:0.670±0.014 freq.:1.7060±0.0006μsec PNSE:0.650±0.007 freq.:1.6700±0.0004μsec B-GEM chamber Li scintillater + PMT (R3292) black red
今後の実験
1.中性子検出器としての改良
中性子検出器としての改良
・
2.4μmの
10Bを蒸着させたGEMの利用
-1.2μm(0.6μm+0.6μm)→2.4μm(1.2μm+1.2μm)
・大型化
GEMの硬X線検出器への応用
・原理
-検出の原理は基本的には中性子検出等と同じ -反応断面積を稼ぐために重金属である金をコート・問題点と対策
-電子のガス中でのエネルギー損失が小さい →通常のGEMを3枚セットして増幅させる -要求される位置分解能が高い →さらに細かいピッチの読み出しを使用・セットアップ
GEMの硬X線検出器への応用
10枚 Cu-GEM 増幅部 Au-GEM 変換部GEMの硬X線検出器への応用
・大型化
-10cm×10cm→23cm×23cm・読み出し基盤の改良
-読み出しピッチ0.8mm→0.4mm・新しいタイプの
GEMの開発
-100μm厚GEM -25μm厚GEMTOF法による弾性散乱実験
・
中性子の波動性(回折)を利用した構造研究
飛行距離 検出器 試 料 中性子源 弾性散乱 飛行時間(波長に相当) (試料による散乱) 波数 2θBackground Direct Beam HPS 500nm HPS 200nm
NOP
・小角散乱法のテスト
sample:SiO2MUSASI
・一様性
1.00
0.98
1.03
1.02 0.99
0.97
0.99
0.98
1.02 0.98
0.98
0.99
1.00
1.00 0.98
0.97
1.01
1.00
1.01 0.98
1.00
1.05
1.03
1.02 0.98
MUSASI&NOP
・まとめ
-歪みがない -一様な検出効率を持つ -良い画像検出器 -小角の中性子散乱でも良い結果が得られた -水素の問題があるKENS
・読み出しシステム
Belle-CDC Pre-amp. Belle-CDC Pre-amp. ×7 RPN220×7 30 m 5 m RPN220 Dscr. T0 timing Fanin-Fanout Gate Gen. Coincidence 4ms delay Width 40ms CCNET GATE BUSY Gate Gen. GATE 120μs delay VETO Gate Gen. ADC 2249A×9 GATE Scaler CAMAC Trg. Gate Gated trg. CLK Gen. (1MHz) 1μs ResetKENS
・粉末ダイアモンドの波長スペクトラム
flight time (wave length) msec
3He は既存のシステムより導出 粉末結晶のシミュレーション 2θ=70deg. θ λ = 2d sin Cdのスリットを置いて測定
KENS
θ λ = 2d sin
MINE&KENS
・まとめ
-画像検出器として有用
今使っている検出器
RPMT
5インチ
HAMAMATSU
シンチレータ
ZnS+
6LiF(Ag)
検出効率の一様性(
RPMT)
位置補正前 位置補正後 一様性