ボード内光配線実装技術と課題

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ボード内光配線実装技術と課題

裏

升吾

†a)

_金高

_健二

††

_井上

_純一

†

Technical Issues for Optical Interconnect Circuit Board

Shogo URA

†a)

, Kenji KINTAKA

††

, and Junichi INOUE

†

あらましボード内光配線における実装技術の重要性について触れ，具体的課題として垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL) の表面実装及び波長選択光変調を取り上げている．VCSEL の表面実装では，外部共振器ミラーを光配線基板に集積してレーザ発振を制御することを目指して，その実現のための具体構造として導波モード共鳴(GMR) 素子のポテンシャルを紹介している．すなわち，発振波長を GMR 波長にロック，安定化させると同時に，VCSEL の実装許容誤差を桁違いに拡大する手法を探求している．波長選択光変調は，より短距離高密度光配線用として期待され，そのためにはチューニング型でないインライン構成が重要であると指摘している．その実現のためにグレーティングカプラ(GC) と共振器集積 GMR ミラーの組合せについて紹介している．GMR ミラーは構造によっては反射型ノッチフィルタとなることが示され，on/oﬀ 制御の原理について説明している．キーワード光インタコネクト，光導波路，モード結合，グレーティングカプラ，導波モード共鳴

1. まえがき

信号伝送量が爆発的に増加している情報化社会を支えるインフラとして光配線の普及が進んでいる．社内や家庭内などのネットワークのみならず，ハイパフォーマンスコンピューティングやハイエンドルータなどの装置内にも導入されている．電気配線から光配線への置換え領域は，基本的に帯域・距離積で決まり，伝送帯域が増加するにつれて短距離応用が導入対象となる[1]．この潮流に従えば，現在，装置内ボード間まで導入されている光配線は，いずれボード内やパッケージ内へ導入されると予測されている[2]．しかしながら，ボード内光配線の実現には大きな技術ハードルが存在する．現在実用化されているラック間，ボード間の光配線は，アクティブ光ケーブルのコネクタ接続（配線径∼ 100μm）をベースとしたもので，光ファイバ通信技術の延長で実現されている．一方，パッケージやプリ †_{京都工芸繊維大学電気電子工学系，京都市}

Faculty of Electrical Engineering and Electronics, Kyoto In-stitute of Technology, Matsugasaki, Sakyo-ku, Kyoto-shi, 606–8585 Japan

††_{国立研究開発法人産業技術総合研究所無機機能材料研究部門，池田}

市

National Institute of Advanced Industrial Science and Tech-nology, 1–8–31 Midorigaoka, Ikeda-shi, 563–8577 Japan a) E-mail: [email protected] ント配線板に相当するボード内光配線（配線ピッチ∼ 10μm）にはボード上に光導波路を集積した光配線回路がベースとなるが，光配線への光結合方式の開発が大きな課題である．技術の普及は価格で決まる．価格には，材料，プロセス，検査を含めた製造コストに加えて，消費電力（発熱対策を含む），信頼性（寿命），占有容積を含めたランニングコストを総合的に計上しなければならない．したがって，光配線回路の開発においては，「信頼性」，「消費電力」，「実装密度」がキーワードとなる．前述のように，光配線化には帯域・距離積が重要な指標となり，1011bps・mが一応の目安である[1]．ボード内応用でのこの値の有効性は精査を待たねばならないが，いずれにしても広帯域の光配線が求められるのは間違いない．配線スペースも限定されるため，光導波路の細径化若しくは光多重化が必須となる．光導波路の細径化に関しては，屈折率の高い半導体導波路が魅力的である．光ネットワーク用超小型送受信モジュールとしてSiフォトニクス（若しくはCMOS フォトニクス）ベースのデバイスが実用化されている． Siが通信波長帯では屈折率の高い透明材料となること，デバイス作製に成熟した半導体プロセスを流用できることが背景にあり，2000年以降，急速に研究開発が進展している．しかしながら，これらは「集積回路技術」の転用である．実は，電気配線においても，配線板技

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すなわち，「ボード内光配線回路を実現するためには，高密度光配線導波路への光結合を可能とする光回路実装技術の開発が必須である」と要約することができる．これらは，現状の技術の延長では困難であり，新技術によるブレークスルーが待望されていることを意味している．本論文では，具体的な課題例を挙げ，それに対する筆者らの取り組みを紹介する．

2. 表面実装光結合

2. 1 面発光レーザの実装と課題ボード内光配線の基本型は光導波路を集積した光配線板（光電気混載基板）上にチップを実装する構成であり，要求される仕様は低電力高密度超広帯域である．開発目的はボード内超高性能システム集積の実現であり，電気配線を凌駕する性能，価格を供して初めて実用化される．そのため，光配線導波路は単一モード，光多重信号伝送が必須となる．一方，チップの表面実装を対象とする場合，その許容誤差が実用化の鍵を握る．光配線板の導波光を外部と入出力する必要がある場合，高効率な光結合が求められる．高精度の光実装でしばしば用いられるアクティブアライメント実装は，このような用途では適用できない．したがって，導波路幅がサブミクロンであるSi配線を用いた光配線板の可能性は低い．結果，導波路幅が数μmの単一モード導波路（主としてSiO2系）を波長多重，偏光多重で使用することが第一案となる[3], [4]が，やはり許容誤差の面で厳しい．光実装における最も重要な課題は垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL: vertical-cavity surface-emitting laser)からの出射光の導波光への結合である．実装許容誤差が大きく安定な高効率結合が求められる．この実現を目指して，空間光を反射しかつ導波光を入力結合できるような素子を光導波路に集積し，Half-VCSEL を表面実装する構成の可能性を探っている[5]．すなわち，VCSELの片側ミラーを導波路に集積することでレーザ発振を導波路集積素子で制御し，Half-VCSEL と光配線導波路の相対的な位置ずれに関係なく安定な発振を得ようとするものである．図1にVCSELの表面実装の基本概念図を示す．高図 1 VCSELの表面実装の概念図

Fig. 1 Basic concept of surface-mount packaging of a VCSEL. 密度が前提であり，単一モードの誘電体導波路を想定している．したがってVCSELも横単一モードで使用することになるが，ここでVCSELの単一横モード条件に整合する程に小さい反射径（微小開口）の外部ミラーと比較的大きな面サイズ（横多モード）を有する活性層を組み合わせて面内方向の実装許容誤差の拡大を狙った構成である．一方，発振波長は，通常は，ミラー間隔で決まる共振モード波長で与えられる．これは面垂直方向の位置合わせ精度がナノメートルオーダーであることを意味し，実現性に乏しい．また，波長多重化を念頭に置く場合，発振波長制御が重要であり，外部ミラーにその機能をもたせることが望まれる．すなわち波長選択性を有するミラーが望ましい．更には，この外部ミラーには導波光を励振するための結合器の役割も求められる．ただし，主役は反射であるから結合器としては必然的に低効率となる．これらの外部ミラーの要求を満たすために，筆者らは導波モード共鳴の利用を検討している． 2. 2 導波モード共鳴(GMR)ミラー導波モード共鳴(GMR: guided-mode resonance) フィルタは，薄膜導波路の表面にサブ波長グレーティングを集積して形成される狭帯域フィルタである．誘電体多層膜で形成される波長フィルタと比較して，表面グレーティングで形成され偏光依存性を有する，周期構造が膜厚方向ではなく面内方向に形成され狭帯域化が容易である，反射波長がグレーティング周期で決まるため異なる波長のフィルタの集積が容易である，などの特徴を有する．狭帯域反射現象はWood’s anomalyとして古くから知られていたが，近年その応用ポテンシャルが指摘[6]されてから，偏光子，波長板，波長フィルタ，レーザミラー等様々な素子やシステムへの応用が報告され，研究開発が急進展している．また，その共鳴現象は，伝搬波数が連続的に分布する放射モードが離散的な導波モードと結合するファノ共鳴の一種として説明，解析できる[7]．構造によっ

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図 2 導波モード共鳴 (GMR) ミラーの基本構成と光波結合

Fig. 2 Basic conﬁguration of a guided-mode reso-nance (GMR) mirror and wave coupling.

ては，反射位相が大きな波長依存性を示す．このように，GMR素子は，1グレーティング周期で狭帯域反射波長を制御できる，2共鳴波長付近で反射位相が擬似不定性を示すように設計できる，3プレーナプロセスで集積できる，4後述するように導波路共振器を集積することで微小開口を実現できる，5 その導波路共振器を形成するミラーの反射率を調節することで導波光励振結合器としても機能する，など，一点を除けば，前述のVCSEL表面実装のための導波路集積外部ミラーとして必要な特性を兼ね備えている．特に2の反射位相の擬似不定性は面垂直方向の実装許容誤差を桁違いに拡大する注目すべき特長である．さて，除外の一点とは，フィルタ構造では高反射率を得られる波長が特定されることである．VCSELは活性層厚が薄いため，外部ミラーには高反射率が必要である．そこで，反射位相が擬似不定性を示す導波モード共鳴波長近辺で高い反射率を維持する工夫として，高反射率基板と組み合わせたGMRミラーを検討している[8]．図2にGMRミラーの基本構成と光波結合の概要を示す．高反射率基板上に光バッファ層を介して導波コアとグレーティングが形成されている．空間側からの入射光（放射モード）は，共鳴条件においては，グレーティングにより導波モードに結合される．励振された導波モードは，同一グレーティングにより，基板側及び空間側に放射され，入射光の直接透過と反射に重畳される．入射光の透過と導波モードの基板側放射は，高反射率基板により抑圧（消滅）される．その結果，共鳴は生じる（反射位相の擬似不定性を示す）が高反射を維持するミラーが期待される．図3にGMRミラーの設計例を示す．SiO2（屈折率ns= 1.444）基板上にAu (nm= 0.56 − j 9.8)反射層を設け，SiO2光バッファ層（膜厚tb）を介して Si-N (nf = 1.973)導波コア（膜厚800 nm），Si-Nグ図 3 GMRミラーの設計例

Fig. 3 Design example of a GMR mirror.

図 4 GMRミラーの反射スペクトルの計算値

Fig. 4 Calculated reﬂectance of a GMR mirror.

レーティング（凹凸深さ100 nm）を形成する構成であ

る．厳密結合波解析(RCWA: rigorous coupled wave analysis)で計算した反射スペクトルのtb依存性の二次元濃淡表示を図4に示す[8]．横軸が波長，縦軸が光バッファ層厚である．100%近い反射率を示す中に反射率が減少しているゾーンが複数観察される．100%近い反射率はAu層による反射を表している．また，反射率が低いゾーンはGMRミラー内部の垂直共振モードを表している．共振状態では，光波の共振器内に蓄積されるエネルギが増加し，比例して損失が増加し，反射率低下につながる．導波モード共鳴が生じない場合は，Si-Nと空気の境界とAu表面で膜厚方向の共振器が形成される．この場合，垂直共振モードの波長はtbに比例する．水平に近いゾーンはこの共振モード（常態肢と呼ぶ）に対応する．一方，導波モード共鳴が生じる場合は，GMRフィルタとAu表面で膜厚方向の共振器が形成される．この場合，導波モード共鳴波長付近で見られるGMRフィルタの反射位相の擬似不定性のため，tbが変化しても垂直共振モード波長はあまり変化しない．すなわち，垂直方向のゾーンは GMRに呼応（GMR肢と呼ぶ）している．常態肢と GMR肢は連続的に接続している．

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がほぼ反位相となっており，GMRフィルタは高反射を示す．したがって，垂直共振モードのQ値が高くなり損失が増加し，反射率が大きく低下している．ただし，点Bにおいては，Au反射により形成される放射モードの定在波がグレーティング部分で節となり，グレーティングによる導波モード-放射モードの結合が生じず，その結果，単なる多層膜構造の反射を示すことになる．高反射率と反射位相の擬似不定性を利用するためには，GMR肢上でかつ点B近傍を避けるtbを選択する必要がある． 2. 3 GMRミラーとDBRを用いた垂直共振器 GMRミラーとHalf-VCSELを模したDBRとで形成される垂直共振器の基本構成例を図5に示す．GMR ミラーとDBRの間のエアギャップ長をlaとする． GMRミラーを図3に示す仕様でtb= 3.37μmと図 5 GMRミラーと DBR で形成する垂直共振器

Fig. 5 Cross-sectional structure of a vertical cavity consisting of a GMR mirror and a DBR sim-ulating a half-VCSEL.

図 6 垂直共振器の反射スペクトルの計算値

Fig. 6 Calculated reﬂectance of the vertical cavity consisting of a GMR mirror and a DBR.

l 率が減少しているゾーンが複数観察される．これらは垂直共振器の共振モードを表している．常態では共振波長はlaに比例しているが，GMR波長付近で，共振波長のla依存性が激減する領域がある．laが0.5μm 近く変化しても共振モード波長の変化はnmに抑えられている．このように，VCSELの発振波長は，実装時や使用時の位置ずれに鈍感となり，GMR波長に安定に維持されることが期待される．

3. 波長選択光変調

3. 1 光変調素子と課題ボード内でも距離が短くなりパッケージレベルになると，集積法や熱干渉の問題から，VCSEL直接変調に代えて光変調器の使用が期待される．外部光源利用の場合は，SiO2系導波路とSi系導波路の比較検討も重要な課題となる．Siフォトニクスベースの変調器は Mach-Zehnder干渉計タイプが主流であるが，波長多重に対応させるためには波長合分波素子が別途必要となる．波長合分波素子を省略するためには，波長選択的な光変調器が必要となる．マイクロリング共振器は，共振波長をシフトさせて特定波長に対する強度変調を与えることが可能であり，波長選択光変調器として機能する．一方で，吸収スペクトルが急しゅんなため，個別の特定波長に高精度かつ正確にチューニング・デチューニングすることが要求され，モニタ素子・回路の集積化を念頭に置く必要がある．筆者らはそのような不都合を避けるため，チューニング型でない波長選択光変調方式・デバイスを検討してきた[9], [10]が，最近，グレーティングカップラ(GC)の結合効率の外部ミラーによる制御の可能性に着目している． 3. 2 グレーティングカップラ(GC)と放射損失図7に外部ミラーの有無によるGCの動作の違いについて示している．ミラーがないときは，図7(a)に示すように，伝搬してきた導波光は，GCにより空気側及び基板側に結合放射され，伝搬とともに指数関数的減衰を示し，結果，GCを透過しない．一方，図7(b) に示すように，高反射ミラーを適切な間隔で設置して

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図 7 グレーティングカプラ (GC) の放射損失減衰の制御 Fig. 7 Diﬀraction decay of a grating coupler (GC) with

free space (a) and high reﬂection mirror (b).

おくと，ミラー反射により空気側放射は消失し，基板側放射はミラー反射光との干渉効果により抑圧され，結果放射は生じず，導波光は透過する．(b)状態を常態として，(a)状態に波長選択的に切り替えられれば，透過光も波長選択的に変調される．そのためには反射型のノッチフィルタとそのon/oﬀ制御が求められる． 3. 3 反射型ノッチフィルタと共振器集積 GMRミラーの構成を用いれば，反射型ノッチフィルタが得られる．図4に示すように，GMRミラーの反射スペクトルは点B近傍で反射率が大きく低下する．したがって，光バッファ層厚を適切に設定することで，狭帯域のノッチフィルタが期待できる．一方，図1や図7の形態で高密度光配線を構成するにはGMRミラーは微小開口であることが求められる．ところが，GMRが十分に機能する，すなわち，入射光の直接透過/反射が導波モードの回折放射により打ち消されるには，十分な導波モードパワーが励振されることが条件となり，一般のGMR素子はサブmm径の開口を必要とする．そこで，筆者らはGMR素子の開口微小化のために，導波路共振器の集積を提案[11]，検討してきた[12], [13]．共振器集積

GMR (CRIG: cavity-resonator-integrated guided-mode resonance)ミラーの基本構成と光波結合の様子を図8に示す[14]．高反射率基板上に導波路及びグレーティングが形成される構造はGMRミラーと同じであるが，グレーティングはGCと1対のDBRで構成される．1対のDBRは導波路共振器を形成し，その共振器中にGCが配されている．空間側からの入射光は，共鳴条件においては，GCにより左右に伝搬する導波モードに結合される．励振された導波モードは図 8 共振器集積 GMR (CRIG) ミラーの基本構成と光波結合

Fig. 8 Basic conﬁguration and wave coupling of cavity-resonator-integrated guided-mode res-onance (CRIG) mirror.

図 9 作製した CRIG ミラーの SEM 像

Fig. 9 SEM image of a fabricated CRIG mirror.

DBR共振器内で往復，蓄積され，GCにより基板側及び空間側に放射される．GCとDBRの間の位相調整ギャップ長は，左右に伝搬する導波モードからの回折光波の位相が揃うように設計される． CRIGミラーのノッチフィルタ特性（消光比，帯域）は，光バッファ層厚及び形成される垂直共振器の損失に大きく依存する．試作したCRIGミラーのSEM像を図9に示す．Ta2O5/SiO2多層膜基板上にSiO2光バッファ層を介して600 nm厚のSi-N導波コア層，80 nm深さのSi-Nグレーティングを集積した．グレーティングと導波路チャネルを一括形成するために，凸グレーティングの幅により導波路チャネルを得ている． GC長及び導波路チャネル幅は10μmである．得られた反射スペクトルの測定結果の例を図10に示す[15]．消光比−20 dB以下，−10 dB幅0.04 nm，−3 dB幅 0.15 nmが得られている．共振器集積の大きな副次的効果として，位相調整ギャップ長lgを新たな構造パラメータして利用できる

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図 10 作製した CRIG ミラーの反射スペクトルの測定例 Fig. 10 Example of measured reﬂection spectrum of

the fabricated CRIG mirror.

ことが挙げられる．lgを調整してGCに対するDBR 共振器を相対的に変化させれば，共振モードの定在波の腹とGCのグレーティング凹凸がずれ，GCによる導波モード-放射モードの結合効率が変化する．CRIG フィルタのQ値はGCの結合効率で支配されるため， DBR共振器の変位によりQ値を制御できることになる[16]．図11に共振器をδΛ変位させたときの反射スペクトルの計算例を示す．ここでΛはGCの周期である．構造は，SiO2 基板上に500 nm厚のSi-N導波コア， 150 nm凹凸深さのSi-Nグレーティング，GC長10 μm，DBR長片側260μm，チャネル幅10μmとした．δ = 0はGCがDBR共振器の中央に位置する場合であり，δが大きくなるとGC結合が小さくなり，フィルタのQ値が高くなる．δ = 1/4では，共振モードの定在波の腹の位置がGCグレーティング凹凸の屈折率境界に一致し，放射モードと導波モードの結合が生じず，その結果GMR現象は消滅する．δが1/4を超えて大きくなると，GMR現象が発現し，Q値は低下する．すなわち，Q値は，δ = 1/2を周期として， δに対して周期的依存性を示す．これらのQ値の変化の様子は実験的に確認されている[17]．さて，δ = 1/4近傍でδを電気的に変化させると， GMRの発現状態及び消滅状態を制御できる．CRIG フィルタの構造は，入射空間光がGCで左右に伝搬する導波光に分岐され，それらの励振導波光がそれぞれ左右のDBRで反射されGCで合波する一種の干渉計を構成しているとみなすことができる．したがって，電気光学材料を用いて導波路を構成し，左右の位相調整ギャップ/DBRにプッシュプルで電界を印加することで，左右の干渉アームの実効長差を変調でき，GMR 現象，例えば，図10に示すようなノッチフィルタリ図 11 CRIGフィルタの反射スペクトルの計算例

Fig. 11 Calculated reﬂection spectrum of a CRIG ﬁlter.

ングをon/oﬀ制御することが期待できる．すなわち， CRIGミラーは図7の(b)状態から(a)状態に波長選択的に切り替え可能なミラーの有力候補となる．

4. むすび

以上，ボード内光配線の開発現状，高密度光配線への要求，及び実装技術の重要性について触れ，具体的課題としてVCSELの表面実装及び波長選択光変調を取り上げた． VCSELの表面実装技術では，外部共振器ミラー構成の可能性について，GMRの利用を検討している筆者らの取組みを紹介した．GMRミラーの反射位相は構造により擬似不定性を示すことが予測され，実証されている．これを利用して，面垂直方向の実装許容誤差を桁違いに拡大する可能性を探っている．現在， CRIGミラーの実証実験を推進中である．波長選択光変調は，より短距離高密度光配線用として期待され，そのためにはチューニング型でないインライン構成が重要であることを論じた．そのための新たなデバイスとして，GCとCRIGミラーの組合せについて紹介した．CRIGミラーは構造により反射型ノッチフィルタ特性を示す．そのon/oﬀ制御の原理について述べた．動作原理は個別には検証されているが， on/oﬀ制御は実証されていない．今後の更なる検討が必要である．文献 [1] 三上修，他，光回路実装技術ロードマップ（03 年度版），エレクトロニクス実装学会光回路実装技術委員会，東京， 2003.

[2] A.F. Benner, M. Ignatowski, J.A. Kash, D.M. Kuchta, and M.B. Ritter, “Exploitation of optical in-terconnects in future server architectures,” IBM J.

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Res. & Dev., vol.49, no.4/5, pp.755–775, July/Sept. 2005.

[3] 裏升吾，金高健二，“ボード内チップ間波長分割多重光

配線，”信学誌，vol.91, no.3, pp.207–213, March 2008.

[4] 裏升吾，金高健二，“波長多重光接続パッケージ内シス

テム集積 (WDM-OI-SiP) への期待，”エレクトロニクス

実装学会誌，vol.12, no.5, pp.446–451, Sept. 2009. [5] S. Ura, K. Kintaka, J. Inoue, T. Ogura, K.

Nishio, and Y. Awatsuji, “Reﬂection-phase vari-ation of cavity-resonator-integrated guided-mode-resonance reﬂector for guided-mode-exciting surface laser mirror,” Proc. 63th Electron. Compo. Technol. Conf., pp.1874–1879, May 2013.

[6] S.S. Wang and R. Magnusson, “Theory and applica-tions of guided-mode resonance ﬁlters,” Appl. Opt., vol.32, no.14, pp.2606–2613, May 1993.

[7] S. Fan, W. Suh, and J.D. Joannopoulos, “Temporal coupled-mode theory for the Fano resonance in op-tical resonators,” J. Opt. Soc. Am. A, vol.20, no.3, pp.569–572, March 2003.

[8] T. Kondo, S. Ura, and R. Magnusson, “Design of guided-mode resonance mirrors for short laser cavi-ties,” J. Opt. Soc. Am. A, vol.32, no.3, pp.1454–1458, Aug. 2015.

[9] S. Kawanami, R. Mori, T. Miura, K. Kintaka, K. Nishio, Y. Awatsuji, and S. Ura, “Diﬀerent-guided-mode-coupling DBR for inline wavelength-selective modulator,” Tech. Dig. 17th Opto-Electron. Com-mun. Conf., no.3E2-1, pp.89–90, Busan, Korea, July 2012.

[10] K. Kintaka, R. Mori, T. Miura, and S. Ura, “Proposal of in-line wavelength-selective modulator based on waveguide interferometer,” IEICE Trans. Electron., vol.E97-C, no.7, pp.749–754, July 2014.

[11] S. Ura, J. Inoue, K. Kintaka, and Y. Awatsuji, “Pro-posal of small-aperture guided-mode resonance ﬁl-ter,” 13th Int’l Conf. Transparent Opt. Networks 2011, no.Th.A4.4, pp.1–4, Stockholm, Sweden, June 2011.

[12] J. Inoue, T. Majima, K. Hatanaka, K. Kintaka, K. Nishio, Y. Awatsuji, and S. Ura, “Aperture minia-turization of guided-mode resonance ﬁlter by cavity resonator integration,” Appl. Phys. Express, vol.5, no.022201, pp.1–3, Jan. 2012.

[13] K. Kintaka, T. Majima, J. Inoue, K. Hatanaka, J. Nishii, and S. Ura, “Cavity-resonator-integrated guided-mode resonance ﬁlter for aperture miniatur-ization,” Opt. Express, vol.20, no.10, pp.1444–1449, Jan. 2012.

[14] J. Inoue, T. Ogura, T. Kondo, K. Kintaka, K. Nishio, Y. Awatsuji, and S. Ura, “Reﬂection characteristics of guided-mode resonance ﬁlter combined with bot-tom mirror,” Opt. Lett., vol.39, no.7, pp.1893–1896, April 2014.

[15] S. Ura, M. Nakata, K. Yanagida, J. Inoue, and K.

Kintaka, “Narrowband-stop reﬂector using guided-mode resonance in waveguide cavity for WDM optical interconnects,” Proc. 66th Electron. Compo. Tech-nol. Conf., to be published, Las Vegas, Nevada, June 2016.

[16] K. Asai, K. Kintaka, J. Inoue, and S. Ura, “Coupled-mode analysis of grating-position-shifted cavity-resonator-integrated guided-mode resonance ﬁlter,” Tech. Dig. 20th Microopt. Conf., no.H-4, pp.104–105, Fukuoka, Japan, Oct. 2015.

[17] K. Kintaka, K. Asai, T. Kondo, J. Inoue, and S. Ura, “Reﬂectance change by grating-position shifting in cavity-resonator-integrated guided-mode resonance ﬁlter,” Integrated Photon. Res., Si Nano Photon. 2015, no.IM2A.3, pp.1–3, Boston, Massachusetts, June 2015. （平成 28 年 3 月 31 日受付，10 月 11 日公開）裏升吾（正員） 1982阪大・工・電気卒．1987 同大大学院博士課程了．工博．同年同大・工・電子助手． 2000京都工繊大・工芸・電子情報助教授． 2004から同大教授．博士（工学）．1996

Oxford Univ. Visiting Fellow．1987 論文賞受賞．2010 光・電子集積技術業績賞（林巌雄賞）受賞．集積光デバイス，導波路グレーティング，光インタコネクト，光メモリ，光計測デバイスなどの研究に従事．応用物理学会，エレクトロニクス実装学会，日本光学会， IEEE，OSA 各会員．金高健二（正員）平 4 阪大・工・電子卒．平 9 同大大学院博士課程了．博士（工学）．同年工業技術院大阪工業技術研究所入所．平 13 より産業技術総合研究所．現在，同所無機機能材料研究部門主任研究員．平 8∼9 日本学術振興会特別研究員．光集積素子，光インタコネクト，サブ波長周期構造素子，Si フォトニクス等に関する研究に従事．応用物理学会，日本光学会，エレクトロニクス実装学会，日本セラミックス協会，IEEE, OSA 各会員．井上純一（正員） 2009京都工繊大・工芸・電子情報卒．2014 同大大学院博士課程了．博士（工学）．同年同大・電子システム工・助教．現在，導波モード共鳴を利用した集積光デバイスの研究に従事．応用物理学会，エレクトロニクス実装学会各会員．

ボード内光配線実装技術と課題