FK4B0343ZL All in one N-channel MOS FET ADVANCE INFORMATION Features For passive cell balancing circuits Built-in cell discharge resistor, gate-source

Unit: mm  Features

 Marking Symbol : 2F  Packaging

 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 ºC

Source-resistance Current

Note *1 Mounted on FR4 board ( 25.4 mm × 25.4 mm × t1.0 mm ).

FR4 board fully covered with copper pad ( 611 mm2 area, 35 mm thickness ).

*Di1 : Body Diode contained in MOSFET structure *Di2 : Zener Diode

*R1 : Gate Resistance *R2 : Discharge Resistance *R3 : Gate-source Resistance Page

2018.4.24 ver.5.0

For Automotive

 For passive cell balancing circuits

Built-in cell discharge resistor, gate-source resistor and zener diode CSP( Chip Size Package )

Halogen-free / RoHS compliant ( EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 )

Parameter Symbol Rating Unit Embossed type ( Thermo-compression sealing ) : 20 000 pcs / reel ( standard )

JEITA

5 of 1

FK4B0343ZL

All in one N-channel MOS FET

   1. Gate 3. Drain 2. Source 4. Resistance DC ISR *1 150 mA Gate-source Voltage Drain-source Voltage V V VDS VGS 30 +5 / -0.5 Panasonic MLGA004-W-1212-RA01 — Total Power Dissipation

Operating Junction

and Storage Temperature Range Tj,Tstg -55 to +150 ºC

— Code PD *1 1.3

Equivalent circuit

 Electrical Characteristics Ta = 25 ºC  3 ºC

IDS = 75 mA, VGS = 2.5 V Body Diode Forward Voltage

Zener Diode Forward Voltage Zener Diode Reverse Voltage

Discharge Resistance

Gate-source Resistance*1

Note Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring methods for transistors.

*1 Guaranteed by design, not subject to production testing.

*2 Measurement circuit for Turn-on Delay Time / Rise Time / Turn-off Delay Time / Fall Time.

4V 0V 8V 0V Page

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For Automotive

Drain-source On-state Resistance

IDS = 75 mA, VGS = 4.5 V 40 0.7 RDS(on)2 Di1 VF(s-d) Di2 VF VZ R1 Ciss ID = 75 mA RL = 200 W Qg1 Qg2 Qgs

Turn-on Delay Time *1,*2 td(on)

td(off) Fall Time *1,*2 tf VDD = 15 V, VGS = 1.5 V IDS = 150 mA VDD = 15 V Gate-drain Charge *1 Rd VDR = 1 V R2

Turn-off Delay Time *1,*2

Gate-source Charge *1 Rg Qgd Gate Resistance *1 310 0.6 1.2 45 945 1.6 1.5 IF = -1 mA 5.5 Output Capacitance *1 1 Zero Gate Voltage Drain Current

VGS = 5 V, VDS = 0 V 30

Gate-source Leakage Current IGSS

IF = 75 mA, VGS = 0 V VDD = 15 V, VGS = 0 to 4 V IDS = 75 mA tr VDD = 15 V, VGS = 4 V IDS = 150 mA VDD = 15 V, VGS = 0 to 4 V IDS = 75 mA IZ = 1 mA 5.0 6.0 VDS = 30 V, VGS = 0 V Gate-source Threshold Voltage

Unit

Drain-source Breakdown Voltage VDSS IDS = 1 mA, VGS = 0 V 30 V

Symbol Conditions Min

Parameter Typ Max

μA mW V pF V μA IDSS 1.1 45 IDS = 320 mA, VDS = 10 V Vth IDS = 75 mA, VGS = 1.5 V 0.35 0.65 43 VDS = 15 V, VGS = 0 V f = 1 kHz 0.9 60 900 280 V V 200 of 5 2 ns 315 2.6 0.4 kW 55 W 400 kW Input Capacitance *1 Crss 380 nC

Total Gate Charge *1

Coss 58

Reverse Transfer Capacitance *1

160 f = 1 MHz PW = 10 ms D.C. 1 %

Vin

Vout

S

G

D

R

10 %

90 %

90 %

10 %

90 %

10 %

Vin

Vout

td(on) tr

td(off) tf

Technical Data ( reference )

2018.4.24 ver.5.0

IDS - VGS*1 _{RDS(on) - VGS}*1 IF - VF(s-d)*1 _{IDS - VDS}*1 1.E-05 1.E-04 1.E-03 1.E-02 1.E-01 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 VDS = 10 V Ta = 125 ℃ -40 ℃ 25 ℃ 85 ℃ 0 20 40 60 80 100 120 140 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 VGS = 1.5 V 2.5 V 4.5 V Ta = 25 C 0 20 40 60 80 100 120 140 0 1 2 3 4 5 Ta = 125 ℃ 85 ℃ 25 ℃ _{-40 ℃} IDS = 75 mA 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0 0.01 0.02 0.03 0.04 1.5 V 2.5 V VGS = 4.5 V Ta = 25 C 1.E-04 1.E-03 1.E-02 1.E-01 1.E+00 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1

Ta = 125 ℃

-40 ℃

25 ℃

85 ℃

Body Diode Forward Voltage , VF(s-d) ( V )

Di ode F orw ard Cur rent , IF ( A ) Dr ai n Curr ent , IDS ( A ) Dr ai n Curr ent , IDS ( A ) Drain-source Voltage , VDS ( V ) Dr ai n -S ourc e O n -s tate Res is tanc e RDS(on) ( m W )

Drain Current , IDS ( A )

Dr ai n -s ourc e O n -s tate R es is tanc e RDS(on) ( m Ω ) Gate-source Voltage , VGS ( V ) Z er o G ate Vol tage D rai n Cu rr ent IDS ( A ) Drain-source Voltage , VDS ( V ) 1.E-11 1.E-10 1.E-09 1.E-08 1.E-07 1.E-06 1.E-05 1.E-04 1.E-03 0 10 20 30 40 50

Ta = 125℃

25℃

-40℃

85℃

Technical Data ( reference )

*1 Pulse measurement

*2 Mounted on FR4 board ( 25.4 mm × 25.4 mm × t1.0 mm ).

FR4 board fully covered with copper pad ( 611 mm2 area, 35 mm thickness ).

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IGS - VGS ( IF - VF )*1 IGS - VGS ( IR - VR )*1

Rth - tsw*2 Dynamic Input / Output Characteristics

Ta - Rd*1 Ta - ISR*1 4 of 5 0 1 2 3 4 5 0 2 4 6 8 VDD = 15 V IDS = 150 mA Ta = 25 C 1 10 100 1000 0.001 0.1 10 1000 Ta = 25 ºC Pulse Width , tsw ( s ) T herm al Res is tanc e , Rth ( ºC / W )

Total Gate Charge , Qg ( nC )

G ate -s our c e Vol tage , VG S ( V ) 1.E-06 1.E-05 1.E-04 1.E-03 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 Ta = 125 ℃ -40 ℃ 25 ℃ 85 ℃ G ate -s ourc e Leak age Cur rent -IG S ( A ) Gate-source Voltage , -VGS ( V ) G ate -s ourc e Leak age Cur rent IG S ( A ) Gate-source Voltage , VGS ( V ) 1.E-06 1.E-05 1.E-04 1.E-03 0 2 4 6 8 Ta = 125 ℃ -40 ℃ 25 ℃ 85 ℃ Ambient Temperature , Ta (℃ ) Di sc harge Res is tanc e , Rd ( Ω ) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 -50 0 50 100 150 0 50 100 150 200 250 -50 0 50 100 150 Ambient Temperature , Ta (℃ ) S ourc e -r es is tanc e Cur rent , IS R ( m A )

Unit: mm

 Land & Stencil Pattern ( Reference )

Unit: mm

Page

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For Automotive

 Outline

3

4

2

1

1.2

1

.2

( Top View )

( Front View )

( Bottom View )

₀

.6

5

0.65

Φ0.35

(0.2

7

5

)

(0.275)

3

4

2

1

0

.1

Φ0.35

0

.6

5

0.65

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