CCD リニアイメージセンサ S11491 近赤外高感度 高速ラインレート 近赤外域で高感度を実現した裏面入射型 CCD リニアイメージセンサです マルチポート読み出し (1 ポート当たり 25 MHz max.) により 70 khz の高速ラインレートを実現しました 特長 用途 近赤外高感度 Q

CCDリニアイメージセンサ

近赤外高感度、

_{高速ラインレート}

S11491

近赤外域で高感度を実現した裏面入射型_{CCDリニアイメージセンサです。マルチポート読み出し (1ポート当たり25 MHz} max.)により、70 kHzの高速ラインレートを実現しました。

構成

項目 仕様 イメージサイズ _{(H × V) 24.576 × 0.500 mm} 画素サイズ _{(H × V) 12 × 500 µm} 画素数 _{(H × V) 2080 × 1} 有効画素数 _{(H × V) 2048 × 1} 水平クロック _2相 出力回路 _{3段MOSFETソースフォロア} パッケージ _{54ピン セラミックDIP (外形寸法図を参照)} 窓材_*2 _{硼珪酸ガラス*}1 冷却 非冷却 *1: 樹脂封止 *2: 仮付け窓タイプ (例: S11491N) も対応が可能です。仮付け窓タイプは、CCD チップを保護するため、仮付け窓をテープで固定してい ます。 近赤外高感度 QE=70% (λ=900 nm), QE=40% (λ=1000 nm) 高速ラインレート_{: 70 kHz max.} 低エタロニング

特長

OCT (光干渉断層計)

用途

分光測光

絶対最大定格

_{(Ta=25 °C)}

項目 記号 _{Min. Typ. Max.} 単位

動作温度_*3 _*4 _{Topr -50 - +60 °C} 保存温度 _{Tstg -50 - +70 °C} 出力トランジスタドレイン電圧 _VOD -0.5 - +25 V リセットドレイン電圧 _VRD -0.5 - +18 V 出力アンプ帰還電圧 _{Vret -0.5 - +18 V} オールリセットドレイン電圧 _VARD -0.5 - +18 V 水平入力ソース電圧 _VISH -0.5 - +18 V オールリセットゲート電圧 _VARG -10 - +15 V ストレージゲート電圧 _VSTG -10 - +15 V 水平入力ゲート電圧 _VIG1H, VIG2H -10 - +15 V サミングゲート電圧 _VSG -10 - +15 V 出力ゲート電圧 _VOG -10 - +15 V リ セッ ト ゲート 電 圧 _VRG -10 - +15 V トランスファーゲート電圧 _VTG -10 - +15 V レジスティブゲート電圧 High VREGH _{-10 - +15 V} Low VREGL 水平シフトレジスタクロック電圧 _VP1H, VP2H -10 - +15 V はんだ付け条件 _{Tsol 260 °C, 5秒以内, リード根元より2 mm以上離す} -*3: パッケージ温度 *4: 高速動作時にはセンサの温度が上昇する可能性があります。必要に応じて放熱対策を行うことを推奨します。詳細は技術資料 (電子シャッタ機能付レジスティブゲート型CCDリニアイメージセンサ)を参照してください。 注_{) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。}

動作条件

_{(Ta=25 °C)}

項目 記号 _{Min. Typ. Max.} 単位

出力トランジスタドレイン電圧 _VOD 12 15 18 V リセットドレイン電圧 _VRD 12 14 16 V 出力アンプ帰還電圧_*5 _{Vret - 1 2 V} オールリセットドレイン電圧 _VARD 12 14 16 V テストポイント 水平入力ソース VISH - VRD - _V 水平入力ゲート _VIG1H, VIG2H -9 -8 -オールリセットゲート電圧 _VARG -6 -5 -4 V ストレージゲート電圧_*6 VSTG1 2 3 4 V VSTG2 2 3 4 V サミングゲート電圧 High VSGH 9 10 11 _V Low VSGL -6 -5 -4 出力ゲート電圧 _VOG 2 4 6 V リセットゲート電圧 High VRGH 7 8 9 _V Low VRGL -6 -5 -4 トランスファーゲート電圧 High VTGH 8 9 10 _V Low VTGL -5 -4 -3 レジスティブゲート_{High電圧 V}REGH -1 0 1 V

CCDリニアイメージセンサ

S11491

電気的特性

_{(Ta=25 °C)}

項目 記号 _{Min. Typ. Max.} 単位

出力信号周波数 _{fc - 10 25 MHz} ラインレート _{LR - 30 70 kHz} 水平シフトレジスタ容量 _CP1H, CP2H - 200 - pF オールリセットゲート容量 _CARG - 300 - pF レジスティブゲート容量 _CREG - 1000 - pF サミングゲート容量 _CSG - 30 - pF リセットゲート容量 _CRG - 30 - pF トランスファーゲート容量 _CTG - 300 - pF 電荷転送効率_*7 _{CTE 0.99995 0.99999 -} -DC出力レベル Vout 9 10 11 V 出力インピーダンス _{Zo - 150 -} Ω 出力アンプ帰還電流 _{Iret - 3.2 - mA} 消費電力 PAMP*8 - 96 - _mW PREG*9 15 45 130 レジスティブゲート抵抗_*10 _{RREG 0.5 1.5 5 kΩ} *7: 飽和出力の半分のときに測定したCCDシフトレジスタ1画素当たりの転送効率 *8: オンチップアンプと負荷抵抗を合わせた消費電力 *9: REGでの消費電力 *10: REGH - REGL間の抵抗値

電気的および光学的特性

_{(指定のない場合はTa=25 °C, 動作条件: Typ.)}

項目 記号 _{Min. Typ. Max.} 単位

飽和出力電圧 _{Vsat - Fw × Sv - V} 飽和電荷量 _{Fw 200 250 300 ke} -CCD変換効率 Sv 6 7 8 µV/e -暗電流 _{(Non-MPP動作)*}11 _DS - 60 300 ke-/pixel/s - 40 200 pA/cm2 読み出しノイズ_*12 _{Nr - 100 150 e}- _rms ダイナミックレンジ_*13 _{Drange 1600 2500 -} -感度波長範囲 λ - 320 ～ 1100 - nm 最大感度波長 _{λp - 720} -感度不均一性_*14 _*15 _{PRNU - ±3 ±10 %} イメージラグ_*14 _*16 _{L - 5 10 %} *11: 暗電流は5～7 °Cの冷却で1/2になります。 *12: 読み出し周波数 25 MHz *13: ダイナミックレンジ = 飽和電荷量／読み出しノイズ *14: LED光 (ピーク波長: 660 nm)を用いて飽和出力の半分のときに測定 *15: 感度不均一性 = 固定パターンノイズ (peak to peak) 信号 × 100 [%] *16: 飽和出力の半分となるようにワンショットのパルス光を照射した場合に読み残される信号量の割合。詳細は技術資料 (電子シャッタ 機能付レジスティブゲート型_{CCDリニアイメージセンサ)を参照してください。}

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S11491

分光感度特性

_{(窓なし時)*}

17 ၾঊ࢘ၚ (% ) ෨ಿ (nm) (Typ. Ta=25 °C) 0 200 400 600 800 1000 1200 10 20 30 40 50 60 70 80 100 90 KMPDB0465JA ၔ࿂වৣ߿CCD S11491 ນ࿂වৣ߿CCD KMPDB0465JA ਋࢕ۜഽ (A/W ) ෨ಿ (nm) (Typ. Ta=25 °C) 0 200 400 600 800 1000 1200 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 ໦࢕ۜഽඅ଻ (S11490, ௗ̱̈́শ) KMPDB0466JA

窓材の分光透過特性

ௗऺ͈໦࢕൫ًඅ଻ (S11490) ෨ಿ (nm) (Typ. Ta=25 °C) ൫ًၚ (% ) 0 100 80 90 70 50 30 10 60 40 20 1200 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 KMPDB0374JA

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S11491

ΟΨͼΑࢹ௮ (S11490) KMPDC0601JA Thinning Thinning 1 2 3 4 5 1 2 4ήρϋ· 256画素 1 2 255 256 255 256 255 256 1 2 255 256 ... ... ... ... ... D1 OS1 D2 D3 D4 D1 OS2 D2 D3 D4 D4 D4 D1 OS7 D2 D3 D1 OS8 D2 D3 ಕ) ࢕වৣ༷̥࢜ͣࡉ̹ાࣣȂକ໹ΏέΠτΐΑΗ͉Si͈࢚̞໐໦ (ະۜ໐໦)́ ໞ̞̳̦ͩͦ̀͘Ȃಿ෨ಿ͈࢕͉ະۜ໐໦͈Siͬ൫ً̱Ȃକ໹ΏέΠτΐΑΉ ਋࢕̯ͦͥخෝ଻̦̜̳ͤ͘ȃຈါͅ؊̲̀৭࢕͈̈́̓చॐ࣐̩̺̯̞ͬ̽̀ȃ ഢ௣༷࢜ τΐΑΞͻήΊȜΠ ಇୟ໐ ခْ࢘ள କ໹ΏέΠτΐΑΗ କ໹ΏέΠτΐΑΗ ခْ࢘ள KMPDC0601JA

デバイス構造 (外形寸法図において上面からみたCCDチップ概念図)

項目 記号 _{Min. Typ. Max.} 単位 TG パルス幅_{上昇／下降時間 Tprv, Tpfv}Tpwv ₂₀1 4_- -_- µs_ns P1H, P2H*18 パルス幅 _{Tpwh 20 50 - ns} 上昇／下降時間 _{Tprh, Tpfh 5 - - ns} デューティ比 _{- 40 50 60 %} SG パルス幅 _{Tpws 20 50 - ns} 上昇／下降時間 _{Tprs, Tpfs 5 - - ns} デューティ比 _{- 40 50 60 %} RG パルス幅_{上昇／下降時間 Tprr, Tpfr}Tpwr 5₃ 10_- -_- ns_ns TG - P1H オーバーラップ時間 _{Tovr 200 400 - ns} 蓄積時間 _{Tinteg 14 33 - µs} *18: 最大パルス振幅の50%のところに対称クロックパルスをオーバーラップさせてください。 KMPDC0602JB

タイミングチャート

1ρͼϋ੄ႁܢۼ 1ρͼϋ੄ႁܢۼ 1ρͼϋ੄ႁܢۼ TG Tinteg TG P1H P1H P2H, SG P2H RG RG OS OS D1 D2 D3 D4 1 2 3, 4... 255 256 Tpwh KMPDC0602JB ڐఱ଎ Tpwr Tpwv Tovr

CCDリニアイメージセンサ

S11491

KMPDA0341JB

外形寸法図 (単位: mm)

30 ± 0.3 0.46 ± 0.05 1.27 ± 0.13 38.1 ± 0.38 40.64 ± 0.41 1.84 ± 0.18 31.6 ± 0.1 33.02 ± 0.33 7.62 ± 0.25 2.5 ± 0. 1 6.72 ± 0. 1 0.6 ± 0.05 7.37 ± 0.25 5.0 ±0.2 5 ਋࢕໐ 0. 5 1.51* 3.0 ± 0. 1 27 28 1.0 ± 0.1 54 1 KMPDA0341JB ͼϋΟΛ·ΑζȜ· 1 ch ਋࢕໐ 24.576 * ΄ρΑນ࿂̥ͣ਋࢕࿂͈́͘଱༹ ٸࠁ଱༹଎ (S11490, ౙպ: mm) ৗၾ: 3.5 g ௗऺߠ୬ၚ: 1.52 AR΋ȜΠ: ̱̈́

ピン接続

ピン_No. 記号 機能 備考 _{(標準動作)} 1 Vret 出力アンプ帰還 _{+1 V} 2 OG 出力ゲート _{+4 V} 3 RD リセットドレイン _{+14 V} 4 Vret 出力アンプ帰還 _{+1 V} 5 OS1 出力トランジスタソース_{1 R}L=2.2 kΩ 6 OD1 出力トランジスタドレイン_{1 +15 V} 7 OS2 出力トランジスタソース_{2 R}L=2.2 kΩ 8 OD2 出力トランジスタドレイン_{2 +15 V} 9 Vret 出力アンプ帰還 _{+1 V} 10 OS3 出力トランジスタソース_{3 R}L=2.2 kΩ 11 OD3 出力トランジスタドレイン_{3 +15 V} 12 OS4 出力トランジスタソース_{4 R}L=2.2 kΩ 13 OD4 出力トランジスタドレイン_{4 +15 V} 14 Vret 出力アンプ帰還 _{+1 V} 15 OS5 出力トランジスタソース_{5 R}L=2.2 kΩ 16 OD5 出力トランジスタドレイン_{5 +15 V} 17 OS6 出力トランジスタソース_{6 R}L=2.2 kΩ 18 OD6 出力トランジスタドレイン_{6 +15 V} 19 Vret 出力アンプ帰還 _{+1 V} 20 OS7 出力トランジスタソース_{7 R}L=2.2 kΩ 21 OD7 出力トランジスタドレイン_{7 +15 V} 22 OS8 出力トランジスタソース_{8 R}L=2.2 kΩ 23 OD8 出力トランジスタドレイン_{8 +15 V} 24 Vret 出力アンプ帰還 _{+1 V} 25 IGH テストポイント _{(水平入力ゲート) -8 V} 26 ISH テストポイント _{(水平入力ソース) RDに接続} 27 Vret 出力アンプ帰還 _{+1 V} 28 SS 基板 _GND 29 TG トランスファーゲート 30 STG2 ストレージゲート_{2 +3 V} 31 REGH レジスティブゲート _{(High) 0 V} 32 STG1 ストレージゲート_{1 +3 V} 33 SS 基板 _GND 34 ARD オールリセットドレイン _{+14 V} 35 ARG オールリセットゲート _{-5 V} 36 REGL レジスティブゲート _{(Low) -8 V} 37 SS 基板 _GND 38 SG サミングゲート 39 SS 基板 _GND 40 P1H CCD水平シフトレジスタ クロック-1 41 SS 基板 _GND 42 P2H CCD水平シフトレジスタ クロック-2 43 SS 基板 _GND 44 RG リセットゲート

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仙台営業所 〒980-0021 仙台市青葉区中央3-2-1 (青葉通プラザ11階) TEL (022) 267-0121 FAX (022) 267-0135 製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。本資料は正確を期するため慎重に作成されたものですが、まれに誤記などによる誤りがある場合が あります。本製品を使用する際には、必ず納入仕様書をご用命の上、最新の仕様をご確認ください。 本製品の保証は、納入後1年以内に瑕疵が発見され、かつ弊社に通知された場合、本製品の修理または代品の納入を限度とします。ただし、保証期間内であっても、 天災および不適切な使用に起因する損害については、弊社はその責を負いません。 本資料の記載内容について、弊社の許諾なしに転載または複製することを禁じます。 本資料の記載内容は、平成29年12月現在のものです。

関連情報

www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html 注意事項 ・製品に関する注意事項とお願い ・イメージセンサ／使用上の注意 技術情報 ・電子シャッタ機能付レジスティブゲート型_{CCDリニアイメージセンサ} ・イメージセンサ／用語の説明

OS出力波形例 (fc=25 MHz, R

L

=2.2 kΩ, V

OD

=+15 V)