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集積回路設計技術課題

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Academic year: 2021

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(1)

集積回路設計技術課題

デバイスモデリング ６月３０日（木）

青木

(2)

演習問題

1, 2

1. CMOS

を使用した回路のシミュレーション結 果と，作成した回路の測定結果が大きくずれ た．主にどのような原因が考えられるか．２ つあげて，それぞれ

50

文字から

200

文字で 説明してください．

2. MOSFET

の，どのコンパクトモデルにもある，

物理的モデルパラメータを

3

つ挙げて，それ ぞれ

30

文字以上で説明してください．

2

(3)

演習問題

3

3. MOSFET

のモデルパラメータを抽出するた めに，

TEG

を作成して測定する必要がありま すが，どんな測定が必要ですか？例以外で ４つあげて，どんな特性を求めるために行う か述べてください．

例：

ドレイン電流対ドレイン電圧直流測定

求める特性ー出力抵抗，チャネル長変調係数

3

(4)

演習問題４

4

i

1

2端子回路網

i

2

v

2

v

1

Z

in

Z

0

Z

0

Γ

1

S

パラメータは，

ABCD

パラメータから導出できますが，上図のような回路を考えた場合，

V

1

=A ・ V

2

+B ・ i

2

i

1

=C ・ V

2

+D ・ i

2 となります．反射係数

Γ

1は，

です．

Γ

1

=S

11を思い出して，

S

11を

ABCD

パラメータを使ってあらわしてください．

0 1

0 in

in

Z Z Z Z Γ = −

+

参照

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