AND8307/D ESDクランプ性能の特性評価

© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008

January, 2017 − Rev. 2

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AND8307JP/D

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ESDクランプの

はじめにシステム・レベルにおける な

(ES D)

イベントをするのにもくされる は、

IEC61000−4−2

であり、このイベントはナノ のち がり!"と#$レベルの%&によって '(されます

(Figure 1

)*

)

。この%&の+,は

4

レ ベルの

ESD

の-きさに./しています。ほとんどの 012は、34を-56レベル、すなわち

8 kV

の 78または

15 kV

の9に.して:;するこ とを<=されています。

この56は>?@やラップトップ・コンピュー タなどのシステムHけにされたIJ56です。

この+,の56KLは、エンドユーザがアクセスP Qなシステム のポイントで、

10

SのTパルスと

10

SのVパルスをW<とし、ついで9X

(

ソフト[\

)

やシステムへの]^

(

ハード[\

)

が`aしたかどう かをbXします。

Table 1. IEC 61000−4−2 SPEC.

Level

Test Voltage

(kV)

First Peak Current (A)

Current at 30 ns (A)

Current at 60 ns

(A)

1 2 7.5 4 2

2 4 15 8 4

3 6 22.5 12 6

4 8 30 16 8

Figure 1. IEC61000−4−2 Spec I

_peak

90%

10%

100%

I @ 30 ns

I @ 60 ns

t

_P

= 0.7 ns to 1 ns

ESD

クランプの

ESD

cdデバイスは、これらのghの

ESD

サージ からijなklmnをcdするためのopなソリュ ーションです。オン・セミコンダクターなどcd3 4を3uする-vwのxyは、zyの34のIJ{

を

IEC 61000−4−2

に|}した$%&に~づいて56 しています。ただし、cdデバイスの

ESD

ストレス に.するIJ{は、ijなklmnに.してwな

cdを€えることをcしていません。wなcd を‚ƒするには、cdmnは

ESD

ストレスにIえる ことができるだけでなく、cd.„となるklmn がIえられるよう、

ESD

イベント!にそれに…†さ れる‡をˆ‰にŠく‹ŒすることもW<です。

cdデバイスの‡クランプQをŽするため に、†{:;がW<です。

ESD

イベントの!"

‘’でデバイスに†わる‡%&を“べると、cd .„となっている

IC

が”される‡に•する–—な

˜™がšられます。の56KLは、イベントの オシロスコープ%&のスクリーンショットをœšす ることによって、

ESD

イベント!のcdデバイスの

!"žにŸう‡%&を するために、オン・

セミコンダクターが¡しているステップの¢<を

£しています。

ESD

クランプ・スクリーンショットをるための !

1.

¤¥に

SMA

コネクタが§¨された#©%テス ト~ªにv4を«§します。cdv4の¬­

は

SMA

のセンタ・ピン、®­はグランドに7

¯します。

2. 50 Wケーブルで、テスト~ª の SMA

7¯を オシロスコープに7¯します。

a.

±²を³けるために、オシロスコープを

50 Wの´インピーダンスに0します。

3.

オシロスコープをcdするため､ケーブルと オシロスコープの"に¶·¸をします｡

a.

Tしい‡ が«ºできるように、

する¶·¸に»わせてオシロスコープの¼ v¶·¸を0します。

4. ESD

ガンのグランドを~ª¤¥の

SMA

7¯v にクリップすることにより、

ESD

テスト~ª のグランドに7¯します。

ESD

ガンの½­を

ESD

テスト~ª の

SMA

セ ンタ・ピンに7¯します。

5. ESD

ガンを78モードにて¿の‡で

します。

ESD

ダイオードは、

ESD

パルスの`aÀとグラン ドにÁ77¯されたピン"でÂÃされています。

cdダイオードのターンオンÄÅは、ケーブルの

50 WインピーダンスよりもはるかにŠく、 ESD

イベ

APPLICATION NOTE

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www.onsemi.jp 2

ント!の$の-vwはcdデバイスをÆじて$れ ます。Çにオシロスコープはイベント9の!"ž

にŸうクランプ%&のTÈな Éを£します。

の

Figure 2

および

3

は、 ÊのKLでËÌした 56セットアップを£します。

ESD

スクリーンショットのÍを、

Figure 4

に£しま す。pÎな

ESD

cdデバイスのÏましいЍは、

ESD

イベントのŒ¯!"9にÑÒにŠい‡%&

となっていることです。このスクリーンショットK

Óは、

2

つの

ESD

cdデバイスの{QをÔÕするÖ»

はにoとなります。これまで、この˜™はデー タシートからは×Øにšられなかったのですが、

IC

は

ESD

によりijになっていることから、オン・

セミコンダクターは

ESD

をŠ‡にクランプするデ バイスのW<{をÙ'しており、ÚÛではすべての

ESD

cdデバイスのデータシートに‡クランプ%

&のスクリーンショットをÜÝしています。

Figure 2. Diagram of ESD Test Setup 50 W

50 W Cable

TVS Oscilloscope

ESD Gun

Figure 3. Picture of ESD Test Setup

Figure 4. ESD Screenshot Example

(ON Semiconductor ESD9X5.0ST5G)

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ON SemiconductorびON SemiconductorのロゴはON SemiconductorというをうSemiconductor Components Industries, LLC しくはその のび/またはの におけるです。ON Semiconductorは、、、トレードシークレット()との に!する"を# します。ON Semiconductorの$%/ の&'!(リストについては、*+のリンクからご-いただけます。www.onsemi.com/site/pdf/Patent−Marking.pdf. ON Semiconductorは./なしで、0123の$%の45を 6うことがあります。ON Semiconductorは、いかなる7の8での$%の&9:について#;しておらず、また、お<=の$%において>?の@'や'からAじたBC、

に、DE、FE、GHなIJなどKLのIJに!して、いかなるBCもMうことはできません。お<=は、ON SemiconductorによってNOされたサポートやアプリケー ションSTのUVにかかわらず、すべてのWX、YZ、[\:の]^あるいは_の`aをbむ、ON Semiconductor$%を'したお<=の$%とアプリケーションについてK LのBCをMうものとします。ON Semiconductorデータシートやd=1にeされるfg:のある「_」パラメータは、アプリケーションによってはkなることもあり、lm の:gもnFのopにより4qするfg:があります。「_」パラメータをbむすべてのrパラメータは、ご'になるアプリケーションに@じて、お<=のstuvw においてxyz;されるようお{い|します。ON Semiconductorは、そのやそのの"の+、いかなるライセンスも}しません。ON Semiconductor$%は、A~

€‚や、いかなるFDA (ƒ%„…%†)クラス3の„‡ˆ‰、FDAがŠ‹しないŒにおいてŽKもしくはのものとyされる„‡ˆ‰、あるいは、‘’への“”を!(

としたˆ‰における•]–%などへの'を—˜した™šはされておらず、また、これらを'!(としておりません。お<=が、このような—˜されたものではない、fさ れていないアプリケーション'にON Semiconductor$%を›œまたは'した9、たとえ、ON Semiconductorがその–%の™šまたは$žにŸしてp があったと¡¢され たとしても、そのような—˜せぬ'、また£fの'にŸ¤した¥¦§から、DE、¨はFEにAじるすべてのクレーム、ª'、IJ、oª、および«¬­®などを、

お<=のBCにおいて¯°をお{いいたします。また、ON Semiconductorとその±²、³²、 、Ÿ¤ 、´µ¶に!して、いかなるIJも·えないものとします。

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