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∫∫∫∫ CFD 法によるホットワイヤ水素化条件の検討

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Academic year: 2021

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CFD 法によるホットワイヤ水素化条件の検討

日大生産工 ○清水耕作

まえがき

半導体産業ではデバイスの超微細化・超薄 膜化や高集積化に伴い、半導体プロセス工程 における正確な薄膜形成技術はますます重 要となっている。特に電気特性が極めて均一 である薄膜を作製する技術は重要である。

本研究では、均一化技術の一環として HWCVD (Hot Wire Chemical Vapor Deposition)法を用いて均一に水素を行う条 件について流体力学シミュレーション1)-3) ることによって検討する。

2 実験

HWCVD法はプラズマを用いない新しい 低温薄膜法である。本研究では水素ガスのみ を流すことによって半導体膜を水素化する 手段として用いる。反応炉中にタングステン を張り、1100~1300℃に加熱する。ここで 水素ガスを導入することで熱分解反応で原 子状の水素にし、を作製し、半導体薄膜上に 輸送し、欠陥を終端する。

この技術では図1のSi薄膜中の欠陥準位を 水素Hで終端できることから、欠陥準位を極 端に減少させることができ、デバイスの性能 を向上させることができる。

実験方法および測定方法

シミュレーションは、図2に示す反応炉モ デルを用いて行われた。このモデルは、半導 体形成装置としては典型的な構成である。一 方タングステンワイヤは、簡単のため、1本

のみとした。本研究ではガスの流れを可視化で きるCFD( Computational Fluid Dynamics)法 を用いて反応チャンバ内での圧縮性流体の流れ 及びガスの反応をシミュレーションし、解析評 価を行う。

2.1原理

CFDソフトの理論はニュートン力学を定式化し たNavier-Stokes方程式を基礎として計算を進 める。

∫ ∫ ∫

+ = Γ +

A VdA A dA vS dV

t νρφdV ρφ φ φ

式の左辺は、慣性力について、第1項は体積素 片の時間変化、第2項は対流を表している。右 辺第1項は圧力勾配、第2項は粘性をそれぞれ 表している。このNavier-Stokes方程式は一般に 非線形方程式であるため一般解は存在しない。

このため、空間を小さく分割して有限体積法を 適用して流体の流れを計算し解を出している。

有限体積法とは、解析対象物の体積全体を微小 な体積素片に分解し、その体積素片を点で代表 させることで近接素片との相互作用を連鎖的に 計算する方法である。

2.反応炉 タングステン

ヒーター

ガス排出 ガス流入 250[mm]

500[mm]

Si

Si Si

Si Si

Si Si

Si

1.水素化処理

H H

Hot wire hydrogenation by CFD Method

Kousaku SHIMIZU

(2)

2.2実験方法

流体解析プリプロセッサ-(GAMBIT)を 用いて図2のような高さ500[mm]、直径 250[mm]となる反応炉を作成し、反応炉の全 体積を微小な体積素片に分解する。特にタン グステンとヒータ近傍の体積を細かく分解す ることで、流れの複雑な部分の様子が詳細に 表現されるように設定する。 (図3)

図3 メッシュ分割図

続いてCFDソフトを用いて反応系のモデ ル設定や境界条件の設定を行う。ここではタ ングステンを約1100℃から1300℃の温度に 保ち、水素ガスが接触分解可能な状態にする。

H2 2H or 2H*

さらに、反応分解した原子状水素HがSi基 板に均一に到達するようにガスの流れにす る。現段階では、各パラメータの依存性を検 討するのを目的とすることから、基板を傾け ることはしない。パラメータは、圧力、温度、

流量である。

3 結果

図4、図5は流量7.14[g/s]、タングステン温 度1500[K]、出口圧力100[pa]に設定して水素 ガス を導入し、シミュレーションした結果で ある。図4は水素ガスの速度分布を表してお り、上方からシャワーヘッドを通って流入し てきた水素ガスは中央部にあるタングステン の熱でガス流の方向が変化する。さらに基板 表面ではガスの流れによる淀みが生じている のがわかる。図5は温度分布を表しており、

図からは高温に加熱されたタングステンが周 囲に熱を伝達をしていることが理解される。

図4 速度分布

図5 温度分布

また基板表面は、室温状態であるが、熱が伝 えられているのがわかる。実際はこの熱をう まく制御する必要があり、あまり高いと吸着 した水素は、再び膜の外へ離脱する。

まとめ

原子状水素を用いて水素化を行う場合、水 素原子は、きわめて活性度が高いので、温度 の制御を誤ると、逆に劣化させることになる。

これまで実験段階ではわかっていたことであ るが、その一端が理解された。今後は、水素 反応モデルをシミュレーションに取り入れて さらに詳細な検討が行えるようにしたい。

参考文献

1) 矢川元基「パソコンで見る流れの科学」

ブルーバックス

2) 松尾一泰「圧縮製流体力学」 理工学社 3) Munson “Fundamentals of Fluid

Mechanics” Wiley and Sons 2006

参照

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