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赤外線集中加熱炉による単結晶育成技術開発 利用統計を見る

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(1)

赤外線集中加熱炉による単結晶育成技術開発

著者

山田 隆昇

雑誌名

技術報告集

9 (2003年度)

ページ

69-72

発行年

2004-04

URL

http://hdl.handle.net/10098/7474

(2)

赤外線集中加熱炉による単結晶育成技術開発

第二技術室物理計測班

山田隆昇

1. まえがき 単結晶の育成法には種々開発されているが,赤外線集中加熱装置( '"'-'28000 C) による浮遊 帯溶融法 (Floating-Zone 法)は,溶融体を空間に浮遊させながら融解・疑固により結晶育 成を行う方法で,良質な単結晶が育成できる。この装置を駆使して,酸化物絶縁体結晶の育 成,単結晶育成試料(粉末試料)の圧縮成形を行うラパープレス器の製作、圧縮成形された固 体試料の焼結用高温電気炉の製作、単結晶育成時の試料ホルダーの改良製作等により単結晶 育成技術の修得研修を行った。 2. 赤外線集中加熱単結晶製造装置の構成 図 1 は,赤外線集中加熱単結晶製造装置 (SC-5D NEC) の主要部分を示した概略図で,試料(焼結棒・ 種結晶)の上下移動,左右回転をする部分については, 上下軸移動モーター機構により行う。本装置の熱源 は,キセノンアークランプ (5400w) で,ここから出 た光は周囲の回転楕円面鏡(内面金メッキ)の反射収 束により加熱点に集光される.加熱部は,透明石英管 の中にあり,上主軸にはラパープレス器により圧縮成 形、焼結用高温電気炉でベーキング (1 、 2000 C) した 焼結試料棒が白金線 (φ0.3) で吊され,下部主軸には、 改良・設計製作した下主軸移動機構(上下移動・左右 回転)の主軸先端にセラミックとアルミナ板の試料ホ ルダーに固まれた種結晶が装着されている.加熱によ りこの上下 2 つの試料棒の聞に浮遊溶融帯が形成され る.上主軸は左回転 (0.6'"'-'68rpm) しながら下降し (0.

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,下主軸は右回転 (8'"'-' 60rpm) しながら 下降し (5'"'-'

200mm/hr

)両者を回転させながらゆっく りと集光された加熱点よりき下げる事により、上側の 焼結試料棒が融け下軸の試料上に単結晶が育成する。 n y p o パノ ン ピ一) ツ勺動 テ一比一日 スモ( 図 1 赤外線集中加熱単結晶製造装置の 概略図

(3)

赤外線集中加熱装置の特長 高温 (2800 't)が手軽に得られる。 赤外線加熱のため,高周 波誘導加熱で溶融できない種々の酸化物単結晶等の育成が可能. 浮遊帯溶融法 (Floating-Zonß 法)で,るつぼが要らず,不純物が混入しないので,高純度の単結晶を容易に 得られる。 浮遊溶融帯の部分が石英管で遮断されているので,結品成長に最適の雰囲気ガス を使用する事が出来,圧力も変える事が出来る。 赤外線は円周方向から浮遊溶融帯を照射で き,円周方向の温度分布が均一である。 オベレータはスクリーンに映し出された浮遊溶融帯 を継続して監視する事が出来る。 キセノンランプは長時間安定した赤外出力が得られ,パワ ーコントロールが容易に出来る。 3. 単結晶育成試料(粉末試料)の圧縮成形を行うラパープレス器の製作 従来の圧縮成形法では、ステンレス円筒や塩ピパイプを内蔵したプレス容器で、単結晶育成試 料(粉末試料)の圧縮成形を行っていたが、プレス過程で、粉末試料と硬化剤(ポリビニールア ルコール)、超純水の割合や粘度の度合いが困難で、プレス時に試料が曲折や塩ピパイプ内に詰 まったりと大変困難を極めていたので、試料の圧縮成形プレス器として、図 2 のステンレス製、 ラパープレス器(静水圧加圧装置)を設計製作した。 ラパープレス器の外容器はステンレス製で φ80

x

220 の中繰り (φ33

x

195) を行い、上部のプ レス駆動軸往復部 (φ33x 75) と下部の試料保管部に分かれており、駆動軸往復部の内面は、静水 圧力が漏れないように精密加工を行った。プレス駆動軸先端には、 5 t の圧力がかかり且つ圧力 漏れの無い気密を保つためピストン駆動用の KY パッキン (KY20) とパックアプリング (TF-KY20) を使用した、また頭部には圧力を逃がす吐出バルブ、を取り付け、プレス駆動軸を挿入時やプレス ラパーブレ 図 2 ラパープレス器 図 3 試料の圧縮成形プレス 終了後の減圧に使用する。 図 2 の製作したラパープレス器内に、水を入れ、ゴム風船に封入し た単結晶育成試料(粉末試料)を沈め、プレス駆動軸を挿入し図 3 の様に、油圧ミニプレス器に セットして粉末試料の圧縮成形プレスを行った。 n u 門 i

(4)

4. 単結晶育成試料(粉末試料)の圧縮成形 粉末試料を圧縮成形(プレス)を行い図 6 の様な固形試料を作成する過程を次の様に行う。 ①図 4 のロケットゴム風船 (w9

x

100) を洗浄後裏返しにして、計量 (3"-' 5g) した粉末試料

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1

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とポリビニールアルコール)を更に細かくすりつぶして、 Vロートから注ぎ込み短 時間真空引きを行い、形を整えて綴じる。②試料封入ゴム風船を穴付き金属板に図 5 の様にセ ットし、図 2 のラパープレス器内に水 (100cc) を入れ挿入する。③ラパープレスの静水圧 5"-'

6

t を 10 分間維持し取り出すと図 6 の様な固形試料(左<Þ 5

x

50、右 φ9x 60) が出来る。 図 4 ロケットゴム風船 図 5 粉末試料セット 図 6 プレス後の固形試料 5. 単結晶育成試料(固体試料)の焼結用高温電気炉の製作 単結品育成試料の焼結用横型高温電気炉

(

"-'1700"C)を、スパイラル型テコランダム (東芝 DST-32-1 炭化けい素 (SiC) 発熱体 1700"C)と切断加工可能な高温耐火断熱煉瓦 (ニッカト CP-M 7Jv ミナ) を駆使して図 7 , 8 の様 に設計製作した。テコランダム発熱部の最高 温度は 17000 C と高温を示すが、試料焼結は HB 保護管(ニッカトー Dφ17x500) 内で 13000 C設定 にして、同時に HB 保護管 4 本を炉内に挿入 し、 4 本の試料を同時に焼結出来るように製 作した。図 9 に焼結用高温電気炉の温度分布 図 8 焼結用高温電気炉 。。 ω スパイラル~テコランタム(発然体) 図 7 焼結用高温電気炉側面図 続線炉温1:特性{即V7A) 叫冊

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12叩 1 は淘 蜘脚 【ρ 日制園間 4曲 E∞ 、、、、、。。、F ややや "から由箆織("",) 図 9 焼結用高温電気炉の温度分布図 司­ 門 i

(5)

図を示す。設定温度 13000 C 時、真中の 1 本は発熱体底部より 8cm の所で最高温度 13000 C となり、 中心の発熱体より上・横に 5mm 離れた他 3 本は 11500 C と 1500 C低い結果になった。しかし図 9 の温度分布図より設定温度 13000 C で、保護管底部より 5'" 1 1 cm の全体温度が 1100'" 11500 C と 11000 C の高温が得られることから、固形試料長 6 cm の試料焼結を行い 4 本とも 11000 C 以上の高 温にて充分試料を焼結することが出来た。 6. 赤外線集中加熱炉を駆使しての酸化物結 晶育成と試料ホルダーの製作 赤外線集中加熱炉 ("'28000 C) を駆使しての酸 化物結品育成で、焼結国体試料ホルダーの製作を 行った。試料ホルダーは高温(20000 C) に耐え、ガ ス化せず、急熱急冷性が良好な材料を選定、ステ ンレス、セラミックス、 CB アルミナ板等を組み 合わせたホルダーを製作して酸化物単結晶を育 成することが出来た。図 1 0 の右図・焼結下軸試 料のホルダーは、セラミックス(石原産業マコー ノレ φ20x30 最高使用温度 10000 C) を加工し、その 上に CB アルミナ板で焼結試料を挟み込み白金線 (φ0.3) で固定して、赤外線集中加熱炉(図 1 1) に セットを行い酸化物結晶育成を行った。しかし、 マコールの上部が熔けたため、更に高温のセラミ ックス(石原産業ローテック -TM チタン酸アル ミニウム φ20x30 最高使用温度 15000 C) を加工 製作して、酸化物結晶育成を行い図 1 2 の様なア ルミン酸マグネシウムに不純物として酸化テル ピウムを添加した単結晶 (MgA1

2

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4

: Tb

4

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) ができ た。今後は、この試料ホルダーが曲折・回転が容 易に出来る試料ホルダーの技術開発を行い設計 製作したい。 7. 謝辞 ラパープレス器の製作において加工製作方法 等,機械工場の嶋崎喜代治、川崎孝俊技術職員に お教えいただき,深く感謝し、たします。 8. 参考文献・資料 図 10 左・焼結上軸試料 右・焼結下軸試料 図 11 赤外線集中加熱炉内 図 12 単結晶の MgA1

2

0

4

:

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407 (1) 北樺宏一・立木秀康:キセノン・トクイメーシ守炉による高融点物質の単結晶製造 東京大学工学部 (2) 武居文彦

:

赤外線集中加熱炉による単結晶育成 東北大学金属研究所 72

参照

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