1 Publication Order Number:

(1)

December, 2016 − Rev. 1

1 Publication Order Number:

AND8338JP/D

AND8338/D

アプリケーションでの DC-DCコンバータによるの

はじめににおけるのがますますきくなるので、はバッテリのをばし、

をするために、システムのを !する"があります。エネルギー&'の() により*の+,-を.ることができます。/0!と 12!のために、3456がきく78して、

9:;<や=の>4には5?の@A-BをCき DこすEF-があります。

GHした

DC−DC

コンバータはKL、システム

をM7させるためにNOされます。PQRでは、

どのような*STをUVするにもWPXな*YZで [\であることを]すために、^_`のスイッチング・レギュレータにXをeっています。PQR では、f*をghするためのヒントやトリックについてklします。

#$の%&

のmnはoXのpqにrpします｡

Equation 1

をNOし、スイッチング・コンバータにt してuvにwすることができます。

P

_DIP

+ V

OUT

I

OUT

ǒ _Eff ¹ ^* ¹ Ǔ ^{(eq. 1)}

=xyケースにより、はポイントをめることができます。{パラメータの

=ケースをnして=ポイントをするのに、BがHちます。

Table 1. WORST ENVIRONMENT CASES FOR DC-DC EFFICIENCY

Switching Converters

Ambient Temperature High

Input Voltage Minimum

Output Current Maximum

1.2 V

でコアを9するようにされたBのア

プリケーションを]すのに、

NCP1529 − 1 A

DC−DC

コンバータがNOされます。は

900 mA

をえません。

Figure 1. NCP1529 Efficiency at V

_IN

= 2.7 V, V

_OUT

= 1.2 V, Temp = 85 ° C

APPLICATION NOTE

www.onsemi.jp

(2)

AND8338/D

www.onsemi.jp 2 P

_DIPmax

+ V

_OUT

I

_OUT

ǒ _Eff ¹ ^* ¹ Ǔ

+ 1.2 0.9 ǒ _60% ¹ ^* ¹ Ǔ ⁺ ^{720 mW} ^{(eq. 2)}

=ケースのポイント

(Table 1 、 Figure 1

にい、

Equation 1

をNO

)

からのようになります。のセクションでは、

NCP1529

をNOするアプリケーションのが

720 mW

になるように ! するを]します。

からへの*+

シリコン345からoへのの*をするFは*としてnされます。このパラメータは、のnセクションにされており、アプリケーションのWレイアウトにきく

します。

R _q _JA

により、

(W)

から6

( ° C)

に ¡ することができます。このは°

C/W

で¢えられ、

のとおりされます。

Figure 2.

T

_J

T

_A

R

_q_JA

f

*がいほど、デバイスの*Fは^

くなります。この* は3 4 5 6

(T J )

とその¤¥あるいは¤¦6

(T _A )

§の6¨に©し、

Equation 3

によってのªがられます。

T

_J

* T

_A

+ R

_q_JA

f (eq. 3)

ここで、*フローφ

(W)

は、§v®¯たりの°6

±を²える*エネルギー

(J)

です。

f + dQ

dt (eq. 4)

*からo³´へのµ¶は*フローをに pび·けます。

P

_DIP

+ f (eq. 5)

¸わりに、シリコン345

−

o§の*により、*STを¹じることなくアプリケーションがº

EFな¤¦6をwすることができます。

T

_Amax

+ T

_Jmax

* (R

_q_JA

P

_DIPmax

) (eq. 6)

ここで、

T _Jmax

は»¼3456で、

NCP1529

の>4は

T _Jmax = 150 ° C

です。

*f½プロセスをシリコン345、リードフレーム、パッケージ、Wまたは

PCB

、および¤¦の

4

つの5\に\Àできます。{セクションは、oXグラウンドでされる¤¦5\をÁいて、*によってされます。

Ambient

Junction Leadframe Package Board

Figure 3.

T

_J

T

_L

T

_P

T

_B

T

_A

R

_q_JL

R

_q_LP

R

_q_PB

R

_q_BA

このモデルは*フロー・プロセスでWレイアウトがÃをqたすことをÄらかにします。

Figure 4

に、

3

ÅÆのボード

(

f½È0と*ビアスによる

)

にYする345

−

¤¦§の*-Fを]します。

これらのmnªは、Ê

/

グランド・プレーンが

1 0 0 %

のË ¦とみなされる

2 S 2 P

W

( 2 -

@ Ì、

2-

Ê

/

グランド・プレーン

)

にÍÎされた

NCP1529

の Ï-ÐÑからÒ_したものです。

(3)

AND8338/D

www.onsemi.jp 3 0

50 100 150 200 250 300 350

Dissipation / Vias area

Thermal Resistor

TSOP5 UDFN6

Figure 4. UDFN6/TSOP5 Thermal Resistor Performance vs. Board Layout 600 mm

²

, filled vias 600 mm

²

, no vias

50 mm

²

, no vias

ÓÔアプリケーションW(フィルドビアによる

600 mm ²

のWに

NCP1529

をÍÎ

)

は-Fを

5

Õに !します。

パッケージのÖ×も、¸アプリケーションで¤

¦6Øに 4させるÙのきなÚTです。

NCP1529

デバイスは、

TSOP−5 (3 x 3 mm)

および

UDFN−6 (2 x 2 mm)

パッケージでÛÜされます。7

のアプリケーションでは

720 mW

をf½できなければなりません。

Equation 6

によりBのpqがÝかれます。

Table 2. EXAMPLE OF POWER TO THERMAL CONVERSION

Package TSOP−5 UDFN−6

P

_DIPmax

720 mW 720 mW

R

_qJA

110 ° C/W 40 ° C/W

T

_Amax

70.8 ° C 121.2 ° C

パッケージのÖ×は､¸アプリケーションで¤¦

6Øに 4させるためのなÞßàáです。

パッケージの/0

<のパッケージは、¤¦6âªY をãnするディレーティングをNOしてn できます。

70 ° C

Bでは、

TSOP−5

パッケージと

UDFN−6

パッケージのäとも7アプリケーションに"な

720 mW

をf½できます。しかし、

UDFN−6

パッケージのf½Fでは

TSOP−5

パッケージよりも^い9:

6がられます。

UDFN−6

パッケージと

TSOP−5

パッケージ§のåな-Fのæいは、シリコンからアプリケーションWへの*3çを!するパッケージèによるものです。

Figure 5. Circuit’s Power Derating T

_A

, Ambient Temperature ( 5 C)

−40 P

D

, Power Dissipation (mW)

−20 0 20 40 60 80

720 mW

0 200 400 600 800 1000 1200

UDFN−6

TSOP−5

70 ° C

(4)

AND8338/D

www.onsemi.jp 4

12レイアウトの789

UDFN−6

パッケージのé_パッドは、 êに3ç

されていればf*をëにghできます。Bのルールにえば345-o§*を

1/5

までできます。

•

できるだけグランドおよびÊプレーンをìえた

4

í7の

PCB

をNOする。これによってoX- FもM7する。

• ^V IN & SW

トレースなどの^`µ¶をîする。

•

グランド・トップ・プレーンをé_パッドとグランド・ピンに3çする。

•

トップからグランド・プレーンおよびボトムからグランド・プレーンにできるだけðづけて、あるいはñò·けプロセスでEFな>4はé_パッドのBにf*ビアをóôする。これらのフリー・ビアにより°Ñf*õのサイズがきくなる。

Figure 6. NCP1529 UDFN−6 Recommended Board Layout

1さなÈ0で^-F

DC−DC

コンバータをNOする

にはをk÷する"があります。/0U¶

に*STがø¹しないようにするために、

NCP1529

スイッチング・レギュレータはùúおよび*シャットダウンýþU¶を内蔵しています。

ON SemiconductorびON SemiconductorのロゴはON SemiconductorというをうSemiconductor Components Industries, LLC しくはそののび/またはのにおけるです。ON Semiconductorは、、、トレードシークレット()とのに!する"を# します。ON Semiconductorの$%/ の&'!(リストについては、*+のリンクからご-いただけます。www.onsemi.com/site/pdf/Patent−Marking.pdf. ON Semiconductorは./なしで、0123の$%の45を 6うことがあります。ON Semiconductorは、いかなる7の8での$%の&9:について#;しておらず、また、お<=の$%において>?の@'や'からAじたBC、

に、DE、FE、GHなIJなどKLのIJに!して、いかなるBCもMうことはできません。お<=は、ON SemiconductorによってNOされたサポートやアプリケーションSTのUVにかかわらず、すべてのWX、YZ、[\:の]^あるいは_の`aをbむ、ON Semiconductor$%を'したお<=の$%とアプリケーションについてK LのBCをMうものとします。ON Semiconductorデータシートやd=1にeされるfg:のある「_」パラメータは、アプリケーションによってはkなることもあり、lm の:gもnFのopにより4qするfg:があります。「_」パラメータをbむすべてのrパラメータは、ご'になるアプリケーションに@じて、お<=のstuvw においてxyz;されるようお{い|します。ON Semiconductorは、そのやそのの"の+、いかなるライセンスも}しません。ON Semiconductor$%は、A~

や、いかなるFDA (%%)クラス3の、FDAがしないにおいてKもしくはのものとyされる、あるいは、へのを!(

としたにおける]%などへの'をしたはされておらず、また、これらを'!(としておりません。お<=が、このようなされたものではない、fされていないアプリケーション'にON Semiconductor$%をまたは'した9、たとえ、ON Semiconductorがその%のまたは$にしてp があったと¡¢されたとしても、そのようなせぬ'、また£fの'に¤した¥¦§から、DE、¨はFEにAじるすべてのクレーム、ª'、IJ、oª、および«¬®などを、

お<=のBCにおいて¯°をお{いいたします。また、ON Semiconductorとその±²、³²、、¤ 、´µ¶に!して、いかなるIJも·えないものとします。

ON Semiconductorは¸' ¹§/º»¼½¸'¡です。この¾®は&'されるあらゆるWの!(となっており、いかなる¿WによってもÀÁすることはできません。

PUBLICATION ORDERING INFORMATION

N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free USA/Canada

Europe, Middle East and Africa Technical Support:

Phone: 421 33 790 2910 Japan Customer Focus Center

Phone: 81−3−5817−1050

AND8338JP/D

LITERATURE FULFILLMENT:

Literature Distribution Center for ON Semiconductor 19521 E. 32nd Pkwy, Aurora, Colorado 80011 USA

Phone: 303−675−2175 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada Fax: 303−675−2176 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada Email: [email protected]

ON Semiconductor Website: www.onsemi.com Order Literature: http://www.onsemi.com/orderlit For additional information, please contact your local Sales Representative

1 Publication Order Number:

December, 2016 − Rev. 1