R1RP0416D シリーズ

カタログ等資料中の旧社名の扱いについて

2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ

が合併し、両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社

名での表記が残っておりますが、当社の資料として有効ですので、ご理解の程宜しくお願い

申し上げます。

ルネサスエレクトロニクス ホームページ（http://www.renesas.com）

2010 年 4 月 1 日

ルネサスエレクトロニクス株式会社

【発行】ルネサスエレクトロニクス株式会社（http://www.renesas.com）

【問い合わせ先】http://japan.renesas.com/inquiry

１． 本資料に記載されている内容は本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。当社製品 のご購入およびご使用にあたりましては、事前に当社営業窓口で最新の情報をご確認いただきますとともに、 当社ホームページなどを通じて公開される情報に常にご注意ください。 2. 本資料に記載された当社製品および技術情報の使用に関連し発生した第三者の特許権、著作権その他の知的 財産権の侵害等に関し、当社は、一切その責任を負いません。当社は、本資料に基づき当社または第三者の 特許権、著作権その他の知的財産権を何ら許諾するものではありません。 3. 当社製品を改造、改変、複製等しないでください。 4. 本資料に記載された回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報は、半導体製品の動作例、応用例を説 明するものです。お客様の機器の設計において、回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報を使用す る場合には、お客様の責任において行ってください。これらの使用に起因しお客様または第三者に生じた損 害に関し、当社は、一切その責任を負いません。 5. 輸出に際しては、「外国為替及び外国貿易法」その他輸出関連法令を遵守し、かかる法令の定めるところに より必要な手続を行ってください。本資料に記載されている当社製品および技術を大量破壊兵器の開発等の 目的、軍事利用の目的その他軍事用途の目的で使用しないでください。また、当社製品および技術を国内外 の法令および規則により製造・使用・販売を禁止されている機器に使用することができません。 6. 本資料に記載されている情報は、正確を期すため慎重に作成したものですが、誤りがないことを保証するも のではありません。万一、本資料に記載されている情報の誤りに起因する損害がお客様に生じた場合におい ても、当社は、一切その責任を負いません。 7. 当社は、当社製品の品質水準を「標準水準」、「高品質水準」および「特定水準」に分類しております。また、 各品質水準は、以下に示す用途に製品が使われることを意図しておりますので、当社製品の品質水準をご確 認ください。お客様は、当社の文書による事前の承諾を得ることなく、「特定水準」に分類された用途に当 社製品を使用することができません。また、お客様は、当社の文書による事前の承諾を得ることなく、意図 されていない用途に当社製品を使用することができません。当社の文書による事前の承諾を得ることなく、 「特定水準」に分類された用途または意図されていない用途に当社製品を使用したことによりお客様または 第三者に生じた損害等に関し、当社は、一切その責任を負いません。なお、当社製品のデータ・シート、デ ータ・ブック等の資料で特に品質水準の表示がない場合は、標準水準製品であることを表します。 標準水準： コンピュータ、OA 機器、通信機器、計測機器、AV 機器、家電、工作機械、パーソナル機器、 産業用ロボット 高品質水準： 輸送機器（自動車、電車、船舶等）、交通用信号機器、防災・防犯装置、各種安全装置、生命 維持を目的として設計されていない医療機器（厚生労働省定義の管理医療機器に相当） 特定水準： 航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、原子力制御システム、生命維持のための医療機器（生 命維持装置、人体に埋め込み使用するもの、治療行為（患部切り出し等）を行うもの、その他 直接人命に影響を与えるもの）（厚生労働省定義の高度管理医療機器に相当）またはシステム 等 8. 本資料に記載された当社製品のご使用につき、特に、最大定格、動作電源電圧範囲、放熱特性、実装条件そ の他諸条件につきましては、当社保証範囲内でご使用ください。当社保証範囲を超えて当社製品をご使用さ れた場合の故障および事故につきましては、当社は、一切その責任を負いません。 9. 当社は、当社製品の品質および信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品はある確率で故障が発生した り、使用条件によっては誤動作したりする場合があります。また、当社製品は耐放射線設計については行っ ておりません。当社製品の故障または誤動作が生じた場合も、人身事故、火災事故、社会的損害などを生じ させないようお客様の責任において冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計等の安全設計およびエージン グ処理等、機器またはシステムとしての出荷保証をお願いいたします。特に、マイコンソフトウェアは、単 独での検証は困難なため、お客様が製造された最終の機器・システムとしての安全検証をお願いいたします。 10. 当社製品の環境適合性等、詳細につきましては製品個別に必ず当社営業窓口までお問合せください。ご使用 に際しては、特定の物質の含有･使用を規制するRoHS 指令等、適用される環境関連法令を十分調査のうえ、 かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関し て、当社は、一切その責任を負いません。 11. 本資料の全部または一部を当社の文書による事前の承諾を得ることなく転載または複製することを固くお 断りいたします。 12. 本資料に関する詳細についてのお問い合わせその他お気付きの点等がございましたら当社営業窓口までご 照会ください。 注1. 本資料において使用されている「当社」とは、ルネサスエレクトロニクス株式会社およびルネサスエレク トロニクス株式会社がその総株主の議決権の過半数を直接または間接に保有する会社をいいます。 注2. 本資料において使用されている「当社製品」とは、注 1 において定義された当社の開発、製造製品をいい ます。

RJJ03C0095-0200 Rev.2.00, 2008.12.12, page 1 of 14

R1RP0416D

_シリーズ

4M High Speed SRAM (256-kword

× 16-bit)

RJJ03C0095-0200

Rev. 2.00

2008.12.12

概要

R1RP0416Dシリーズは 256k ワード×16 ビット構成の 4M ビット高速スタティック RAM です。CMOS（6 ト ランジスタメモリセル）プロセス技術を採用し，高密度，高性能，低消費電力を実現しました。したがって R1RP0416Dシリーズはキャッシュ，バッファメモリシステムに最適です。とくに、L-Version ,S-Version は低 消費電力でありバッテリバックアップシステムに最適です。パッケージは 400-mil 44 ピンプラスチック SOJ と 400-mil 44 ピンプラスチック TSOPII を用意しています。

特長

•

単一 5.0V 電源：5.0V ± 10%

•

アクセス時間：10ns / 12ns (max)

•

完全なスタティックメモリです。  クロック，タイミングストローブを必要としません。

•

アクセスとサイクル時間が同じです。

•

すべての入出力が TTL コンパチブルです。

•

動作電流：170mA / 160mA (max)

•

TTLスタンバイ電流：40mA (max)

•

CMOSスタンバイ電流 ：5mA (max)

：1.0mA (max) (L-version) ：0.5mA (max) (S-version)

•

データ保持電流：0.5mA (max) (L-version)

: 0.2mA (max) (S-version)

•

データ保持電圧：2V (min) (L-version ,S-version)

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製品ラインナップ

Type No. Access time Version Package

R1RP0416DGE-0PR 10 ns Normal

R1RP0416DGE-2PR 12 ns Normal 400-mil 44-pin plastic SOJ (44P0K)

R1RP0416DGE-2LR 12 ns L-Version

R1RP0416DGE-2SR 12 ns S-Version

R1RP0416DSB-0PR 10 ns Normal

R1RP0416DSB-2PR 12 ns Normal 400-mil 44-pin plastic TSOPII (44P3W-H)

R1RP0416DSB-2LR 12 ns L-Version

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ピン配置

A0 A1 A2 A3 A4 CS# I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 VCC VSS I/O5 I/O6 I/O7 I/O8 WE# A5 A6 A7 A8 A9 (Top View) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 A17 A16 A15 OE# UB# LB# I/O16 I/O15 I/O14 I/O13 VSS VCC I/O12 I/O11 I/O10 I/O9 NC A14 A13 A12 A11 A10 44-pin SOJ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 A0 A1 A2 A3 A4 CS# I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 VCC VSS I/O5 I/O6 I/O7 I/O8 WE# A5 A6 A7 A8 A9 A17 A16 A15 OE# UB# LB# I/O16 I/O15 I/O14 I/O13 VSS VCC I/O12 I/O11 I/O10 I/O9 NC A14 A13 A12 A11 A10 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 44-pin TSOP (Top View)

ピン説明

Pin name Function

A0 to A17 Address input

I/O1 to I/O16 Data input/output

CS# Chip select

OE# Output enable

WE# Write enable

UB# Upper byte select

LB# Lower byte select

VCC Power supply

VSS Ground

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ブロックダイアグラム

1024-row × 32-column × 8-block × 16-bit (4,194,304 bits) CS V_CC V_SS

A8 A9 A17 A15 A16 A0 A2 A4

Column I/O Column decoder I/O1 WE# Input data control Row decoder OE# CS# CS CS LB# UB# I/O16 I/O9 I/O8 . . . . . . A14 A13 A12 A5 A6 A7 A11 A10 A3 A1 (LSB) (MSB) Internal voltage generator (LSB) (MSB)

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動作表

CS# OE# WE# LB# UB# Mode VCC current I/O1−I/O8 I/O9−I/O16 Ref. cycle

H × × × × Standby ISB, ISB1 High-Z High-Z 

L H H × × Output disable ICC High-Z High-Z 

L L H L L Read ICC Output Output Read cycle

L L H L H Lower byte read ICC Output High-Z Read cycle

L L H H L Upper byte read ICC High-Z Output Read cycle

L L H H H  ICC High-Z High-Z 

L × L L L Write ICC Input Input Write cycle

L × L L H Lower byte write ICC Input High-Z Write cycle

L × L H L Upper byte write ICC High-Z Input Write cycle

L × L H H  ICC High-Z High-Z 

【注】 H: VIH, L: VIL, ×: VIH or VIL

絶対最大定格

Parameter Symbol Value Unit

Supply voltage relative to VSS VCC −0.5 to +7.0 V

Voltage on any pin relative to VSS VT −0.5*

1

to VCC + 0.5* 2

V

Power dissipation PT 1.0 W

Operating temperature Topr 0 to +70 °C

Storage temperature Tstg −55 to +125 °C

Storage temperature under bias Tbias −10 to +85 °C

【注】 1. パルス幅 (under shoot) 6ns 以下の場合，−2.0V。 2. パルス幅 (over shoot) 6ns 以下の場合，VCC + 2.0V。

推奨 DC 動作条件

(Ta = 0 to +70°C)

Parameter Symbol Min Typ Max Unit

Supply voltage VCC* 3 4.5 5.0 5.5 V VSS*4 0 0 0 V Input voltage VIH 2.2  VCC + 0.5*2 V VIL −0.5*1  0.8 V 【注】 1. パルス幅 (under shoot) 6ns 以下の場合，−2.0V。 2. パルス幅 (over shoot) 6ns 以下の場合，VCC + 2.0V。 3. すべての VCCピンは同一の電位としてください。 4. すべての VSSピンは同一の電位としてください。

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DC

特性

(Ta = 0 to +70°C, VCC = 5.0V ± 10%, VSS = 0 V)

Parameter Symbol Min Max Unit Test conditions

Input leakage current |ILI|  2 µA VIN = VSS to VCC

Output leakage current |ILO|  2 µA VIN = VSS to VCC

10ns cycle ICC  170 mA

Operating power supply current

12ns cycle ICC  160 mA

Min cycle

CS# = VIL, IOUT = 0 mA

Other inputs = VIH/VIL

Standby power supply current ISB  40 mA Min cycle, CS# = VIH,

Other inputs = VIH/VIL ISB1  5 mA f = 0 MHz VCC≥ CS# ≥ VCC− 0.2 V, (1) 0 V ≤ VIN≤ 0.2 V or (2) VCC≥ VIN≥ VCC− 0.2 V *1 1.0*1 mA *2 0.5*2 mA Output voltage VOL  0.4 V IOL = 8 mA VOH 2.4  V IOH = −4 mA 【注】 1. L バージョンのみに適用。 2. Sバージョンのみに適用。

容量

(Ta = +25°C, f = 1.0MHz)

Parameter Symbol Min Max Unit Test conditions

Input capacitance*1 CIN  6 pF VIN = 0 V

Input/output capacitance*1 CI/O  8 pF VI/O = 0 V

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AC

特性

(Ta = 0 to +70°C, VCC = 5.0V ± 10%, unless otherwise noted.)

測定条件

•

入力パルスレベル：3.0V/0.0V

•

入力上昇／下降時間：3ns

•

入出力タイミング参照レベル：1.5V

•

出力負荷：下図参照（スコープ，ジグ容量含む） Output load (B) (for t_CLZ, t_OLZ, t_BLZ, t_CHZ, t_OHZ,

t_BHZ, t_WHZ, and t_OW) D_OUT 255 Ω 480 Ω 5 V 5 pF 1.5 V 30 pF D_OUT RL = 50 Ω

Output load (A) Zo = 50 Ω

リードサイクル

R1RP0416D

10nsﾊﾞｰｼﾞｮﾝ 12ns ﾊﾞｰｼﾞｮﾝ

Parameter Symbol Min Max Min Max Unit Notes

Read cycle time tRC 10  12  ns

Address access time tAA  10  12 ns

Chip select access time tACS  10  12 ns

Output enable to output valid tOE  5  6 ns

Byte select to output valid tBA  5  6 ns

Output hold from address change tOH 3  3  ns

Chip select to output in low-Z tCLZ 3  3  ns 1

Output enable to output in low-Z tOLZ 0  0  ns 1

Byte select to output in low-Z tBLZ 0  0  ns 1

Chip deselect to output in high-Z tCHZ  5  6 ns 1

Output disable to output in high-Z tOHZ  5  6 ns 1

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ライトサイクル

R1RP0416D

10nsﾊﾞｰｼﾞｮﾝ 12ns ﾊﾞｰｼﾞｮﾝ

Parameter Symbol Min Max Min Max Unit Notes

Write cycle time tWC 10  12  ns

Address valid to end of write tAW 7  8  ns

Chip select to end of write tCW 7  8  ns 8

Write pulse width tWP 7  8  ns 7

Byte select to end of write tBW 7  8  ns

Address setup time tAS 0  0  ns 5

Write recovery time tWR 0  0  ns 6

Data to write time overlap tDW 5  6  ns

Data hold from write time tDH 0  0  ns

Write disable to output in low-Z tOW 3  3  ns 1

Output disable to output in high-Z tOHZ  5  6 ns 1

Write enable to output in high-Z tWHZ  5  6 ns 1

【注】 1. トランジションは，出力負荷回路（B）によって定常状態の電圧から±200mV 変化するまでの時 間で測定。このパラメータは全数測定されたものではなく，サンプル値です。

2. CS#または LB#または UB#の low 遷移が WE#の low 遷移と同時，あるいは WE#の遷移後に生じ

る場合，出力は high-Z の状態が維持されます。

3. アドレス遷移時は，WE#または CS#を high にする必要があります。

4. CS#と OE#と LB#または UB#がこの期間中 low になると I/O 端子は出力状態になります。この間，

出力に対し逆位相の信号を印加しないでください。

5. tASは最も遅いアドレス遷移から，CS#と WE#と LB#または UB#の low 遷移のいずれか遅い遷移

で規定します。

6. tWRは CS#と WE#と LB#または UB#の high 遷移のいずれか早い遷移から最初のアドレス遷移で

規定します。

7. 書き込みは，CS#が low，WE#が low，LB#または UB#が low のオーバーラップ中（tWP）に行わ

れます。書き込み開始は，CS#の low 遷移，WE#の low 遷移，LB#または UB#の low 遷移のうち， 最も遅い遷移点で始まります。書き込みの終了は，CS#の high 遷移，WE#の high 遷移，LB#ま たは UB#の high 遷移のうち，最も早い遷移点で終わります。

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タイミング波形

リードサイクル (1) (WE# = V

IH

)

t_AA t_ACS t_OE t_BA t_BLZ t_OLZ t_CLZ t_OH t_CHZ t_OHZ t_BHZ tRC

Address Valid address

Valid data D_OUT CS# OE# LB#, UB# High impedance *1 *1 *1 *1 *1 *1 *4 *4

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リードサイクル (2) (WE# = V

IH

, LB# = V

IL

, UB# = V

IL

)

t_AA t_ACS t_RC t_OE t_CLZ Valid data Address CS# D_OUT Valid address High impedance t_OHZ OE# t_OH t_CHZ t_OLZ *1 *1 *1 *1 *4 *4

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ライトサイクル (1) (WE# Controlled)

Address WE#*3 t_WC t_AW t_AS t_WR t_WP t_WHZ tOLZ t_OW t_OHZ t_CW t_BW t_DH t_DW Valid address Valid data CS#*3 OE# LB#, UB# D_OUT D_IN High impedance *2

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ライトサイクル (2) (CS# Controlled)

Address CS# *3 t_WC t_AW t_AS t_WR t_WP t_WHZ tOLZ t_OW t_OHZ t_CW t_BW t_DH t_DW Valid address Valid data WE#*3 OE# LB#, UB# D_OUT D_IN High impedance *2 *4

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ライトサイクル (3) (LB#, UB# Controlled, OE# = V

IH

)

Address D_IN-UB (D_IN-LB) D_IN-LB (D_IN-UB) D_OUT High impedance Valid address t_DW t_DH t_CW t_AS t_BW t_WP t_WC t_WR t_AW WE#*3 CS#*3 UB# (LB#) LB# (UB#) t_BW Valid data t_DW t_DH Valid data

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低電源電圧時データ保持特性

(Ta = 0 to +70°C) この特性は L バージョン/S バージョンのみ保証します。

Parameter Symbol Min Max Unit Test conditions

VCC for data retention VDR 2.0  V VCC≥ CS# ≥ VCC− 0.2 V,

(1) 0 V ≤ VIN≤ 0.2 V or

(2) VCC≥ VIN≥ VCC− 0.2 V

L-Version ICCDR  500

Data retention current

S-Version ICCDR  200

µA VCC = 3 V

VCC≥ CS# ≥ VCC− 0.2 V,

(1) 0 V ≤ VIN≤ 0.2 V or

(2) VCC≥ VIN≥ VCC− 0.2 V

Chip deselect to data retention time tCDR 0  ns See retention waveform

Operation recovery time tR 5  ms

低電源電圧時データ保持タイミング波形

CC V 2.2 V 4.5 V 0 V CS# t_CDR tR DR V

Data retention mode

改訂記録 R1RP0416D シリーズデータシート

改訂内容 Rev. 発行日 ページ ポイント 0.01 Sep. 30, 2003  初版発行 1.00 2004.03.12  暫定仕様の削除 2.00 2008.12.12 アクセスグレード 10ns 品ならびに S-Version の追加 P2 製品ラインナップ：R1RP0416DSB-0PR/DGE-0PR を追加 P2 製品ラインナップ：R1RP0416DSB-2SR/DGE-2SRR を追加

P6 DC 特性に、10ns cycle 品の operating power supply current を記載

DC 特性に、S-Version 品の ISB1を記載

P7 リードサイクルに、10ns 品のタイミング規格を記載

P8 ライトサイクルに、10ns 品のタイミング規格を記載

ޥ100-0004 ජઍ↰඙ᄢᚻ↸2-6-2 (ᣣᧄࡆ࡞) ޥ190-0023 ┙ᎹᏒᩊፒ↸2-2-23 (╙ੑ㜞ፉࡆ࡞) ޥ980-0013 ઄บᏒ㕍⪲඙⧎੩㒮1-1-20 (⧎੩㒮ࠬࠢࠛࠕ) ޥ970-8026 ޿ࠊ߈Ꮢᐔሼ↰↸120 (࡜࠻ࡉ) ޥ312-0034 ߭ߚߜߥ߆Ꮢၳญ832-2 (ᣣ┙ࠪࠬ࠹ࡓࡊ࡜ࠩൎ↰) ޥ950-0087 ᣂẟᏒਛᄩ඙᧲ᄢㅢ1-4-2 (ᣂẟਃ੗‛↥ࡆ࡞) ޥ390-0815 ᧻ᧄᏒᷓᔒ1-2-11 (ᤘ๺ࡆ࡞) ޥ460-0008 ฬฎደᏒਛ඙ᩕ4-2-29 (ฬฎደᐢዊ〝ࡊ࡟ࠗࠬ) ޥ541-0044 ᄢ㒋Ꮢਛᄩ඙ફ⷗↸4-1-1 (᣿ᴦ቟↰↢๮ᄢ㒋ᓮၴ╭ࡆ࡞) ޥ920-0031 ㊄ᴛᏒᐢጟ3-1-1 (㊄ᴛࡄ࡯ࠢࡆ࡞) ޥ730-0036 ᐢፉᏒਛ඙ⴼ↸5-25 (ᐢፉⴼ↸ࡆ࡞࠺ࠖࡦࠣ) ޥ812-0011 ⑔ጟᏒඳᄙ඙ඳᄙ㚞೨2-17-1 (ඳᄙࡊ࡟ࠬ࠹࡯ࠫ) (03) 5201-5350 (042) 524-8701 (022) 221-1351 (0246) 22-3222 (029) 271-9411 (025) 241-4361 (0263) 33-6622 (052) 249-3330 (06) 6233-9500 (076) 233-5980 (082) 244-2570 (092) 481-7695 ᧄ ␠ ⷏ ᧲ ੩ ᡰ ␠ ᧲ ർ ᡰ ␠ ޿ ࠊ ߈ ᡰ ᐫ ⨙ ၔ ᡰ ᐫ ᣂ ẟ ᡰ ᐫ ᧻ ᧄ ᡰ ␠ ਛ ㇱ ᡰ ␠ 㑐 ⷏ ᡰ ␠ ർ 㒽 ᡰ ␠ ᐢ ፉ ᡰ ᐫ ਻ Ꮊ ᡰ ␠ عᛛⴚ⊛ߥ߅໧วߖ߅ࠃ߮⾗ᢱߩߏ⺧᳞ߪਅ⸥߳ߤ߁ߙޕ ޓ✚ว߅໧วߖ⓹ญ㧦ࠦࡦ࠲ࠢ࠻࠮ࡦ࠲ޓE-Mail: [email protected]

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