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電子情報工学科(木内研究室)

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Academic year: 2021

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電子情報工学科(木内研究室)

1.はじめに

近年,バルク高温超伝導体の研究開発の進展は著 しく,既に 77 K において Y 系バルク体で 1.5 T,Sm 系では 2 T を越える捕捉磁束密度が得られている.

また,30 K 付近で捕捉磁束密度が 17 T の材料も開 発されており,この値は永久磁石のそれをはるかに 超越している.また,バルク超伝導体の着磁におい ては,捕捉磁場特性に対して材料内部における臨界 電流密度の不均一性だけではなく,磁場侵入時にお けるジュール発熱など,ほかの様々な影響を受ける ため,その着磁過程は非常に複雑であり超伝導体内 部の電磁現象の全容を実験のみで検討するのは難し い[1].そこで,MgB2バルク超伝導体の簡単なモデル を作成し,JMAG というソフトウェアを使ってシミュ レーションすることで,捕捉磁場の評価を行った.

2.解析方法

シミュレーションには有限要素法に基づく解析 を行う JSOL 社製 JMAG を使用した.磁場中冷却時の 補足磁場を計算するにあたり,温度を変化させるの は困難である.そのため,本研究では等温下におい て中心到達磁場の 2 倍よりも十分大きい磁場をかけ たのちにゼロ磁場にする方法を用いた.印加磁場の ためのソレノイドコイルは内半径 70 mm,外半径 100mm,長さ 100 mm のブロックモデルとする.直径 10-100 mm,厚さ 10 mm の円盤状超伝導体をソレノイ ドコイル内に置き,ソレノイドコイルに振幅 400 A の正弦波状電流を半周期印加する.ソレノイドコイ ルの中心磁場の最大値は 8.7 T となる.超伝導体と しては MgB2を考えた.JMAG の設定では, モデ ルを使用し,臨界電流密度の磁場依存性( 性)は 20 K における 1 mm 角の MgB2超伝導バルクの 小片試料での実験値を与えた.

3.結果及び考察

Figure 1 に直径 60 mm の MgB2バルク超伝導体の表 面中心の位置から径方向の磁場特性を示す.この際 に,バルク表面直上 0.5 mm の値を用い,最大 2.4 T

の磁束密度の着磁が確認できた.

直径 10-100 mm,厚さ 10 mm のバルク体表面中心 において測定した捕捉磁場の径依存性を Figure 2 に示す.バルク径の増大とともに捕捉磁場は向上す る傾向を示した.これはバルク径が大きくなること により,電流周回体積が増大し,捕捉磁場が上昇し たことを示す。また,バルク径がより大きな試料に おいて,捕捉磁場の増加率は緩和する傾向がみられ た.

0 10 20 30

0 1 2

Radius [mm]

Trapped field [T]

Figure 1: Trapped field distribution for Superconducting bulk of diameter d=60 mm

0 50 100

1.5 2 2.5

Diameter [mm]

Maximum trapped field [T]

Figure 2: Diameter dependence of Maximum trapped field 4.結論

有限要素法を用いた MgB2バルク超伝導体の捕捉 磁場特性を評価した.捕捉磁場はバルク体表面中心 で最大となることがわかった.バルク径の増大とと もに捕捉磁場も増えることを確認した.

参考文献

[1] 山本明保ほか,第 87 回 2013 年度春季低温工 学・超電導学会, 3C-a08, (2013), p 182.

学生番号 10232093 氏 名 蘭 鵬 論文題目 有限要素法を用いた

MgB

2バルク超伝導体の着磁の評価

A-4

Figure 1: Trapped field distribution for  Superconducting bulk of diameter d=60 mm

参照

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