96 総括ロードマップ技術指標（Overall Roadmap Technology Characteristics
）Tr Calculated
end Numbers (nm)
45 40.1 31.8 28.35 22.5 17.9 15.9 14.2 10.0 8.9 8.0 6.3 ITRS
Rounded Numbers (nm)
45 40 32 28 22.5 17.9 15.9 14.2 10.0 8.9 8.0 6.3
半導体産業が新ナノ技術（サブ
100nm）の 2
桁nmデータのサイクルに入ると、新しい「四捨五入」の訂正 がさらにに重要になったことに注意して頂きたい。いくつかの分野では、それぞれの過去の公表内容との 整合性をとって、100nm/2004 から始まる以前の技術世代を引き続き採用する権利を留保している。しかし ながら、2004
年の100nm
を基点とし、3
年サイクルを仮定すると、現行の2011
年版ロードマップの慣行に 近い時点（差は1
年以内）にマイルストーンが置かれることになる。IRCの合意事項によって、技術ワーキン ググループが長期の計算をする際にはORTCのエクセルの表の四捨五入しない数値を利用できる。元のITRS
の長期の欄（2009/45nm; 2012/32nm; 2015/22.5nm; 2018/15.9
）が残され、その中間年に対する新 しい欄（2010/40nm; 2013/28nm; 2016/20.0nm; 2019/14.2nm）が加えられて、現在ではすべて年に対応 する列が含まれている。ITRS 2008
改訂版でのOTRC
の表の改訂では、2016
年以降、少数点以下1
桁の 数値を公開されている表OTRC-1 の技術トレンド項目のヘッダに含めた。2011 年版のORTCの表は、エク セルファイルの表として、www.itrs.net
から入手できる。モデル計算されたさらに多くの桁を含む高精度の 数値はエクセルの表に含まれていて、読者はそれを入手可能である。過去データと調査結果に基づいて、
3.8
年サイクルとペースダウンされ、このトレンドは2009
年の32nm
か ら2024
年の7.5nm
まで続く。描画時のゲート長については、2011 年を起点に3
年サイクルの微細化が2026
年まで続き、2024年に7.9nm
に達する。この間、描画時のゲート長と物理ゲート長の比は次第に小 さくなり、2024
年には、描画時のゲート長は予想される最終物理ゲート長よりわずかに大きくなる。図ORTC4
を参照のこと。最近になって、2011年にマルチゲートトランジスタ（MugFET）を量産に使うことが発
表され、また、Ⅲ／ⅤチャンネルやGe
チャンネル技術の採用を2019
年から2015
年に加速する可能性も ある。このため、2012 年の改訂にあたり、技術ワーキンググループは、これらの「等価的微細化」技術の採 用を4
年から5
年前倒しすることの影響について多くの作業をする必要に迫られている。（これについては、エグゼクティブサマリ（Executive Summary、この文書のこと）の「ITRS 2011 年版のトピックス」の「技術ペ ース（Technology Pacing）」節、「ITRS 2011 年版のトピックス」の節の「周波数と消費電力」の箇所を参照 されたい。）業界のリーダシップを獲得するため、スケジュールを前倒しで達成しなければならない目標の セットとして、ORTC の技術数値は、半導体関連企業により頻繁に使用されている。寸法の微細化および
「等価的微細化」技術の加速はこの証左でもある。このように、激しい競争的環境に置かれている半導体 産業では、ORTC の技術数値の大半が、すなわちロードマップそのものが時代遅れになる恐れがある。
我々が行う毎年の改訂作業では、技術の方向性に関する充分に密着した追跡を国際コンセンサスの場で 行い続けることにより、半導体産業における
ITRS
の有用性を維持することを期待している。たとえば、実 際のデータや学会の論文は、会社の調査データや公の発表とともに、2012 年の改訂プロセスのなかで再 評価される予定である。いくつかの個々の製品の技術トレンドにおける技術サイクルの更なる調整の可能 性もある。上に述べたように、様々なサイクルを反映し、将来のロードマップのシフトを密着してモニタする ため、2011
年から2018
年までの毎年の技術要求を公表し、この期間を「短期」と呼ぶ。2019
年から2026
年までについても毎年の技術要求を公表し、この期間を 「長期」と呼ぶすることが同意されている。 図OTRC3
とORTC4
に示すように、ITRS 2011
年版で「長期」にあたる期間は、1x nm(
訳注：1x nm
は10 nm
台の寸法を指す)以下の技術を実現するための困難な課題に挑戦する時期に相当している。（M1
ーフピッチで、
2019
年の13-14 nm
から2026
年に6.3-6.0 nm
に至る時期を指す。）の ハ
98 総括ロードマップ技術指標（Overall Roadmap Technology Characteristics
）1 10 100 1000
1995 2000 2005 2010 2015 2020 2025 2030
Nanometers (1e-9)
Year of Production
2011 ITRS - Technology Trends
2011 ITRS Flash ½ Pitch (nm) (uncontacted Poly) -[2-yr cycle to 2009; then 8-yr cycle to 2020; then 3-yr cycle to 2022/8nm; then flat]
2011 ITRS DRAM ½ Pitch (nm) (Contacted M1) -[2.5-yr cycle to 2008; 45nm pull-in to 2009; then 3-yr cycle to 2026]
2011 ITRS: 2011-2026 3D - 8 layers
3D - 128 layers
PIDS 3D Flash : Looser Poly
half-pitch 2016-18/32;
Then 2019-21/28;
Then 2022-25/24
Then 2025-26/18nm
~5.5-yr Cycle ?
Long-Term ’19-’26
16nm
RT 3
Figure O C 2011 ITRS—DRAM and Flash Memory Half Pitch Trends
1 10 100 1000
1995 2000 2005 2010 2015 2020 2025 2030
Nanometers (1e-9)
Year of Production