RJF0606DPE　データシート

(1)

RJF0606DPE

シリコン N チャネル MOS FET シリーズ電力スイッチング

概要

本製品はゲートの印加電圧により DS 間の ON-OFF 制御ができるパワースイッチ用 MOS FET です。構造は

パワー MOS FET のゲート部に過熱遮断回路を内蔵したものであり，異常な周囲温度上昇，過電力，過電流に

よる発熱に対してゲート遮断動作によりパワー MOS FET を保護する働きを持っています。

特長

 ロジックレベル (4 V) 駆動型パワー MOS FET です。

 過熱遮断回路を内蔵しており，高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能。

 負荷短絡に対する耐量が向上しています。

 過熱遮断方式はラッチ型です。過熱遮断回路動作後は，ゲート電圧 0 バイアスで復帰します。

 電流制限回路を内蔵しております。

 電源電圧は 12 V，24 V を適用しています。

 産業用途向け

外観図

࡞ࡀࠨࠬࡄ࠶ࠤ࡯ࠫࠦ࡯࠼: PRSS0004AE-B (ࡄ࠶ࠤ࡯ࠫฬ⒓ : LDPAK (S)-(1) )

12 3

1. ࠥ࡯࠻

2. ࠼࡟ࠗࡦ 3. ࠰࡯ࠬ

4. ࠼࡟ࠗࡦ D

S G

4

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絶対最大定格

(Ta = 25°C)

項目記号定格値単位

ドレイン・ソース電圧

V

DSS

60 V

ゲート・ソース電圧

V

GSS

16 V

ゲート・ソース電圧

V

GSS

–2.5 V

ドレイン電流

I

D^注3

40 A

逆ドレイン電流

I

DR

40 A

アバランシェ電流

I

AP^注

2

12 A

アバランシェエネルギー

E

AR^注2

617 mJ

許容チャネル損失 Pch^注¹

50 W

チャネル温度 Tch

150 C

保存温度 Tstg

–55～+150 C

【注】 1. Tc = 25

 C

における許容値

2. Tch = 25C, Rg  50 

における許容値

3.

電流制限下限値にて規定します。

R07DS0715JJ0100

Rev.1.00

2012.04.10

(2)

代表動作特性

(Ta = 25°C)

項目記号

Min Typ Max

単位測定条件

入力電圧

V

IH

3.5 — — V

入力電圧

V

IL

— — 1.2 V

入力電流 (ゲート非遮断時)

I

IH1

— — 100 A Vi = 8 V, V

DS

= 0

I

IH2

— — 50 A Vi = 3.5 V, V

DS

= 0

I

IL

— — 1 A Vi = 1.2 V, V

DS

= 0

入力電流 (ゲート遮断動作時)

I

IH(sd)1

— 0.8 — mA Vi = 8 V, V

DS

= 0

I

IH(sd)2

— 0.35 — mA Vi = 3.5 V, V

DS

= 0

遮断温度

Tsd — 175 — C

チャネル温度ゲート動作電圧

Vop 3.5 — 12 V

ドレイン電流 (電流制限値)

I

D limt

40 — — A V

GS

= 5 V, V

DS

= 10 V

^注⁴

【注】 4. パルス測定

電気的特性

(Ta = 25°C)

項目記号

Min Typ Max

単位測定条件

I

D1

— — 67 A V

GS

= 3.5 V, V

DS

= 10 V

^注⁵

I

D2

— — 10 mA V

GS

= 1.2 V, V

DS

= 10 V

ドレイン電流

I

D3

40 — — A V

GS

= 5 V, V

DS

= 10 V

^注⁵ ドレイン・ソース破壊電圧

V

(BR)DSS

60 — — V I

D

= 10 mA, V

GS

= 0

V

(BR)GSS

16 — — V I

G

= 800 A, V

DS

= 0

ゲート・ソース破壊電圧

V

(BR)GSS

–2.5 — — V I

G

= –100 A, V

DS

= 0

I

GSS1

— — 100 A V

GS

= 8 V, V

DS

= 0 I

GSS2

— — 50 A V

GS

= 3.5 V, V

DS

= 0 I

GSS3

— — 1 A V

GS

= 1.2 V, V

DS

= 0

ゲート遮断電流

I

GSS4

— — –100 A V

GS

= –2.4 V, V

DS

= 0

I

GS(OP)1

— 0.8 — mA V

GS

= 8 V, V

DS

= 0

I

GS(OP)2

— 0.35 — mA V

GS

= 3.5 V, V

DS

= 0

ドレイン遮断電流

I

DSS

— — 10 A V

DS

= 32 V, V

GS

= 0

ゲート・ソース遮断電圧

V

GS(off)

1.1 — 2.1 V V

DS

= 10 V, I

D

= 1 mA

順伝達アドミタンス

|y

fs

| 20 41 — S I

D

= 20 A, V

DS

= 10 V

^注⁵

R

DS(on)

— 17 25 m I

D

= 20 A, V

GS

= 4 V

^注⁵ ドレイン・ソースオン抵抗

R

DS(on)

— 12 19 m I

D

= 20 A, V

GS

= 10 V

^注⁵ 出力容量

Coss — 795 — pF V

DS

= 10 V, V

GS

= 0, f = 1MHz

ターン・オン遅延時間

t

d(on)

— 6 — s V

GS

= 10 V, I

D

= 20 A, R

L

= 1.5 

上昇時間

t

r

— 21.6 — s

ターン・オフ遅延時間

t

d(off)

— 7.2 — s

下降時間

t

f

— 12.5 — s

ダイオード順電圧

V

DF

— 0.9 — V I

F

= 40 A, V

GS

= 0

逆回復時間

t

rr

— 113 — ns I

F

= 40 A, V

GS

= 0 di

F

/dt = 50 A/s t

os1

— 0.48 — ms V

GS

= 5 V, V

DD

= 16 V

負荷短絡遮断動作時間^注⁶

t

os2

— 0.31 — ms V

GS

= 5 V, V

DD

= 24 V

【注】 5. パルス測定

6.

過負荷によるパワーMOS FETの温度上昇による動作時間のシフト分も含む。

(3)

主特性

60 50 40 30 20 10 0

0 50 100 150 200

100

10

1

0.1 0.01 0.1 1 10 100

80

60 30 40 50

20 10 70

0 2

0 4 6 8 10

V

_GS

= 3 V

0 0

1 2 3 4 5

40

30

20 10 9 V

8 V 5 V

4 V

V

_DS

= 10 V

ࡄ࡞᷹ࠬቯ

⸵ኈ࠴ࡖࡀ࡞៊ᄬ

Pch (W)

ࠤ࡯᷷ࠬᐲ Tc (°C)

⸵ኈ࠴ࡖࡀ࡞៊ᄬߩ ࠤ࡯᷷ࠬᐲߦࠃࠆᄌൻ

࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶ V

_DS

(V)

࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ

I

D

(A)

቟ోേ૞㗔ၞ

࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶ V

_DS

(V)

࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ

I

D

(A)

࠰࡯ࠬធ࿾಴ജ㕒․ᕈ

ࡄ࡞᷹ࠬቯ

ࠥ࡯࠻࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶ V

_GS

(V)

࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ

I

D

(A)

࠰࡯ࠬធ࿾વ㆐㕒․ᕈ

800

600

400

200 0 2

0 4 6 8 10

1000

0.1 1 10 100

100

10 1 10 A

I

_D

= 20 A

5 A

ࠥ࡯࠻࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶ V

_GS

(V)

࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬ㘻๺㔚࿶ኻ

ࠥ࡯࠻࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶․ᕈ

࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬ㘻๺㔚࿶ޓ

V

DS(on)

(mV)

ࡄ࡞᷹ࠬቯ

࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ I

_D

(A)

࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬࠝࡦᛶ᛫

R

DS(on)

(m Ω )

࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬࠝࡦᛶ᛫ኻ

࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ․ᕈ Tc = –40

°

C 25

°

C

ࡄ࡞᷹ࠬቯ

V

_GS

= 4 V 10 V

ㆊᾲㆤᢿ㗔ၞ

DC Operation (Tc = 25°C) PW = 10 ms

1 ms

ߎߩ▸࿐ߩേ૞ߪ

R_DS(on) ߩ୯ߦࠃߞߡ

೙㒢ߐࠇ߹ߔ

10 V

(4)

35 30

–50 –25 0 25 50 75 100 125 150 ࠤ࡯᷷ࠬᐲ Tc (°C)

5 10 15 20 25

࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬࠝࡦᛶ᛫

R

DS(on)

(m Ω )

࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬࠝࡦᛶ᛫ኻ ࠤ࡯᷷ࠬᐲ․ᕈ

ࡄ࡞᷹ࠬቯ

10 V V

_GS

= 4 V

I

_D

= 5, 10 A I

_D

= 20 A

5 A 10 A

20 A

㗅વ㆐ࠕ࠼ࡒ࠲ࡦࠬ

|y fs | (S)

㗅વ㆐ࠕ࠼ࡒ࠲ࡦࠬኻ

࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ․ᕈ

࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ I

_D

(A) 100

10

1

0.1 0.1 1 10 100

Tc = –40°C

150°C V

_DS

= 10 V

ࡄ࡞᷹ࠬቯ

25°C

ㅒ࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ I

_DR

(A)

ㅒ࿁ᓳᤨ㑆

t rr (ns)

࠰࡯ࠬ࡮࠼࡟ࠗࡦ㑆

࠳ࠗࠝ࡯࠼ㅒᣇะ࿁ᓳᤨ㑆

0.1 1 10 100

1000

100

10 di / dt = 50 A /

μ

s V

_GS

= 0, Ta = 25°C

0 10 20 30 40 50 60

ኈޓ㊂

C (pF)

࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶ V

_DS

(V) ኈ㊂ኻ࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶․ᕈ 10000

3000 1000

300 100

30 10 40

0 ࠰࡯ࠬ࡮࠼࡟ࠗࡦ㔚࿶ V

_SD

(V)

ㅒ࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ

I

DR

(A)

0 10 20 30

ㅒ࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹኻ

࠰࡯ࠬ࡮࠼࡟ࠗࡦ㔚࿶․ᕈ

0.4 0.8 1.2 1.6 2.0

V

_GS

= 5 V

100

10 1 0.1 1 10 100

࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ I

_D

(A)

ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣᤨ㑆

t ( μ s)

ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣ․ᕈ

ࡄ࡞᷹ࠬቯ

tf tr

td(off) td(on)

0 V

V

_GS

= 10 V, V

_DD

= 30 V PW = 300

μ

s, duty

≤

1 %

Coss

V

_GS

= 0

f = 1 MHz

(5)

ࠥ࡯࠻࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶ V

_GS

(V)

ㆤᢿ᷷ᐲ

Tc (°C)

ㆤᢿ᷷ᐲኻ

ࠥ࡯࠻࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶․ᕈ

ࡄ࡞ࠬ᏷ PW (S)

ㆊᷰᾲᛶ᛫

γ s (t)

ⷙᩰൻㆊᷰᾲᛶ᛫୯․ᕈ 16

14 12 10 8 6

2 4

0

ࠥ࡯࠻࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶

V

GS

(V)

ࠥ࡯࠻࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶ኻ

⽶⩄⍴⛊ㆤᢿᤨ㑆․ᕈ

10 10000

⽶⩄⍴⛊ㆤᢿᤨ㑆 Pw ( μ s)

100 1000

V

_DD

= 16 V 24 V

3

1

0.3

0.1

0.03

0.01

10

μ

100

μ

1 m 10 m 100 m 1 10

Tc = 25°C D = 1

0.5

0.2 0.1 0.05

0.01 0.02

1shot pulse

P

_DM

PW T

D = PW T

θ

ch – c (t) =

γ

s (t) •

θ

ch – c

θ

ch – c = 2.5°C/W, Tc = 25°C

200

180

160

140

120 0 100

2 4 6 8 10

I

_D

= 5 A

(6)

tr td(on)

Vin

90% 90%

10%

Vout 10%

td(off)

90%

10%

tf

ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣᤨ㑆᷹ቯ࿁〝 ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣᵄᒻ

Vin Monitor

D.U.T.

Vin

10 V 50

Ω

R

_L

Vout Monitor

V

_DD

= 30 V

D. U. T Rg

I

_AP

Monitor V

_DS

Monitor

V

_DD

50

Ω

Vin

10 V

0 I

_D

V

_DS

I

_AP

V

_(BR)DSS

L

V

_DD

E

_AR

= L

•

I

_AP²•

2 1 V

_(BR)DSS

V

_(BR)DSS

– V

DD

ࠕࡃ࡜ࡦࠪࠚ᷹ቯ࿁〝 ࠕࡃ࡜ࡦࠪࠚേ૞ᵄᒻ

(7)

外形寸法図

10.2 ± 0.3

1.37 ± 0.2

(1.5)

(1.4)8.6 ± 0.3 10.0+ 0.3 – 0.5

4.44 ± 0.2 1.3 ± 0.15

0.1^{+ 0.2}– 0.1

0.4 ± 0.1 2.49 ± 0.2

0.86^{+ 0.2}_{– 0.1} 2.54 ± 0.5 2.54 ± 0.5

1.3 ± 0.2

3.0+ 0.3 – 0.5

(1.5)

7.8 6.6

2.2

1.7

7.8 7.0

SC-83 1.30g

MASS[Typ.]

LDPAK(S)-(1) / LDPAK(S)-(1)V PRSS0004AE-B

RENESAS Code

JEITA Package Code Previous Code

Unit: mm

Package Name LDPAK(S)-(1)

発注情報

発注型名梱包数量梱包形態

RJF0606DPE-00-J3 1000

個テーピング

【注】型名中の"-"は"#"と置き換えて表示されることがあります。

(8)

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http://www.renesas.com

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ᧄ⾗ᢱߦ⸥タߐࠇߚ࿁〝ޔ࠰ࡈ࠻࠙ࠚࠕ߅ࠃ߮ߎࠇࠄߦ㑐ㅪߔࠆᖱႎߪޔඨዉ૕⵾ຠߩേ૞଀ޔᔕ↪଀ࠍ⺑᣿ߔࠆ߽ߩߢߔޕ߅ቴ᭽ߩᯏེߩ⸳⸘ߦ߅޿ߡޔ࿁〝ޔ

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RJF0606DPE データシート

RJF0606DPE

シリコン N チャネル MOS FET シリーズ 電力スイッチング

概要

本製品はゲートの印加電圧により DS 間の ON-OFF 制御ができるパワースイッチ用 MOS FET です。構造は

パワー MOS FET のゲート部に過熱遮断回路を内蔵したものであり，異常な周囲温度上昇，過電力，過電流に

よる発熱に対してゲート遮断動作によりパワー MOS FET を保護する働きを持っています。

特長

 ロジックレベル (4 V) 駆動型パワー MOS FET です。

 過熱遮断回路を内蔵しており，高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能。

 負荷短絡に対する耐量が向上しています。

 過熱遮断方式はラッチ型です。過熱遮断回路動作後は，ゲート電圧 0 バイアスで復帰します。

 電流制限回路を内蔵しております。

 電源電圧は 12 V，24 V を適用しています。

 産業用途向け

外観図

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絶対最大定格

(Ta = 25°C)

V

60 V

V

16 V

V

–2.5 V

I

40 A

I

40 A

I

12 A

E

617 mJ

50 W

150 C

–55～+150 C

 C

2. Tch = 25C, Rg  50 

3.

R07DS0715JJ0100

Rev.1.00

2012.04.10

代表動作特性

(Ta = 25°C)

Min Typ Max

V

3.5 — — V

V

— — 1.2 V

I

— — 100 A Vi = 8 V, V

= 0

I

— — 50 A Vi = 3.5 V, V

= 0

I

— — 1 A Vi = 1.2 V, V

= 0

I

— 0.8 — mA Vi = 8 V, V

= 0

I

— 0.35 — mA Vi = 3.5 V, V

= 0

Tsd — 175 — C

Vop 3.5 — 12 V

I

40 — — A V

= 5 V, V

= 10 V

電気的特性

(Ta = 25°C)

Min Typ Max

I

— — 67 A V

= 3.5 V, V

= 10 V

I

— — 10 mA V

= 1.2 V, V

RJF0606DPE　データシート

シリコン N チャネル MOS FET シリーズ電力スイッチング