最初 DDC 単Cell 空洞 製作 い 述 る 8.2 示 よう 現状
ッ ア ノ 曩 料 生 産 程 曩 料 純 を る 回 程 多 電 子 Beam 溶 解
( Electron Beam Melting：EBM ) を行 ッアノ゜ンガセダを製作 る 展性
特性を増 ゜ンガセダ 巨大結晶を破壊 多結晶ッアノ曩を作る
゜ンガセダを鍛 ン 延ュヴャ いる 近 研究 EBM後 巨大結晶 ッアノ゜ンガセダをケメ゜ケ(ケメ゜ケ時間 48 時間) 時 多 朋を直接 り出
型 巨大結晶空洞 多結晶ッアノ ら製作 空洞 等 れ以
性能を る [8.1][8.2][8.3] 8.1 示 よう 方法 鍛
延 を全 る 出来る ILC 空洞 産時 ッアノ曩 曩料カケダ
を大 削減 る 期 れ いる[8.4] 曓研究 ゜ンガセダケメ゜ケ よるッ
アノ曩( 巨大結晶ッアノ曩)を使 空洞を作 8.2 DDC 実証試験 製作 単Cell 空洞を示
118
8.1 ッアノ 精製 程 ゜ンガセダを直接ケメ゜ケ る 削減 る
程 参考文献[8.4]より転載 削減 る 程を赤トゼ 表 いる
8.2 DDC実証試験 単Cell 空洞 面 完 単Cell 空洞
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8.1.1 ッアノ曩
巨大結晶ッアノ朋曩 クモカンゞ゠デヴ ケメ゜ケ Multi Wire法 ッアノ巨大 結晶゜ンガセダをケメ゜ケ 製作 時 直 265 mm 長 L 307 mm ゜ン ガセダ ら 102 枚 ッアノ朋を 時ケメ゜ケ ケメ゜ケ途中 写真 ケメ゜ケ後 ッ
アノ朋 写真を れ れ 8.3 8.4 示 ケメ゜ケ後 ッアノ朋 直 265 mm,
厚 t 2.8mm ある 1枚 朋 朋厚 ら 0.007mm, 朋間 ら
0.038mm あ [8.5]
8.3 ッアノ゜ンガセダ ケメ゜ケ時 模式 写真 参考文献[8.5]より転載
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8.4 ケメ゜ケ ッアノ朋
8.1.2 デヴネ Cell ハヤケ 型
れら ケメ゜ケ朋 ら2枚選ん 曓空洞 デヴネCellを製作 従来 ら使われ いるハヤケ 法 デヴネ Cell を 型 ( 8.5) 8.6 示 よう ハヤケ
引張り応力 よ 中央 薄肉 る を防 朋 中央 デヴネ Cell ゚゜モケ
約60% 穴(゚゜モケ 80 mm 45mm 穴)を開 8.6 ハヤ
ケ前後 写真を示 ハヤケ後 Cell 伸 を測定 結果 中心部 行 薄
いる る 述 るダモヘ 置 8.7 ~ 間(゚゜モケ) ヴ
間(赤 部) ある れ れ 厚 2.6mm 2.9mm あ 赤 部 曩料 流れ込
よ 厚 いる ハヤケ 巨大結晶ッアノ 粒界 伸 い ら 粒界ケセゾハ 発生 問題 出る れ 機械研磨 より容易 り
121
8.5 ハヤケ
8.6 デヴネCell ハヤケ 型前後 写真
8.7 デヴネCellハヤケ後 朋厚 変化
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8.1.3 デヴネ Cell ダモヘ
ハヤケ 型後 ダモヘ を施 寸 る ダモヘ 面を 8.8 示
ダモヘ 様子を 8.9 示 ダモヘ 石塚製作所 行 ダモヘ 程 電
子 Beam 溶接(EBW) 溶接縮 備え RF 設計寸法 赤 部 デヴネ Cell 当 り
+0.15 mm ゚゜モケ部 デヴネCell当 り+0.07 mm伸長 巨大結晶曩料
ハヤケ 型 デヴネCell 赤 部や゚゜モケ部 変形 真 い い ネメセダ 面を突 合わ 赤 部をEBW る い 赤 部 ゚゜モケ 部を゜ンュヴ構 いる ゜ンュヴ 精 2 デヴネCell 力を え 嵌
合い る よう 現物合わ 調節
8.8 ダモヘ 面 赤 部 嵌 合い 拡大
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8.9 ダモヘ 様子 ダモヘ 石塚製作所 行
8.1.4 Beampipe 製作
Beampipe 製作 い 説明 る 肉厚2.8 mm 多結晶ッアノ曩を 目標
るド゜ハ外 (65.6mm) (60mm) 均 ら計算 幅 197.2mm より わ
短い幅196.5mm り出 れ 後 溶接ド゜ハ 芯出 伸 真
を得る 設定 いる ド゜ハ状 ュヴャ 面を電
子Beam溶接 EBW後 ド゜ハ 真 い い 溶接ニヴチをエメ゜ンジ ヴ 落 後 60mm 真鍮 作 柱 ドンスを通 ド゜ハを 真 型 いる ド゜ハ 溶接 株式会社SFC 行 芯出 作業 KEK 作コンシヴ 行 作業風景を 8.10 示
8.10 Beampipeを真 型 いる様子 完 Beampipe
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8.1.5 Beampipe ネメング
Beampipe 厚 15 mm, 外 106 mm, 64 mm 第2種純スシンを用い ゜
ンュヴ ッアノド゜ハ ネメング 両面 EBW 真空クヴャ面 る側 溶接後 旋盤 坦 削 いる
8.1.6 He Vessel Baseplate Baseplate Flange
Choke空洞 一部を構 るHe Vessel Baseplate 厚 2.8 mm 巨大結晶ッアノ曩
ら製作 る He Vessel Baseplate 補強 厚 18 mm 第2種純スシン
Baseplate Flange 厚 2.8 mm 巨大結晶ッアノ 朋をろう付 ろう曩 銀ろ
う(JIS Bag-7)を使用 ろう付 雰 気 真空 ある ろう付 温 900 oC×20
ある
ろう付 端朋 中心部 Beampipeモンエを EBW モンエ 端
端朋 中 り端部 ッアノを EBW 時 Baseplate 裏側 ッアノド゜ハモン
エ Baseplateを溶接 れ 化学研磨 る時 Baseplate Beampipe モンエ
間 研磨液 浸透 る を防 ある
EBW組立後 ュゞ付 ッアノ面 スシンネメング 機械 Flange 真空
クヴャ面 EBW後 旋盤 削 ゜ングゞヘクヴャ 坦 面 ILC 適 用 る MO クヴャ構 銅イケォセダを使用 る を考え いる[8.6]
現時点 MO クヴャ 開発途中 ある モケェを考え曓研究 実績 ある
゜ングゞヘクヴャを用いる
8.1.7 単 Cell 空洞 電子 Beam 溶接
れら 製作 ドヴゼをKEK 作コンシヴ ある電子Beam溶接機を使いEBWを
行 溶接 様子を 8.11 示 溶接条件 空洞赤 部 面 ら 120
kV, 17.5 mA EBW 後外面 ら120 kV, 7.5mA 溶接 いる 真空 1×105 Torr 以 引い いる
125 8.11 電子Beam溶接 様子