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金子一宗*矢野健三*    (昭和57年4月30日受理)

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Academic year: 2021

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(1)

NDC 541.55

固体インダクタンスの特性の考察

金子一宗*矢野健三*

   (昭和57年4月30日受理)

The performance of a solid state inductor

Kazumune KANEKo, Kenzou YANo

(Received April 30, 1982)

 The characteristcs of the net work consisting of R, C and Transistor was reported already.3)

 In this paper, the performance of a solid state inductor, that is, a net work consisting of R, C and operational amplifier is described.

        1 ま え が き

 コイルを用いないで4ンダクタンスL(以下しという)

を得る種々の研究が発表されている。1)・2)著者等はさきに トランジスタ,C、 Rを用いた固体インダクタンス回路の 特性について考察した。3)

 本報告においては,まつ演算増幅器とC,Rを用いてL を得る従来の回路の周波数特性が理論と予想外に異なるこ とを明らかにした。この点を中心に検討中,帰還回路に抵 抗を挿入することによって比較的大きなしが実現できた。

そこで,さらに回路に改良を加え良質のLを得る端緒を旧 い出したことを報告する。

 R2

R3

741

       2 実験方法と測定結果

 2.1実験I Fig.1は入力インピーダンスが誘導リアク タンスXLを含む回路として知られている。入力インピー ダンスは次式にて示される。

鋤濃繰髪。。、R、}・…・・(・)

この式で,ある周波数において,抵抗分に比べて誘導リア クタンス分が大きくとれるにはどうすれば良いかというこ とである。f,R3, R4, Cを大きくすればXしが大きくなるが,

R3, R4を大きくすることは抵抗分を大きくすることになり 良質のインダクタンスLを得ることにならない。Cも周波

Zl・ウ

R4 c

Fig.1 Circuit of experiment−1.

*電気工学科

数特性等の点から,あまり大きくはできないので,大きな リアクタンスを得るにはある程度高い周波数の時でなけれ ば,Qの高いコイルに相当するものは得られないことがわ かる。以上のことを考慮にいれて,Fig.1でR3=R4=10 KΩ,C=100ρFを用いた回路を構成し,周波数を変化し

ながらインピーダンスメータで入力インピーダンスを測定 した。Fig.2において,インピーダンスの周波数特性は理 論的には特性①に示されるが,測定結果は特性②のように なった。周波数が高くなると,リアクタンスXL=ωしがあ まり大きくならないばかりか.実効抵抗が大きくなること が明らかとなった。

一25一

(2)

津山高専紀要第20号(1982)

40

0

   皇0何ξ3

宅む\ss。kHz      .

   350恥}』

。黒\

       x

o

o

、ゾ

to

実効抵抗が減少し,リアクタンスもある範囲の周波数帯で は増加することが理論的に言えるので,目的を達するため には適切な回路と考えた。

. Vi−V    R3多1=

ゴ2=:ノωC(γo−V)

vo=(i+一RR−沿黶jvi

V= (i1 一t−i2) R4

y

γ .21︐Z

Z

・・・・・・… (2)

       R2R3R42

(R3十R4) H.2 c2

         Rl

1+e)r・c2=!itgit!S211 t!S4Z

    R12

20  Reat kn一ウ +ゴ・c{ (R3十R4)R2R4

  Rl

+ R3 R4 ]

Fig.2 lmpedance diagram by changing of frequency 1+fo2c2−llt!19!iZ 8.42

    Rlli

・・・・・・… i3)

 そこで,良質のLを得るにはどうしたならば良いかを検 討し,帰還回路に抵抗R2を挿入することに決めた。これ

に基づき測定を行なった結果,抵抗分が減少し誘導リアク タンスが増加することがわかった。また,抵抗R2の値を

赤tレ壷.虹Lフ ア L[r し ln   7 荊ノ 、 t.e  h Vt L. 手口N凱.六tT v;一一 タ」 1ヒ。.cr!tS)L・(_V」diソ, /\ノJ−1 /  」一7 ! 〈k)n 目=4多ヒー!1しヲ

ることがFig.2の①,②以外の特性から明らかとなって

いる。

 2.2実験皿 Fig.1の回路を実験1の結果を考慮に入れ て,Fig.3に示す回路に変更した。この回路では〔2)式が成 立し,入力インピーダンスば3拭にて示される。(3)式にお いて,Rsを無限大にすれば(1拭と同じになる。

 ただし,.このR1があることにより周波数が高くなると

R2

 実験にあたり,Rl=R2として測定することにした。そ の値は実験工のFig.2の特性より帰還抵抗R2が36κΩ 50κΩ,62KΩの付近が良質のLを得るのに都合が良いの ではないかと推察して,即ちR1・・=R2・=36KΩ,50K:Ω,62KΩ

セ  ワ   し 

(二し7こ。

 Fig.4はこの回路の入力インピーダンスの周波数特性の 理論値と測定結果を示したものである。(3)式に示された理 論式によれば,Rl=R2の条件ではその抵抗値に関係なく 同一の周波数特性になるはずである。しかし,測定結果は 理論値によるものと類似の傾向を示しているが,R1= R2

RS

vi Ziゆ

R3

v

741

r v

vo

R4

c

陥陥洋  5鵡鱗

=呂昌3ム・RRC

Fig.3 Circuit of experiment−2.

応一逼葺⑩

5

  一

  ロ く ゴコ

@ 200kHz

︑懸

離錨昨昨Pで

瞭︐一

      ・×

        x          x 解値OR1署R2

叫i繊三

一26一

 O   5 R eat. k:一一一一lb 一 一

Fig.4 lrnpedance digrarn by changing of frequency.

(3)

固体インダクタンスの特性の考察.金子・矢野

=・Rの値を変えることによって,少しずつ変化しているこ とがわかる。

 Fig.5はFig.4より,インダクタンスしと実効抵抗との 周波数特性を求めたものである。実効抵抗の特性はR1=

R2≠Rを変えても特性に余り変化が見られないので,1つ の曲線でその傾向を示し,図を見易くした。

25

争⊥吉コー5

t,一t)一一 . 一Hpe一.一..x.

;薫:読:こ\

eRl=.51・2 kn R2=sC12ku  wN

xR1冨62.4k兜 R2胃61.9k竃

一.一一.

 、卜  N.

     一s,

     gs,

      N,

       x

         x.

      x        x.

      x

 T

20I

10

       o

    oo 100

       150       F(kHz》一炉

Fig.5 lnductance and resistance diagram by changing    of frequency.

2.3実験皿 実験皿の回路にコンデンサを直列に接続 し,その共振周波数よりしの値の確かさをチェックするこ とにした。発振器の出力は32(擁yとし,コンデンサの容量 は50PF,100PFとした。

 Fig.6はRl=R2=360KΩの時の共振曲線を示したもので ある。50PFのコンデンサを直列に接続した測定結果は共

振点が150KH2のところである。実験皿の結果との関連で 検討してみる。Fig.4において測定値グラフで150KH2の 時のリアクタンスは20KΩでFig.5よりしは1.2mHであ る。それ故,.共振周波数はノ=1/(2πVLC)より154.7KHg となり,その値は信頼できそうである。ただし,100PFを 接続した時は計算値が107KHgで共振の測定値は125Kll 付近となり誤差は大きかった。しかし,周波数が低.くなる と実効抵抗が増加するので共振曲線がゆるやかになったこ とがわかる。

 2.4実験W Fig.3の回路において1〜1とR2の値を同じ にせず,Rl>R2, Rl<R2等の場合における入力インピー ダンスの周波数特性を求め,その測定結果をFig.7に示し

た。

40

30齪cd遷20

10

 Rt=120Kn R2=3S,4Kft

論〉\.

諸θ。

̲蜘  \黙

800

700

am

500

這400

 300 200 100

o C=50PF

. C=100PF

 O 5 10 Reat. Kn . IS

Fiett.7 lmpedance diagram by changing of frequency.

10 100

       1mo       F(kHz) 

 Fig.6 Series resonance curve.

3 あ と が き

 演算増幅器とC,1〜を用いた回路においで,良質の固体 インダクタンを得る手がかりを卜い出した。その手がかり となる事項を列挙しておく。

1.実験工の回路では帰還抵抗R2の値が大きい程,高い  周波数で良質のしが得られる。

2.実験皿の回路ではRlを挿入することにより,実験工  のR2の値が同じであっても低い周波数で良質のしが得  られる。

3.Fig.4よりRl==R2=Rの時はRの値が小さい程,低い  周波数で良質のしが得られる。

4.Fig.7よりR1/R2が小さい程,低い周波数で良質のL  が得られる。ただし,R2/Rrbs  1, 5付近より大きくなる

一27一

(4)

津山高専紀要第20号 (1982)

 と実験皿:の直列共振特性を求める時,固体インダクタン  スの両端電圧にひずみが生じる。

 なお,能動素子の測定であるので,0.1μFのコンデンサ で直流をカットした。原因不明の点が多く,今後の研究に 待つ次第である。

1)野口,近藤,吉田;二段接続のリアクタンス・トラン   ジスタ,電子通信学会全国大会(昭和48−3)112 2)金子,近藤;複合リアクタンス・トランジスタの特  性,津山高専紀要 昭和49年度

3)矢野,金子,近藤;固体インダクタンスの特性の考  察,津山高専紀要 昭和51年度

一28一

参照

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