川崎製鉄技報
KAWASAKI STEEL GIHO Vol.26 (1994) No.2
エタノール前処理 O3-TEOS-CVD を用いた 0.35μm 対応良質絶縁膜形成技術 High Quality Dielectric Film for 0.35-μm Design Rule Application by O3-TEOS-CVD Using Ethanol Pretreatment
佐藤 伸良(Nobuyoshi Sato) 中野 正(Tadashi Nakano) 太田 与洋(Tomohiro Ohta) 要旨 : テトラエチルオルソシリケート(TEOS)とオゾンを原料ガスに用いたシリコン酸化膜の常圧 化学気相成長法(APCVD)において，シリコン酸化膜形成前に新しい下地基板処理を加える ことにより，段差のある下地の上にシリコン酸化膜を埋込性よく，なめらかに形成するプ ロセス技術を開発した。新シリコン酸化膜平坦化法は，シリコン酸化膜成膜前の下地基板 に，エタノールをスピンコート法により塗布する方法である｡この下地基板処理法により， 従来の下地処理法では不可能な0.3μm 幅で，12μm 深さの溝にシリコン酸化膜を埋込み， かつ上面は平坦な膜を形成することを見い出した。 Synopsis :
A new surface treatment, involving the spin coating of ethanol on a substrate prior to O3-tetraethylorthosilicate (TEOS) deposition by atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD), was found to be very effective for improving gap-filling properties and film quality. The deposited film has a flow-like surface shape, and can be used to fill trenches of 0.3-μm width and 1.2μm depth which could not be filled by conventional O3-TEOS APCVD. The effects of surface treating by some other organic solvents are also reported and a possible mechanism is presented.
(c)JFE Steel Corporation, 2003
