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反転型チャージポンプ IC Monolithic IC MM3631 反転型チャージポンプ IC MM3631 概要 MM3631XN は反転型のチャージポンプ IC です 入力電圧範囲の 1.8V ~ 3.3V を 2 個の外付けコンデンサを使用して負電圧を生成します パッケージは 6 ピンの S

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(1)

Monolithic IC MM3631

反転型チャージポンプ IC

  MM3631XN は反転型のチャージポンプ IC です。 入力電圧範囲の 1.8V ~ 3.3V を 2 個の外付けコンデン サを使用して負電圧を生成します。  パッケージは 6 ピンの SOT-26B (2.9 × 2.8 × 1.15mm) の小型パッケージを採用しています。CE 端子を内 蔵しており、スタンバイ時は 1 μ A 以下と待機時電流を低減しています。

概要

(1) 入力 (Vin) 電圧範囲 : 1.8V ~ 3.3V (2)出力電圧範囲 : − Vin (3) 動作温度範囲 : − 30℃~ 80℃ (4)出力電流 : 50mA (5) 消費電流 (CE=L) : 70 μ A (typ.) (6) スタンバイ時消費電流 (CE=H) : 1 μ A (max.) (7) 効率 : 92% (IL=1mA, VIN=2.8V) (8) 発振周波数 120kHz (typ.) (9) 保護機能 :入力過電圧保護

特長

SOT-26B

パッケージ

( 特記なき場合 : Ta=25℃ )

(2)

ブロック図

端子接続図

ピン No. 端子名 機能 1 GND グランド端子 2 CE チップイネーブル端子 3 C1+ 外付けコンデンサ (+) 接続端子 4 VOUT 負電圧出力端子 5 VIN 電源端子 6 C1 − 外付けコンデンサ (-) 接続端子 6 3 5 VIN VIN P N N N OSC Logic CE GND VOUT C1‒ C1+ 3.7V Reset Shut Down 2 1 4 Top View 6 5 4 3 2 1

(3)

絶対最大定格

項目 記号 範囲 単位 動作周囲温度 TOPR −30 ~ +80 動作電圧 VOP 1.8 ~ 3.3 V

推奨動作範囲

( 特記なき場合 : Ta=25℃ ) 項目 記号 定格 単位 電源電圧 VIN −0.3 ~ +6.0 V VOUT 端子電圧 VOUT − 3.5 ~ +0.3 V C1(+) 端子電圧 VC1+ −0.3 ~ +6.3 V C1( − ) 端子電圧 VC1 ー −3.5 ~ +0.3 V CE 端子電圧 VCE − 0.3 ~ +6.0 V VOUT 端子出力電流 IOUT ~ 50 mA 接合温度 TjMAX ~ 150 保存温度 Tstg − 40 ~ +125 許容損失 Pd ~ 220 mW

(4)

電気的特性

(特記なき場合 : Ta=25℃ ,VIN=2.8V)

項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位

消費電流 Icc VCE=0V, Unload 35 70 140 μ A

スタンバイ時消費電流 Iccs VCE=2.8V, Unload 1 μ A

発振周波数 fOSC 75 120 192 kHz

出力インピーダンス Rout IL=5mA 20 45 90 Ω

CE 端子 ”H”電圧 Vceh H=Disable 0.9 V

CE 端子 ”L”電圧 Vcel L=Enable 0.25 V

効率 (IL=1mA) Peff IL=1mA 92 %

効率 (IL=5mA) Peff IL=5mA 85 %

効率 (IL=10mA) Peff IL=10mA 80 %

電圧変換効率 (IL=1mA) Veff IL=1mA 95 %

電圧変換効率 (IL=5mA) Veff IL=5mA 90 %

電圧変換効率 (IL=10mA) Veff IL=10mA 80 %

過電圧しきい値電圧 *1 VOP 3.50 3.70 3.84 V

過電圧チャタリング領域 *1 VOPchat 0 30 60 mV

過電圧しきい値 解除電圧 VOPhys 25 50 100 mV

(*1) VOP ≦ VIN < VOP+VOPchat : VOUT=Chattering VOP+VOPchat ≦ VIN : VOUT=0V

(5)

測定回路例

(5) CE/"H", "L" レベル電圧 Vceh, Vcel

(1) 消費電流 Icc (3) 発振周波数 fOSC (4) 効率 Peff 電圧変換効率 Veff 出力インピーダンス Rout (2) スタンバイ時消費電流 Iccs CE C1+ C1‒6 5 4 3 2 1 MM3631 VIN VIN VOUT GND 1μF Icc A 1μF 1μF CE C1+ C1‒6 5 4 3 2 1 MM3631 VIN VIN VOUT GND 1μF Iccs A 1μF 1μF CE C1+ C1‒6 5 4 3 2 1 MM3631 VIN VIN VOUT GND 1μF V 1μF 1μF CE C1+ C1‒6 5 4 3 2 1 MM3631 VIN VIN VOUT VOUT GND 1μF IIN IL RL A A V 1μF 1μF C1‒6 5 4 MM3631 VIN VIN VOUT 1μF 1μF

(6)

応用回路例

6 3 5 VIN VIN P N N N OSC Logic CE GND VOUT Load C1‒ C1+ 3.7V Reset Shut Down 2 1 4 1μF VIN OFFON(Standby) 1μF 1μF 使用上の注意点 (1)電源電圧端子に電池等を接続する際、逆接続により電圧が絶対最大定格 MIN 値を下回る場合、IC に大電流が流れ破壊する可能性があります。 絶対最大定格 MIN 値を下回らないようにご注意下さい (2)本回路の使用に際し、弊社または第三者の工業所有権ほか、権利にかかわる問題が発生した場合、弊社はその責を負うものではありません。また 実施権の承諾を行うものではありません

(7)

特性図

■ Supply current - Supply voltage

■ Frequency - Supply voltage

■ Supply voltage - Temperature

■ Stand-by current - Supply voltage

■ Output voltage - Output current

■ Power efficiency - Temperature

Recommended operating range 1.8~3.3V Ta=25℃ 1.0 0 20 40 60 80 100 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 Supply voltage [V] Supply current [ μA ] Ta=25℃ 1.0 0 0.4 0.2 0.6 0.8 1.0 1.2 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 Supply voltage [V] Stand-by current [ μA ] Recommended operating range 1.8~3.3V 1.0 60 80 120 100 140 160 180 200 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 Supply voltage [V] Frequency [ kHz ] Recommended operating range 1.8~3.3V Recommended operating range ‒30~80℃ VIN=2.8V 120 160 mA ] 0.0 ‒0.5 ‒1.0 ‒1.5 ‒2.0 ‒2.5 ‒3.0 0.1 1 10 100 Output voltage [V]

Output Current [mA] VIN=2.8V

100

90

80

70

60

(8)

動作説明

(1) 過電圧検出機能

(2) チャージポンプ用のコンデンサの推奨

 電源電圧(VIN)が、TYP.3.7V 以上となったとき出力電圧(VOUT)を OFF させます。(VOP) OVP を解除するには、検出値(VOP)から約 -50mV で復帰します。(VOPhys)

* OVP 検出(VOP)後、検出と解除を繰り返す現象(チャタリング)が発生し、出力電圧が不安定になります。 チャタリングは、検出値(VOP)から約 +30mV の間発生しその後、出力電圧は 0V になります。(VOPchat) 1 μ F のセラミックコンデンサは下記の特性を推奨します。  ESR:100m Ω以下  温度特性:B(± 10%)ランク  静電許容差:K( ± 10%) ランク  定格電圧:10V 以上 チャタリング波形

① VIN=0 to 4V ② VOP ≦ VIN < VOP+VOPchat

1μF OSC 3.7V RST VIN VOUT C1+ C1‒ 1μF 5 3 6 4 ‒ + Logic + FET-SW

GND

V

VOP+VOPchat

start up operation of IC

VOP

chat

chattering

VOP

VIN

VOUT

VIN

2V/div

VOUT

2V/div

chattering

50ms/div

GND

VOUT

200mV/div

50µs/div

GND

(9)

(3) CE 端子の論理

(4) 許容損失

CE 端子のファンクションを表 1 に示す。  SOT-26B(単体 ) での Pd 値特性は以下となります。 基板によって放熱性が異なるため、IC の許容損失は実装基板で異なります。 下記データは参考値となりますので、実機での評価を十分に行ってください。 1.IC 単体 許容損失 0.22W Ta=25℃ IC の放熱性を上げる為にはパッケージ裏面に GND もしくは放熱 PAD パターンを配置し、面積を大きくとることを推奨致します。また、多層基板の 場合は放熱用 VIA を配置して内層に GND パターンを用いて下さい。 表 1 Truth table CE state Mode L Operation H Stand-by 250 200 150 100 50 0 0 25 50 75 100 125 150 Ambient temperature(℃) Power Dissipation(mW) Power Dissipation(SOT-26B)

(10)

注意事項

1. 絶対最大定格を超えて使用した場合、IC の劣化・破壊を伴う可能性があります。最大定格は、IC 使用条件下で絶 対に越えてはいけない値であり、その動作を保証するものではありません。 2. 推奨動作電圧を超えて使用した場合、本 IC 本来の性能、信頼性を維持することができなくなる可能性があります。 推奨動作電圧内でご使用下さい。 3. 出力電流はパッケージの許容損失により、制限される場合もあります。入出力間電圧の高い場合、大電流出力時 で使用する場合はパッケージの許容損失を考慮して、ご使用下さい。 4. VIN 及び GND 配線はインピーダンスが高い場合、ノイズや動作不安定の原因になるため十分強化するようにし て下さい。 5. 入力コンデンサは、入力端子より 1cm 以内に接続して下さい。 6. 超小型等の容量変化が激しいコンデンサを使用する場合、動作不安定となる恐れがあります。コンデンサは温度 依存、電源電圧依存性があります。ご使用の環境によって容量値は変化しますので、実機での評価を十分に行っ てください。 7. 本 IC には過電流保護回路が内蔵されていません。

参照

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