LVD2MON 内部リセット信号

（Low有効）

LVD1RN=Lの場合

LVD1RN=Hの場合

V

LVH

t

LVD1

t

VOFF

V

det2

VCC

t

det

t

det

t

LVD2

T

d(E-A)

LVD2E

LVD2 コンパレータ出力

LVD2CMPE

LVD2MON 内部リセット信号

（Low有効）

LVD2RN=Lの場合

LVD2RN=Hの場合

V

LVH

t

LVD2

RX111グループ 5. 電気的特性

5.9 発振停止検出タイミング

図 5.57 発振停止検出タイミング 表5.47 発振停止検出回路特性

条件：VCC = AVCC0 = VCC_USB = 1.8～3.6V、VSS = AVSS0 = VSS_USB = 0V、T

_a

= –40～+105℃

項目 記号 min typ max 単位 測定条件

検出時間 t

_dr

— — 1 ms 図 5.57

t

dr

メインクロック または、PLLクロック

OSTDSR.OSTDF

LOCOクロック

ICLK

RX111グループ 5. 電気的特性

5.10 ROM（コード格納用フラッシュメモリ）特性

注1. 再プログラム/ イレーズサイクルの定義：再プログラム/ イレーズサイクルは、ブロックごとの消去回数です。再プログラム/

イレーズサイクルがn回（n = 1000 回）の場合、ブロックごとにそれぞれn回ずつ消去することができます。例えば、1Kバ イトのブロックについて、それぞれ異なる番地に4バイト書込みを256 回に分けて行った後に、そのブロックを消去した場 合も、再プログラム/ イレーズサイクル回数は1回と数えます。ただし、消去1回に対して、同一アドレスに複数回の書込み を行うことはできません。（上書き禁止）

注2. フラッシュメモリライタを使用時、および当社提供のセルフプログラミングライブラリ使用時の特性です。

注3. 信頼性試験から得られた結果です。

注. ソフトウェアの命令実行からFlash の各動作が起動するまでの時間は含みません。

注. フラッシュメモリP/E 時、FCLKの下限周波数は1MHzです。FCLKを 4MHz未満で使用する場合は、設定可能な周波数は 1MHz、2MHz、3MHzです。例えば1.5MHz のように整数値でない周波数は設定できません。

注. FCLKの周波数精度は±3.5%である必要があります。クロックソースの周波数精度をご確認ください。

注. ソフトウェアの命令実行からFlash の各動作が起動するまでの時間は含みません。

注. フラッシュメモリP/E 時、FCLKの下限周波数は1MHzです。FCLKを 4MHz未満で使用する場合は、設定可能な周波数は 1MHz、2MHz、3MHzです。例えば 1.5MHzのように整数値でない周波数は設定できません。

注. FCLKの周波数精度は±3.5%である必要があります。クロックソースの周波数精度をご確認ください。

表5.48 ROM（コード格納用フラッシュメモリ）特性（1）

項目 記号 min typ max 単位 条件

再プログラム/ イレーズサイクル

^（注1）

N

_PEC

1000 — — 回

データ保持時間 N

_PEC

1000回後 t

_DRP

20

^{（注2、注3）}

— — 年 T

_a

= +85℃

表5.49 ROM（コード格納用フラッシュメモリ）特性（2）

高速動作モード　条件：VCC = AVCC0 = VCC_USB = 2.7～3.6V、VSS = AVSS0 = VSS_USB = 0V プログラム/イレーズ時の動作温度範囲：T

_a

= –40～+105℃

項目 記号 FCLK = 1MHz FCLK = 32MHz

min typ max min typ max 単位

プログラム時間 4バイト t

_P4

— 103 931 — 52 489

μs

イレーズ時間 1Kバイト t

_E1K

— 8.23 267 — 5.48 214 ms ブランクチェック時間 4バイト t

_BC4

— — 48 — — 15.9

μs

1Kバイト t

_BC1K

— — 1.58 — — 0.127 ms

イレーズ処理強制停止時間 t

_SED

— — 21.6 — — 12.8

μs

スタートアップ領域入れ替え設定時間 t

_SAS

— 12.6 543 — 6.16 432 ms アクセスウィンドウ設定時間 t

_AWS

— 12.6 543 — 6.16 432 ms

ROMモード遷移待ち時間1 t

_DIS

2 — — 2 — —

μs

ROMモード遷移待ち時間2 t

_MS

5 — — 5 — —

μs

表5.50 ROM（コード格納用フラッシュメモリ）特性（3）

中速動作モード　条件：VCC = AVCC0 = VCC_USB = 1.8～3.6V、VSS = AVSS0 = VSS_USB = 0V プログラム/イレーズ時の動作温度範囲：T

_a

= –40～+105℃

項目 記号 FCLK = 1MHz FCLK = 8MHz

min typ max min typ max 単位

プログラム時間 4バイト t

_P4

— 143 1330 — 96.8 932

μs

イレーズ時間 1Kバイト t

_E1K

— 8.3 269 — 5.85 219 ms ブランクチェック時間 4バイト t

_BC4

— — 78 — — 50

μs

1Kバイト t

_BC1K

— — 1.61 — — 0.369 ms

イレーズ処理強制停止時間 t

_SED

— — 33.6 — — 25.6

μs

スタートアップ領域入れ替え設定時間 t

_SAS

— 13.2 549 — 7.6 445 ms アクセスウィンドウ設定時間 t

_AWS

— 13.2 549 — 7.6 445 ms

ROMモード遷移待ち時間1 t

_DIS

2 — — 2 — —

μs

ROMモード遷移待ち時間2 t

_MS

3 — — 3 — —

μs

RX111グループ 5. 電気的特性

5.11 E2 データフラッシュ（データ格納用フラッシュメモリ）特性

注1. 再プログラム/ イレーズサイクルの定義：再プログラム/ イレーズサイクルは、ブロックごとの消去回数です。再プログラム/

イレーズサイクルがn回(n = 100000 回)の場合、ブロックごとにそれぞれ n回ずつ消去することができます。例えば、1Kバ イトのブロックについて、それぞれ異なる番地に1バイト書込みを1000回に分けて行った後に、そのブロックを消去した場 合も、再プログラム/ イレーズサイクル回数は1回と数えます。ただし、消去1回に対して、同一アドレスに複数回の書込み を行うことはできません。（上書き禁止）

注2. フラッシュメモリライタを使用時、および当社提供のセルフプログラミングライブラリ使用時の特性です。

注3. 信頼性試験から得られた結果です。

注. ソフトウェアの命令実行からFlash の各動作が起動するまでの時間は含みません。

注. フラッシュメモリP/E 時、FCLKの下限周波数は1MHzです。FCLKを4MHz 未満で使用する場合は、設定可能な周波数は 1MHz、2MHz、3MHzです。例えば1.5MHz のように整数値でない周波数は設定できません。

注. FCLKの周波数精度は±3.5%である必要があります。クロックソースの周波数精度をご確認ください。

注. ソフトウェアの命令実行からFlash の各動作が起動するまでの時間は含みません。

注. フラッシュメモリP/E 時、FCLKの下限周波数は1MHzです。FCLKを 4MHz未満で使用する場合は、設定可能な周波数は 1MHz、2MHz、3MHzです。例えば 1.5MHzのように整数値でない周波数は設定できません。

注. FCLKの周波数精度は±3.5%である必要があります。クロックソースの周波数精度をご確認ください。

表5.51 E2データフラッシュ特性（1）

項目 記号 min typ max 単位 条件

再プログラム/ イレーズサイクル

^（注1）

N

_DPEC

100000 1000000 — 回 データ保持時間 N

_DPEC

10000回後 t

_DDRP

20

（注2、注3）

— — 年 T

_a

= +85℃

N

_DPEC

100000 回後 5

（注2、注3）

— — 年

N

_DPEC

1000000回後 — 1

（注2、注3）

— 年 T

_a

= +25℃

表5.52 E2データフラッシュ特性（2）　高速動作モード

条件：VCC = AVCC0 = VCC_USB = 2.7～3.6V、VSS = AVSS0 = VSS_USB = 0V プログラム/イレーズ時の動作温度範囲：T

_a

= –40～+105℃

項目 記号 FCLK = 4MHz FCLK = 32MHz

min typ max min typ max 単位

プログラム時間 1バイト t

_DP1

— 86 761 — 40.5 374

μs

イレーズ時間 1Kバイト t

_DE1K

— 17.4 456 — 6.15 228 ms ブランクチェック時間 1バイト t

_DBC1

— — 48 — — 15.9

μs

1Kバイト t

_DBC1K

— — 1.58 — — 0.127

μs

イレーズ処理強制停止時間 t

_DSED

— — 21.5 — — 12.8

μs

データフラッシュ STOP 解除時間 t

_DSTOP

5 — — 5 — —

μs

表5.53 E2データフラッシュ特性（3）中速動作モード

条件：VCC = AVCC0 = VCC_USB = 1.8～3.6V、VSS = AVSS0 = VSS_USB = 0V プログラム/イレーズ時の動作温度範囲：T

_a

= –40～+105℃

項目 記号 FCLK = 4MHz FCLK = 8MHz

min typ max min typ max 単位

プログラム時間 1バイト t

_DP1

— 126 1160 — 85.4 818

μs

イレーズ時間 1Kバイト t

_DE1K

— 17.5 457 — 7.76 259 ms ブランクチェック時間 1バイト t

_DBC1

— — 78 — — 50

μs

1Kバイト t

_DBC1K

— — 1.61 — — 0.369 ms

イレーズ処理強制停止時間 t

_DSED

— — 33.5 — — 25.5

μs

データフラッシュ STOP 解除時間 t

_DSTOP

720 — — 720 — — ns

RX111グループ 付録 1. 外形寸法図

付録 1. 外形寸法図

外形寸法図の最新版や実装に関する情報は、ルネサス エレクトロニクスホームページの「パッケージ」

に掲載されています。

図 A. 64 ピン LFQFP （PLQP0064KB-A）

Terminal cross section b₁

c1 b_p

c

2.

1. DIMENSIONS "*1" AND "*2"

DO NOT INCLUDE MOLD FLASH.

NOTE)

DIMENSION "*3" DOES NOT INCLUDE TRIM OFFSET.

Index mark

*3 17 32

64 49

1 16

33 48

F

*1

*2

x bp

HE

E

HD D

ZD

ZE

Detail F

A cA2A1

L1 L

P-LFQFP64-10x10-0.50 0.3g

MASS[Typ.]

64P6Q-A / FP-64K / FP-64KV PLQP0064KB-A

RENESAS Code

JEITA Package Code Previous Code

1.0 0.125

0.18

1.25 1.25

0.08 0.145 0.20 0.09

0.25 0.20 0.15

Max Nom Min

Dimension in Millimeters Symbol

Reference

10.1 9.9 10.0

D

10.1 9.9 10.0

E A2 1.4

12.2 12.0 11.8

12.2 12.0 11.8 A 1.7

0.15 0.1 0.05

0.5 0.65 L 0.35

x

8°

0°

c

e 0.5 y 0.08 HD

HE

A1

bp

b1

c1

ZD

ZE

L1 e

y S S

RX111グループ 付録 1. 外形寸法図

図 B. 64 ピン LQFP （PLQP0064GA-A）

Terminal cross section b1

c1

bp

c

2.

1. DIMENSIONS "*1" AND "*2"

DO NOT INCLUDE MOLD FLASH.

NOTE)

DIMENSION "*3" DOES NOT INCLUDE TRIM OFFSET.

*3

1 16

17 32 48 33

49

64

F

*1

*2

x Index mark

D H_D

E HE

e bp

ZD

ZE

Detail F

cA A2A1

L L1

Previous Code JEITA Package Code RENESAS Code

PLQP0064GA-A 64P6U-A/ ⎯

MASS[Typ.]

0.7g P-LQFP64-14x14-0.80

1.0 0.125

0.35

1.0 1.0

0.20 0.20 0.145 0.09

0.42 0.37 0.32

Max Nom Min

Dimension in Millimeters Symbol

Reference

14.1 14.0 13.9 D

14.1 14.0 E 13.9

A2 1.4

16.2 16.0 15.8

16.2 16.0 15.8 A 1.7

0.2 0.1 0

0.7 0.5 L 0.3

x

8°

0°

c

e 0.8 y 0.10 HD

HE

A1

bp

b1

c1

ZD

ZE

L1 y S

S

RX111グループ 付録 1. 外形寸法図

図 C. 64 ピン WFLGA（PWLG0064KA-A）

ドキュメント内 RX111グループ データシート (ページ 98-104)