© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008
December, 2016 − Rev. 2
1 Publication Order Number:
AND8308JP/D
AND8308/D
ESDデバイスにするデータシー ト・パラメータの
はじめに
(ESD)
デバイスは、サージやESD
イ ベントからをするうえでなを たします。のアプリケーションにして なESD
デバイスを!"するには、を#とする システムおよびESD
ダイオード(の)*を+,す ることが#です。ESD
デバイスは、-./01に 2システムの34を56してはならず、また サージおよびESD
イベント7にグランドへの9:な;および<スパイクをシャントするために、
?@にABすることも#です。
このアプリケーション・ノートでは、
ESD/TVS
ダイオードのデータシートにFGされているパラ メータをIし、JパラメータのKL(についてM Nします。DC
パラメータESD
ダイオードのOなDC
パラメータをPQにRし ます。S*TESD
ダイオードのUVIV
(WXをFigure 1
にRします。Figure 1. Unidirectional IV Characteristic Curve of an ESD and TVS
V
BR= Breakdown Voltage @ I
TV
RWM= Reverse Working Voltage
@ I
R(V
RWM(typ) = 0.8 x V
BR) I
T= Test Current
I
PP= Maximum Reverse Peak Pulse Current (Typically Specified with either the 8x20 m s or 10x1000 m s Surge Pulse)
V
C= Clamping Voltage @ I
PPV
CV
BRV
RWMV I
I
PPI
TI
Rワーキング 、
V RWM
：ESD
デバイスのYZを [\した]^_`YZ<。この<では、ESD
ダ イオードはインピーダンスbcとしてd.にeい fれ;しか;さないので、「オフ」hiのように なります。V RWM
はjブレークダウン<V BR
PQで す。ブレークダウン 、
V BR
：この<でESD
ダイ オードはm-、すなわちターン「オン」をnoしま す 。ブ レ ークダウン <はテ ス ト ;I T (
UV1
〜10 mA)
でpされます。V BR
はESD
アプリ ケーションの]qrでsされ、-.VRWM
より10
〜15% くなります。 ESD
ダイオードを!"するときは、この<が2システムの]^ワ ーキング<よりもいことをuvしてください。
、
V F :
テスト;I F
でのw*T<。､
C
：xyはデータ・レートで/0す るアプリケーションでz{となるパラメータです。xyは|}を~させ、@アプリケーショ
ンの/0にをします。@アプリケーション には、exyのデバイスがされます。HDMI
およびUSB
はexyが#な@ア プリケーションです。ESD
およびサージ・パラメータESD
またはイベント7のクランプの,は、
ESD
データシートではよく,されます。ESD
ダイオードのクランプ(4をsするでvされているUVsはなく、と
に^きくします。
!
ピーク・パルス、
I PP
：デバイスがをけず にえることができる]^サージ;。ほとんどの eTVS
ダイオードは、8 m s x 20 m s
の;サージ・パルスでがsされています。よりい
の
TVS
ダイオードは、10 m s x 1000 m s
の;サージ・パルスでpされます。これらののIについ ては、
Figure 2、 3
を¡¢してください。このパラメ ータは、£¤または¥m(スイッチング・アプリケ ーションなどの<¨©(TVS )アプリケ
ーションにするª«(の¬になをた しますが、®¯Zアプリケーションなど、ESD
イベ ントが]^の°±²³であるZ´ではそれほど ではありません。APPLICATION NOTE
www.onsemi.jp
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www.onsemi.jp 2 Figure 2. 8 m s x 20 m s Pulse Waveform
Figure 3. 10 m s x 1000 m s Pulse Waveform lp
0.9 lp
0.5 lp
0.1 lp
0 10 20 30
TIME ( m s)
lp 0.9 lp
0.5 lp
0.1 lp
0 1 2 3
TIME (ms)
ESD
：これはESD
ダイオードのµ¶です｡sされる]も·¸¹なは
IEC61000−4−2
システ ム・レベルESD
で、@ºち»がり7¼と;レベルによって½¾されます
(Figure 4
¡¢)
。µ¶は·¸にQ¿にRすレベルまたは<レベル でsされます。ほとんどのシステムÀÁÂには、
± 8 kV
の Ãまたは15 kV
の1をsしたレベル
4
までのがÄめられます。ESD
ダイオ ード・データシートにFGされるこのはÅÆÇ とはいえ、ダイオードがえÈるrをRしてい るにぎず、ESD
ダイオードがESD
パルスをクラン プする<レベルにKしてはÉのÊËもÌÍしてい ません。IEC 61000−4−2 CURRENT WAVEFORM
Level
Test Voltage
(kV)
First Peak Current (A)
Current at 30 ns (A)
Current at 60 ns
(A)
1 2 7.5 4 2
2 4 15 8 4
3 6 22.5 12 6
4 8 30 16 8
Figure 4. IEC 61000−4−2 Current Waveform I
peak90%
10%
100%
I @ 30 ns
I @ 60 ns
t
P= 0.7 ns to 1 ns
クランプ%& !：
ESD
アプリケーションのÎÏ、クランプ<は2となっているÐÑÒÓ
(IC)
がÔされる<をÕするのでなパラメータです。Öしい
IC
はESD
<により×Øになっているので(AND8309/D
¡¢
)
、ESD
クランプ<はなパラメータとなっ ています。クランプ<はsされるサージ・イベ ントのと;レベルにÙ KLしているので、クランピング<をsするをÚべること がです。あるアプリケーションにして]の クランプ(4をÛえたダイオードをÕするに は、ÜÝアプリケーションにする なサージ・
イベントのクランプ(4をÚべることがです。
()サージ・クランプ%&：
TVS
ダイオードにとってこのは²³です。クランプ<とは、
TVS
ダイオードにおけ るのピーク・パルス;I PP
にする]^<Þ Qです。ESD
ダイオードのクランプ<をs するためのUVI PP
またはサージがないので、ベンダごとにßくのàáがあります。ベンダによっ ては、の
I PP
における8 m s x 20 m s
にâってク ランプ<をsしていますが、これはESD
にし てはã です。8 m s x 20 m s
は、ESD
イベント よりもºち»がり7¼とä7¼がåæいにçくな ります。8 m s x 20 m s
のようなTVS
は、ネットワ ーキングやé/êアプリケーションでëられる¤サ ージや¥m(スイッチングなどのサージ・イ ベントにÔされるアプリケーションを[\したもの です。AND8308/D
www.onsemi.jp 3 ESD
%&のクランピングこのìはダイオードが
ESD
にしてíす るレベルをÕするためのîになります。×Ø なÒÓbのÎÏ、ESD
イベント7にIC
がÔされる<をï4なðりeく¨えることがです。
ESD
クランプ<は、IEC61000−4−2
でsされるのESD
イベント7におけるESD
ダイオードでの<ÞQです。
IEC61000−4−2
は、®¯ñやラップト ップ・コンピュータなど、より^sóなシステムに するÏ/
ãϬとして0Çされたsであるため、デバイス・レベルでクランプ<をs する*ôについてはにはNuにIされていま せん。オン・セミコンダクターは、
ESD
パルスの÷7¼øùにわたって、オシロスコープのスクリーン ショットので、
ESD
ダイオード)ûの<÷üをÚべる*ôをnýしました。これはすべて の
ESD
ダイオードのデータシートにFGされて います。オン・セミコンダクターがÌþするこれら のスクリーンショットの0Ç*ôと,*ôの詳細 については、AND8307/D
を¡¢してください。ON SemiconductorびON SemiconductorのロゴはON SemiconductorというをうSemiconductor Components Industries, LLC しくはその のび/またはの におけるです。ON Semiconductorは、、、トレードシークレット()との に!する"を# します。ON Semiconductorの$%/ の&'!(リストについては、*+のリンクからご-いただけます。www.onsemi.com/site/pdf/Patent−Marking.pdf. ON Semiconductorは./なしで、0123の$%の45を 6うことがあります。ON Semiconductorは、いかなる7の8での$%の&9:について#;しておらず、また、お<=の$%において>?の@'や'からAじたBC、
に、DE、FE、GHなIJなどKLのIJに!して、いかなるBCもMうことはできません。お<=は、ON SemiconductorによってNOされたサポートやアプリケー ションSTのUVにかかわらず、すべてのWX、YZ、[\:の]^あるいは_の`aをbむ、ON Semiconductor$%を'したお<=の$%とアプリケーションについてK LのBCをMうものとします。ON Semiconductorデータシートやd=1にeされるfg:のある「_」パラメータは、アプリケーションによってはkなることもあり、lm の:gもnFのopにより4qするfg:があります。「_」パラメータをbむすべてのrパラメータは、ご'になるアプリケーションに@じて、お<=のstuvw においてxyz;されるようお{い|します。ON Semiconductorは、そのやそのの"の+、いかなるライセンスも}しません。ON Semiconductor$%は、A~
や、いかなるFDA (% %)クラス3の、FDAがしないにおいてKもしくはのものとyされる、あるいは、へのを!(
としたにおける]%などへの'をしたはされておらず、また、これらを'!(としておりません。お<=が、このようなされたものではない、fさ れていないアプリケーション'にON Semiconductor$%をまたは'した9、たとえ、ON Semiconductorがその%のまたは$にしてp があったと¡¢され たとしても、そのようなせぬ'、また£fの'に¤した¥¦§から、DE、¨はFEにAじるすべてのクレーム、ª'、IJ、oª、および«¬®などを、
お<=のBCにおいて¯°をお{いいたします。また、ON Semiconductorとその±²、³²、 、¤ 、´µ¶に!して、いかなるIJも·えないものとします。
ON Semiconductorは¸' ¹§/º»¼½¸'¡です。この¾®は&'されるあらゆるWの!(となっており、いかなる¿WによってもÀÁすることはできません。
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