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Belle II Aerogel RICH ݕग़ثͷݐઃͱӡస

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Belle II Aerogel RICH ݕग़ثͷݐઃͱӡస

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(2)

(a) (b)

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Photo- detector

図1: (a) ARICHの原理。点線の矢印は荷電粒子。屈折 率が異なる2層のエアロゲルを輻射体に用いることによ り,光検出器上でチェレンコフ光のイメージが重なるよ うになっている。(b) ARICH検出器。

Npe を大きくすればよく,例えば,より透明で厚いエア ロゲルを用いればよい。しかし,エアロゲルを厚くすれ ば Npe を大きくできるが,チェレンコフ光が厚み方向 のどの位置で発生したかという不定性が増えてしまい,

∆θCが大きくなって性能悪化の方向に働く。この矛盾を 解決するため,ARICHでは図 1(a)のように,屈折率 の異なる2種類のエアロゲルを用いることにした。これ により光検出器上でチェレンコフ光のイメージが重なる ようになっており,エアロゲルを厚くしても∆θCを悪 化させずに Npe を増加させるようになっている。最終 的に,ARICHでは,屈折率がn= 1.045とn= 1.055 で,それぞれ厚さ2 cmのエアロゲルを用いることした。

図1(b) にARICHの全体図を示す。ARICHは内径 425 mm外径1140 mmのドーナツ型のような形をして おり,Belle IIの前方に位置する。衝突点に近い上流側

(図の左側)にエアロゲルが,下流側に3節で説明する光 検出器HAPDがあり,側面には光検出器のacceptance 外に出て行くチェレンコフ光を反射させるための鏡が設 置されている。エアロゲルは一辺18 cm の正方形のも のを扇型状にウォータージェットで切断したものを248 枚2,光検出器HAPDは7つの同心円状420個が設置 される。ARICHの Belle II検出器内での配置を示すと 図 2のようになる。

3 光検出器 HAPD

ARICHで用いる光検出器は,1光子が検出器可能で,

Belle II内の 1.5 T の磁場中で動作可能でなければな らない。また,前述の構成を仮定すれば,5 mm ほど の位置の解像度が必要となる。これらの条件を満たす検

2前述の通り,屈折率が異なる2枚が対になっているので,エアロ ゲル面で見ると124個に分割されている

図 2: Belle II検出器内のARICH検出器。内側に見え る3つのディスク状のものが,衝突点(図の右側)から,

ARICHのエアロゲル輻射体,光検出器HAPD,前方 エンドキャップカロリーメータ。cRey.Hori 。

出器として,144チャネルの角型のHybrid Avalanche Photo Detector (HAPD) [5]を浜松ホトニクスと共同で 開発した。

図3にHAPDの写真と構造を示す。入射した光は光 電面で変換されてできた光電子が,印可された8 kV 程度の高電圧(以下,HV)で加速され,管内に設置され た4台のAvalanche PhotoDiode (APD)に打ち込まれ る。4台のAPDには,それぞれ独立に350 Vの逆バイ アス電圧(以下,バイアス電圧)が印可され,光電子の 打ち込みで生成された1800程度の電荷がさらに雪崩増 幅を起こす。この打ち込みによる増幅と,APD内のア バランシェ増幅の2段階の増幅機構で,合計70000程度 のゲインが得られる。表 1に HAPDの仕様を載せる。

なお,Belle IIは Belleに比べて大きな放射線の影響が 予想されており,実験期間とされる10年間に1 MeV換 算で 1012 cm2 の中性子を浴びると予想される3ため,

APDの構造の改良などにより要求される耐放射線性を 備えたHAPDを開発した。

(a) (b)

図3: (a) 144チャネル角型HAPD。(b) HAPDの原理。

HAPDは,光電子の打ち込みによる増幅という機構 からゲイン揺らぎが少ないという利点がある一方,ゲ イン自体は光電子増倍管よりも低いため,低ノイズ高 ゲインの読み出しエレクトロニクスが必要になる。後述

3このためMPPC (SiPM)は光検出器として採用できなかった。

(3)

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(6)

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(7)

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photons / track

DATA (exp 7) MC

ਤ 12: Phase 3ͰͷνΣϨϯίϑ֯෼෍ɻॎ࣠͸arbi- traryɻ

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ҰาΛ౿Έͩͨ͠ͱ͜ΖͰ͋ΔɻࠓޙɼΑΓߴ͍όοΫ άϥ΢ϯυͱߴ͍ϧϛϊγςΟͷ΋ͱͰɼτϦΨʔϨʔ τ΍σʔλͷόϯυ෯͕૿͑ͨঢ়گͰ΋ɼ҆ఆͯ͠ಈ࡞

ͤ͞ΔΑ͏ʹɼ౒ྗ͍ͨ͠ɻ

ࢀߟจݙ

[1] Z. Doleˇzal et al., ”Belle II Technical Design Re- port”, arXiv:1011.0352.

[2] A. Abashianet al.(Belle Collaboration), Nucl. In- strum. Meth. A479, 117 (2002).

[3] T. Iijimaet al., Nucl. Instrum. Meth. A548, 383 (2005); S. Nishidaet al., Nucl. Instrum. Meth. A 766, 28 (2014); S. Iwata et al., PTEP3, 033H01 (2016).

[4] T. Iijimaet al., Nucl. Instrum. Meth. A453, 321 (2000).

[5] S. Nishidaet al., Nucl. Instrum. Meth. A610, 65 (2009).

[6] S. Nishidaet al., Nucl. Instrum. Meth. A623, 504 (2010).

図 3 に HAPD の写真と構造を示す。入射した光は光 電面で変換されてできた光電子が,印可された − 8 kV 程度の高電圧(以下, HV)で加速され,管内に設置され た 4 台の Avalanche PhotoDiode (APD) に打ち込まれ る。4 台の APD には,それぞれ独立に 350 V の逆バイ アス電圧(以下,バイアス電圧)が印可され,光電子の 打ち込みで生成された 1800 程度の電荷がさらに雪崩増 幅を起こす。この打ち込みによる増幅と,APD 内のア バランシェ増幅の 2 段階の

参照

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