弾性波動デバイス
Part 4: 2次元伝搬
千葉大学大学院工学研究科
人工システム科学専攻電気電子系コース
橋本研也
平成22年4月3日版•2次元の波動伝搬
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導波モード
導波モード
導波モード
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スカラポテンシャル法解析
スカラポテンシャル法解析
スカラポテンシャル法解析
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横モード
横モード
横モード
の抑圧
の抑圧
の抑圧
内容
回折現象
回折現象
W xc (b) (a) (a) Fresnel領域(ビー ム状伝搬) (b) Fraunhofer領域 (円筒波状伝搬)臨界距離:
xc=(1+γ)W2/λ(a) 開口が大きい場合 (b) 開口が小さい場合
重み付けされたIDTでは 開口による特性の変化
グリーン関数法解析
グリーン関数法解析
∫ ∫
+∞ ∞ − +∞ ∞ −−
−
=
G
X
x
Y
y
q
x
y
dxdy
Y
X
,
)
(
,
)
(
,
)
(
φ
φ
(X,Y) q(x,y) ここで、G(X,Y)はグリーン関数 X»|Y|を仮定する(近軸近似)。
2 F −β
−ζ
≅ 逆速度面を と近似すると、2 0 y x x β ζβ β = − ) exp( 2 ) ( j r r F r G β π − =yn+wn/2 (xn,y) (X,Y)
∑ ∫
= + −−
−
=
N n w y w y n n n n ndy
y
Y
x
X
G
A
Y
X
1 2 / 2 /)
,
(
)
,
(
φ
yn-wn/2n番目の電極(幅w
n、位置(x
n、y
n))の影響
(Xm,Y) yn-wn/2 yn+wn/2 (xn,y) Ym-Wm/2 Ym+Wm/2
∑∑ ∫
∫
∑ ∫
+ + = + −−
−
=
=
M N Y W y w M m W Y W Y m m m n n m m m mdydY
y
Y
x
X
G
A
dY
Y
X
Q
2 / /2 1 2 / 2 /)
,
(
)
,
(
φ
m番目の電極(幅W
m、位置(X
m、Y
m))で受信すれば
-100 -80 -60 -40 -20 0 30 35 40 45 50 55 60 Amplitude in dB Frequency in MHz 回折効果有り 回折効果無し
シミュレーション例
シミュレーション例
高周波側の帯域外特性に顕著に影響
•
••
2次元の波動伝搬
2次元の波動伝搬
2次元の波動伝搬
•導波モード
•
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スカラポテンシャル法解析
スカラポテンシャル法解析
スカラポテンシャル法解析
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••
横モード
横モード
横モード
の抑圧
の抑圧
の抑圧
内容
対抗策
共振器への回折効果の影響
共振器への回折効果の影響
横モード
横モード
Frequency Admittance B G 非調和高次共振波数ベクトル
β
波数ベクトル
β
λx x y λy λ 波動の伝搬方向 Vp (=fλ) はベクトルの展開則を満足しない! βx=2π/λx βy=2π/λy |β|=2π/λ 波動の伝搬方向 |β|=2π/λ:単位長さ当たりの位相遅れ)]
(
exp[
)
exp(
−
j
β
•
X
⇒
−
j
β
x
+
β
y
+
β
z
2D波動方程式
2D波動方程式
φ
φ
ω
φ
2 0 2 2 2 0 0 2 2⎟⎟
⎠
⎞
⎜⎜
⎝
⎛
−
=
∂
∂
⎟⎟
⎠
⎞
⎜⎜
⎝
⎛
+
∂
∂
x x yV
y
V
V
x
ω
/Vx0ω
/Vy0)]
(
exp[
j
β
xx
β
yy
φ
∝
−
+
の時1
)
/
(
)
(
)
/
(
)
(
V
x0 2β
xω
2+
V
y0 2β
yω
2=
β
xβ
yω
/Vx0ω
/Vy01
)
/
(
)
(
)
/
(
)
/
(
)
(
1
)
/
(
2 2 0 0 2 2 0 0−
±
≅
−
±
=
ω
β
ω
ω
β
ω
β
x x y x x y yV
V
j
V
V
β
xβ
y)
exp(
)]
exp(
)
exp(
[
A
j
β
yy
A
j
β
yy
j
β
xx
φ
=
+−
+
−+
−
ω
/Vx0ω
/Vy0 2 0 2 2 0 0 2)
/
(
)
/
(
y x y x xV
V
β
ω
V
β
+
=
β
xβ
y 2 2 0 0 1 0 1 0)
2
(
/
)
(
/
)
/
(
x x y x y xω
V
ω
V
V
V
β
β
≅
−
− − 放物線近似スネルの法則
スネルの法則
媒体 1 媒体 2 境界面での波面の連続 横方向の波長の連続性 ⇒ 横方向の波数成分の連続性S1 βx/ω θi θi θr θr S2 S1 S2 θt βx/ω βi/ω βr/ω βt/ω βi/ω βr/ω (a) 透過 (b) 全反射
二つの媒体の境界では
逆速度面 (S=1/Vp) この場合 S1>S2エバネセント場
エバネセント場
全反射によるエバネ セント場の染み込み指数関数的減衰
(エ
ネルギーの蓄積
) βx=β1cosθ1 かつ βx2+ β y22= β22 βy2= β22-(β1cosθ1)2トンネルリング
トンネルリング
• 波動を通さない媒体であっても,薄ければ透過 • 透過に伴う位相変化無し
t θ
閉じた導波路
閉じた導波路
λg x y横共振条件
-2βyt+2∠Γ=2nπ -2βtcscθ+2∠Γ=−2βcotθ×tcosθ+2nπ 2回反射波との位相整合条件 Γ: 境界での反射係 数導波モードの波数
λg=2π/βx0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 規格化周波数 規格化波数 n=1 n=2 n=0 導波モードの波数 βx= βc2-[(∠Γ−nπ)/t]2 ∠Γ=0もしくは±πの時のβ とβ の関係
β
c: コア部の速度 βx2+β y2=βc2(a) カットオフ付近 (b) カットオフ遠方 tan-1(Vp) 波数 周波数 tan-1(Vg)
導波モードの伝搬
Vp=ω/βx: 位相速度波面の伝搬速度
Vg=∂ω/∂βx: 群速度エネルギーの伝搬速度
0 1 2 3 -3j -2j -j 0 1 2 3 n=0 n=1 n=2 n=3 n=4 n=5 規格化周波数 規格化波数
カットオフ以下では?
t t t=L/Vg (a) 入力信号 (b) 出力信号 φ=ωL/Vp
信号の応答に現れる群速度と位相速度の影響
cut-off β R cut-off β R β R (a) (b) (c) (d)
カットオフ以下では
カットオフ以下では
β1 R1 β2 R2
1 2
β R1 β R2
カットオフ状態で無くても
開放導波路
開放導波路
t θ λg x y横共振条件
-2βyt+2∠Γ=2nπ ∠Γは周波数(θ)依存 端面での全反射を利用 ⇒ エネルギーの染み出し0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 Normalized frequency Normalized wavevector 臨界状態 開放導波路におけるβcとβxの関係
全反射条件を満足すれば閉じた導波路と同様
全反射条件を満足しない場合は?
t θ
漏洩波導波路
漏洩波導波路
端面での反射
係数が大きけ
れば,導波モー
ドの様に伝搬
反射係数が小さければ?
自由(非導波)モードとして伝搬
導波モードと自由モードの速度と近い場合に重要 =カットオフ付近
•
••
2次元の波動伝搬
2次元の波動伝搬
2次元の波動伝搬
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••
導波モード
導波モード
導波モード
•スカラポテンシャル法解析
•
••
横モード
横モード
横モード
の抑圧
の抑圧
の抑圧
内容
32
スカラポテンシャル法解析
スカラポテンシャル法解析
深さ方向
への界分
布無視
IDT部を
均一な構
造として
近似
wG wB wB Region B Region G Region B x y ⎪ ⎪ ⎩ ⎪⎪ ⎨ ⎧ − ≤ − + ≤ − + + − + ≥ − − = − − + + ) 2 / ( ) exp( ) exp( ) 2 / | | ( ) exp( )} exp( ) exp( { ) 2 / ( ) exp( ) exp( G Gy G Gy G G By B w x x j y w x x j y j y j w x x j y β α φ β β φ β φ β α φ φ 場の表現(単純化の為にwB=∞を仮定)y=±wg/2におけるφ及び∂φ/∂yの連続性を考慮すると ) 2 / tan( Gy G Gy By
β
β
wα
= ) 2 / exp( ) 2 / cos( 2 G Gy G By G Bφ
β
wα
wφ
+ = +対称モード
(φB+=φ B-、
φG+=φG-)反対称モード
(φB+=-φ B-、
φG+=-φG-) ) 2 / exp( ) 2 / sin( 2 G Gy G By G B jφ
β
wα
wφ
+ = − + ) 2 / cot( Gy G Gy Byβ
β
wα
= −Sy (a) ξ>0 (b) ξ<0 VG0-1 Sy Sx Sx VG0-1
放物線近似
0 2 0 G Gy/
G G xβ
ξ
β
β
β
≅
−
0 2 0 B By/
B B xβ
ξ
α
β
β
≅
+
領域Gに対して 領域Bに対して 等方性ならばξ=0.5-0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3 0 0.1 0.2 0.3 S y sec/km
36-LT
における擬似弾性表面波の逆速度面
36 Sy (a) ξ>0 (b) ξ<0 VB0-1 Sy Sx Sx Vp-1 Vp -1 VG0-1 VG0-1 VG0<Vp<VB0 導波モードの波数と逆速度面の関係
導波路にエネルギーが閉じ込められる条件は?
⇒
α
Byが実数
VB0<Vp<VG0 VB0-1高次モードは高周波側へ
高次モードは低周波側へ
対称モードの場合
⎥ ⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎢ ⎣ ⎡ + = + − 2 ˆ 1 ˆ tan ˆ 1 ˆ 1 V w V Vπ
⎥ ⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎢ ⎣ ⎡ + − = + − 2 ˆ 1 ˆ cot ˆ 1 ˆ 1 V w V Vπ
反対称モードの場合
|V
B0/V
G0-1|«1の場合
ここで 0 0 0 0 0 0 ˆ 2 ˆ G B G G B G B p V V V w w V V V V V Vξ
λ
− = − − − = :規格化位相速度 :規格化導波路幅-1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
Relative phase velocity
Relative aperture width S0 実効的なSAW速度の規格化導波路幅依存性 S1 S2 A1 A2 A3 領域Bでの速度 ⇒ 領域Gでの速度
L(n)m C0 Cm(n) Rm(n) L(3)m Cm(3) Rm(3) L(2)m Cm(2) Rm(2) L(1)m Cm(1) Rm(1)
多モード共振子の等価回路
n p n V ) ( ) ( 1 2π
ω
= =もう一つの条件は?
40
モードの直交性
dy y dy y dy y y n k n k 2 2 2 ) ( ) ( ) ( ) (∫
∫
∫
+∞ ∞ − +∞ ∞ − +∞ ∞ − + = +φ
φ
φ
φ
モードは独立に伝搬し、相互のパワーの交換が無い!
k nk n k yφ
y dyδ
Pφ
=∫
+∞ ∞ − ) ( ) ( *モードの完全性
場はモードの和によって表現できる。
∑
∞ = ( ) / ) (y Akφ
k y Pkφ
ここで Pk k y dy 2 ) (∫
+∞ ∞ − =φ
直交性
フーリエ展開
ϕ
n(x)=p
-0.5exp(2n
πjx/p)
nk p p n kx
φ
x
dx
p
π
jx
n
m
p
dx
δ
φ
∫
∫
=
−−
=
0 5 . 0 0 *]
/
)
(
2
exp[
)
(
)
(
完全性
∑
∑
∞ = − ∞ ==
=
1 5 . 0 1)
/
2
exp(
)
(
)
(
k k k k kx
p
A
k
jx
p
A
x
φ
π
φ
n p k n k k p nx
dx
A
x
x
dx
A
x
=
∫∑
=
∫
∞ = 0 1 * 0 *)
(
)
(
)
(
)
(
φ
φ
φ
φ
dx
p
jx
n
x
p
A
p∫
−
=
−0.5)
/
2
exp(
)
(
π
φ
両辺に
ϕ
n*(x)
を乗じて積分すれば、
we wg
励振部と導波路で幅に差をつけると?
⎩ ⎨ ⎧ > ≤ = /2) ( 0 /2) ( ) ( 0 e e w |y| w |y| yφ
φ
励振源の位置における振幅∫
+ − = 2 / 2 / * 0 ) ( e e w w m m m y dy P Aφ
φ
∑
∫
∫
∞ = +∞ ∞ − +∞ ∞ − = 1 * * ) ( ) ( / ) ( ) ( k m k k k m y dy A P y y dy yφ
φ
φ
φ
両辺にφm*(y)をかけて,積分すると ゆえに 1D解析を適用すれば、A0=φ0 we 1 2 2 2 / 2 ) ( ) ( ) ( − ∞ + + ⎥ ⎤ ⎢ ⎡ = = A∫
y dy w∫
y dy Cmn n weφ
φ
動キャパシタンスはパワー励振効率に比例するから,44 0.001 0.01 0.1 1 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
Relative coupling Factor
Relative aperture width
実効的な電気機械結合係数の規格化 導波路幅依存性(we=wg) S0 S1 S2
この場合反対称モードに対する励振効率零
(a) S0モード(幅が狭い場合) 染み出し大 (b) S0モード(幅が広い場合) 染み出し小 (c) S1モード 符号反転領域の存在
実効的結合係数が変化する理由
•
••
2次元の波動伝搬
2次元の波動伝搬
2次元の波動伝搬
•
••
導波モード
導波モード
導波モード
•
••
スカラポテンシャル法解析
スカラポテンシャル法解析
スカラポテンシャル法解析
•横モードの抑圧
内容
Wg
WG Wa
Wd
IDTへの重み付け
Wg
WG Wa
Wd
ダミー電極の配置
1300 Frequency, f [MHz] 700 800 900 1000 1100 0 10 20 30 50 Insertion loss [dB] min IL=0.5 dB BW3dB=152MHz (15%) 40 1200 h/2p=7.2-9.3%
膜厚増加によるバルク波放射の抑圧
膜厚増加によるバルク波放射の抑圧
700 800 900 1000 0.3 0.2 0.1 0 -0.1 0.5 0.4 Frequency [MHz] Input Admittance [S] Transverse modes Rayleigh mode
Cu/15
oYX-LiNbO
3構造上の1ポート共振子
Resonance Frequency, f r [MHz] Aperture, w/2p Rayleigh mode S0 S1 S2 S3 S4 S5
横モードのスペクトラム
0 10 20 30 850 830 840 820 800 810 790 5 15 25800 840 880 920 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 Resonance Frequency [MHz] Wd/Wg S0A S1B S2A S3B S5A S4B
ダミー電極配置後の共振スペクトラム
ダミー電 極による モード (Wd依存)-10 -5 0 5 10 0 [grating] [dummy] [bus-bar] [free] x 2 /λ S2A S1B
スプリアスの変位分布
ダミー電極部にエネルギーが集中ダミー電極に依存しないスプリアス抑圧は?
ダミー電極に依存するモードとの結合 800 840 880 920 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 Resonance Frequency [MHz] Wd/Wg S0A S1B S2A S3B S5A S4B-10 -5 0 5 10 0 x 2 /λ [grating] [dummy] [bus-bar] [free] S2A S1B
スプリアスの変位分布
ダミー電極部にエネルギーが集中800 820 840 860 880 900 920 3000 3200 3400 3600 3800 4000 共振周波数 [MHz] ダミー電極部の速度 [m/s] 0.75 0.25 図9 ダミー電極部の速度による不要応 答の共振周波数の変化の計算例 メタライゼーション比
Wa Wg Wd
Wg
0 2 4 6 8 10 12 14 800 900 1000 1100 1200 1300 Insertion Loss[dB] Frequency[MHz] 破線: ダミー電極無し 実線: 重み付きダミー電極有り