現 確立 いる最 良い表面処理方法

電子 Beam 溶接後 超伝 空洞 表面処理 高電界を る 要 ある 電子 Beam 溶接 よ 完 空洞 表面処理方法 い 機械研磨 ら表面洗浄 現 確立 いる方法を 説明 る

遠心トヤャ研磨

36

電子Beam溶接後 よ 完 超伝 空洞 面 製作時 傷や溶接 等を持

超伝 空洞 溶接 Quench等 観測 れ り 溶接 を確実

去 る方法 必須 ある 遠心トヤャ研磨(CBP) れらを機械的 高 去 る方法

開発 れ CBP 2.31 示 よう 方向 異 る2 回転運動を組 合わ

ベタ゛゚ 空洞 表面 摩擦を大 る より高 研磨 いる 遠心トヤ ャ研磨 溶接 等 目視確認 る 行う 研磨 赤 部 200m程

る 砥粒を 去 る CPを10m程 行う 2.32 CBP前後

表面状態 変化を示 電子 Beam 溶接後 写真 あり 溶接ニヴチ 見える

CBP後 ニヴチ 目視確認 い 滑ら る

2.31 遠心トヤャ研磨 概念 参考文献[2.25]より転載

37

2.32 CBP前後 空洞表面状態

電解研磨80m

機械研磨 後 横型連 電解研磨法 空洞 表面を80m研磨 る 電解研磨法 研磨 る金属を陽極 適当 金属を陰極 研磨金属 種類 適 電解研磨液 中 電 を 電気化学 応 より研磨 る方法 ある ッアノ 場合 電解研磨液

濃 酸 ネセ化水素酸を れ れ容 比10:1 混酸を使用 る 陰極 ゚ャプ

を使用 る 電解研磨 原理を 2.33 示 研磨 ッアノ酸化物 生 溶解

繰り返 より進行 る 式 応式 ある れより 酸 応 関

EP液 性を持 役割を負 いる る

( 2-15 )

2.33 ッアノ 電解研磨 原理

真空゚ッヴャ

ッアノ曩 CBPや化学研磨 電解研磨 最中 水素を 蔵 る 蔵水素 100K付

38

近 温 領域 長時間(10 以 ) ら れる 相転移を起 ッアノ 結合 る ッアノ水素化物 質 悪い超伝 体 ある Q 値 著 化 る 現象を 水素病 ぶ 水素を脱イケ る 10^-6 Torr 到 真空 を持 真空炉 750 ^oC 3 時間 ゚ッヴャを行う 空洞 ッアノより酸化性 強いスシンピセ ェケ 入れる 残留イケをスシンオセシヴ作用 よりスシン 着 残留イケ ッ アノ曩 侵入を防 ある

20 +3m 電解研磨

真空゚ッヴャ 後 表面 汚 去 電解研磨を 20m 行う 電解 研磨液 液 環クケゾヘ 繰り返 EP 使用 れ いる EP 出発生 る 黄や 酸化膜 汚 を含 化ッアノ(NbxSy) 形 拡散 空洞性能 ら を発生

る 最後 新液 り替え り替え液 環 い 3m研磨 る

れをFlash EP ぶ

超音波洗浄

電解研磨後 表面を清浄 る 脱脂曩 純水 超音波洗浄を行う

End Group Brushing

TESLA型HOM Coupler 説明 よう 洗浄 構 ある サネ

ダ 歯ノメクを使い超音波洗浄 汚 を 去 あろう End Group 洗浄 を集中 行う

Steam Cleaning

Steam Clening 純水を100 C 熱 蒸気を使用 る 蒸気 Blushing

届 い場所 侵入 る る う End Groupを洗浄 る る

HPR

最後 純水を高 噴 る 空洞表面 ガプを 落 う 清浄 表面 生 れる

120℃ Baking

空洞を組 立 真空排気 後 空洞を120 C × 48時間 Bakingを行う 処理

目的 空洞 表面 ある酸素を拡散 る ある 空洞表面 酸素 電界 高

る 従いQ値 減 るQ-Slopeを発生 る 超伝 電流 深 40 nm 流れ

い Baking より酸素を れより 深 拡散 る Q-Slope を防

る

39

れら 処理を Single Ichiro Cell 空洞 適用 実験 到 電界性能 ら

ACD シヴオセダ ある45±2.3 MV/m 目標をェモ゚ 46.8±1.9MV/mを い る

2.34 Ichiro Single Cell CBP+CP+EP(80m)+Aneal+EP(20m)+Flash EP+Degreasing+Brushing+Stem Cleaning+HPR+Baking よるシ゜ダャヴハ試 験結果

参 考 文 献

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[2.25] 樋 玉緒. 博士論文.総合研究大学院大学. 2002 3暻

42

第 3 章 . 超伝 空洞 最適 HOM ジンドヴ 案

Beam よ 空洞 誘起 れる高調波(HOM) 後 Beam品質を 化 る HOM を積極的 減衰 る必要 ある 特 超伝 空洞 Q 値 非常 高

HOM 長 減衰 る 空洞 留 る 常伝 空洞より 一層深刻 ある

ILC TESLA 開発 れ ネ゛ャシヴ式 HOM Couplerをパヴケメ゜ン 用

いる 々 章 後半部 示 よう ILC パヴケメ゜ン より HOM を

強 減衰 る新 いHOM Couplerを 案 る

章 最初 ILC Beamジ゜ヂプセェケ ら要求 れるHOM Coupler RF 様を明ら パヴケメ゜ン HOM Coupler 問題点を明確 る ILC 16000 空洞を大 生産 る必要 あり 空洞 建設 占 る割合 非常 大 い 観

点 らHOM Coupler ケヒヴケ 制約 い る 器 HOMを減衰

る 行われ いる既存 方法 い 説明 る 後 超伝 ･常伝 を問わ 現

状 HOM Couplerを概観 れ ら開発 る新 いHOM Coupler ゚゜タ゚を練る

最期 々 考え 新 いHOM Couplerを 案 る

ドキュメント内 本文 総合研究大学院大学学術情報リポジトリ 甲1492 本文 (ページ 36-43)