VCC (V)

T

a

= 25°C, ICLK = 32MHz

T

a

= 25°C, ICLK = 16MHz T

a

= 25°C, ICLK = 8MHz T

a

= 85/105℃, ICLK = 32MHz

T

a

= 85/105°C, ICLK = 16MHz T

a

= 85/105°C, ICLK = 8MHz

ICC (mA)

（注2）

（注2）

（注2）

（注1）

（注1）

（注1）

RX111グループ 5. 電気的特性

図 5.2 中速動作モードの電圧依存性（参考データ）

図 5.3 低速動作モードの電圧依存性（参考データ）

注 1. 全周辺動作通常動作。 BGO 動作は除きます。製品評価時における中心サンプル群での実測平均値。

注2. 全周辺動作最大動作。BGO動作は除きます。製品評価時における上限サンプル群での実測平均値。

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

1.5 2 2.5 3 3.5 4

VCC (V)

T

a

= 25°C, ICLK = 8MHz T

a

= 85/105°C, ICLK = 8MHz

T

a

= 85/105°C, ICLK = 1MHz

T

a

= 25°C, ICLK = 1MHz T

a

= 85/105°C, ICLK = 12MHz

T

a

= 25°C, ICLK = 12MHz

ICC (mA)

（注2）

（注2）

（注2）

（注1）

（注1）

（注1）

注1. 全周辺動作通常動作。製品評価時における中心サンプル群での実測平均値。

注 2. 全周辺動作最大動作。製品評価時における上限サンプル群での実測平均値。

0 5 10 15 20 25 30 35

1.5 2 2.5 3 3.5 4

VCC (V)

T

a

= 105°C, ICLK = 32.768kHz

T

a

= 25°C, ICLK = 32.768kHz T

a

= 85°C, ICLK = 32.768kHz

ICC (μA)

（注2）

（注2）

（注1）

RX111グループ 5. 電気的特性

[ フラッシュメモリの容量が 256K バイト以上の場合 ] 表5.8 DC 特性（6）

条件：VCC = AVCC0 = VCC_USB = 1.8～3.6V、VSS = AVSS0 = VSS_USB = 0V、T

_a

= –40～+105℃

項目 記号 typ

（注4）

max 単位 測定条件 消費電流

（注1）

高速動作モード 通常動作モード 周辺動作なし

^（注2）

ICLK = 32MHz I

_CC

3.6 — mA

ICLK = 16MHz 2.4 —

ICLK = 8MHz 1.8 —

全周辺動作 通常動作

^（注3）

ICLK = 32MHz 13.4 —

ICLK = 16MHz 7.5 —

ICLK = 8MHz 4.5 —

全周辺動作 最大動作

^（注3）

ICLK = 32MHz — 27

スリープモード 周辺動作なし

^（注2）

ICLK = 32MHz 1.9 —

ICLK = 16MHz 1.5 —

ICLK = 8MHz 1.3 —

全周辺動作 通常動作

^（注3）

ICLK = 32MHz 7.6 —

ICLK = 16MHz 4.4 —

ICLK = 8MHz 2.8 —

ディープ スリープモード

周辺動作なし

^（注2）

ICLK = 32MHz 1.1 —

ICLK = 16MHz 1.0 —

ICLK = 8MHz 0.9 —

全周辺動作 通常動作

^（注3）

ICLK = 32MHz 5.8 —

ICLK = 16MHz 3.4 —

ICLK = 8MHz 2.1 —

BGO動作時の増加分

^（注5）

2.5 —

中速動作モード 通常動作モード 周辺動作なし

^（注6）

ICLK = 12MHz I

_CC

2.1 — mA

ICLK = 8MHz 1.4 —

ICLK = 1MHz 0.8 —

全周辺動作 通常動作

^（注7）

ICLK = 12MHz 5.9 —

ICLK = 8MHz 4.2 —

ICLK = 1MHz 1.3 —

全周辺動作 最大動作

^（注7）

ICLK = 12MHz — 12.2

スリープモード 周辺動作なし

^（注6）

ICLK = 12MHz 1.4 —

ICLK = 8MHz 0.9 —

ICLK = 1MHz 0.7 —

全周辺動作 通常動作

^（注7）

ICLK = 12MHz 3.6 —

ICLK = 8MHz 2.5 —

ICLK = 1MHz 1.1 —

ディープ スリープモード

周辺動作なし

^（注6）

ICLK = 12MHz 1.1 —

ICLK = 8MHz 0.6 —

ICLK = 1MHz 0.6 —

全周辺動作 通常動作

^（注7）

ICLK = 12MHz 2.9 —

ICLK = 8MHz 2.0 —

ICLK = 1MHz 0.9 —

BGO動作時の増加分

^（注5）

2.5 —

RX111グループ 5. 電気的特性

注1. 消費電流値はすべての端子での出力充放電電流を含みません。さらに内蔵プルアップMOS をオフ状態にした場合の値です。

注2. 周辺機能はクロック停止状態。BGO動作は除きます。クロックソースはPLL です。FCLK、PCLK は64 分周設定です。

注 3. 周辺機能はクロック供給状態。BGO動作は除きます。クロックソースはPLL です。FCLK、PCLK はICLKと同じ周波数で す。

注 4. VCC = 3.3Vの値です。

注 5. プログラム実行中に、ROM、またはE2データフラッシュにデータをプログラム/ イレーズを実行した場合の増加分です。

注 6. 周辺機能はクロック停止状態。クロックソースはICLK = 12MHz の時はPLL、その他はHOCO です。FCLK、PCLK は64 分周 設定です。

注 7. 周辺機能はクロック供給状態。クロックソースはICLK = 12MHz の時はPLL、その他はHOCOです。FCLK、PCLKは ICLKと 同じ周波数です。

注 8. 周辺機能はクロック停止状態。クロックソースはサブクロック発振器です。FCLK、PCLKは64 分周設定です。

注 9. 周辺機能はクロック供給状態。クロックソースはサブクロック発振器です。FCLK、PCLKはICLKと同じ周波数です。

注 10. MSTPCRA.MSTPA17(12ビットA/D コンバータモジュールストップ設定ビット)をモジュールストップ状態に設定した時の 値です。

[ フラッシュメモリの容量が 128K バイト以下の場合 ]

注1. 消費電流値はすべての端子での出力充放電電流を含みません。さらに内蔵プルアップMOS をオフ状態にした場合の値です。

注2. IWDTとLVD は動作停止です。

注3. VCC = 3.3Vの場合です。

注4. 発振回路を含みます。

消費電流

（注1）

低速動作モード 通常動作モード 周辺動作なし

^（注8）

ICLK = 32.768kHz I

_CC

4.3 —

μA

全周辺動作

通常動作

^{（注9、注10）}

ICLK = 32.768kHz 14.7 — 全周辺動作

最大動作

^{（注9、注10）}

ICLK = 32.768kHz — 60 スリープモード 周辺動作なし

^（注8）

ICLK = 32.768kHz 2.2 —

全周辺動作 通常動作

^（注9）

ICLK = 32.768kHz 8.3 — ディープ

スリープモード

周辺動作なし

^（注8）

ICLK = 32.768kHz 1.7 — 全周辺動作

通常動作

^（注9）

ICLK = 32.768kHz 6.7 —

表5.9 DC 特性（7）

条件：VCC = AVCC0 = VCC_USB = 1.8～3.6V、VSS = AVSS0 = VSS_USB = 0V、T

_a

= –40～+105℃

項目 記号 typ

^（注3）

max 単位 測定条件

消費電流

（注1）

ソフトウェア スタンバイモード

（注2）

T

_a

= 25℃ ^I

CC

0.35 0.53

μA

T

_a

= 55℃ ^{0.58 1.45}

T

_a

= 85℃ ^{1.60 7.30}

T

_a

= 105℃ ^{3.30 16.50}

RTC動作の増加分

^（注4）

0.31 — RCR3.RTCDV[2:0] = 010bの場合

1.09 — RCR3.RTCDV[2:0] = 100bの場合

項目 記号 typ

（注4）

max 単位 測定条件

RX111グループ 5. 電気的特性

図 5.4 ソフトウェアスタンバイモード時の電圧依存性（参考データ）

図 5.5 ソフトウェアスタンバイモード時の温度依存性（参考データ）

VCC (V)

ドキュメント内 RX111グループ データシート (ページ 52-56)