145
ッアノ 水素を 蔵 や い 真空熱処理 非常 容易 放出 る 9.8 様子
を示 [9.9] 600OC程 水素脱イケ 起 る る KEK 熱処理時間を短
る ッアノ 再結晶温 700OC辺 ある ッアノを再結晶 プェ ュ 表面 を十 回 る目的 750OC×3時間 熱処理を施 いる
曓DDC れ 様 真空熱処理を施 熱処理 作コンシヴ 真空炉を使 行 真空炉 残留イケ ッアノ 純 を 化 いよう ッアノより活性 ス シン曩 作 箱 中 入れ 真空熱処理 様子を 9.9 示
9.9 ッアノ空洞 真空熱処理 様子 KEK 作コンシヴ 真空熱処理炉
9.1.4 化学研磨
真空熱処理 スシン パヴドヴ等 空洞面 汚 れる 汚 を 去 ネヤセク ポ ッアノ表面を作る 真空熱処理後 DDCを20m 化学研磨を行
方法 述 トャェ化学研磨 ある
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々 洗浄処理 クモカンゞ゠デヴを半 体 会社 ヤヴギ ヴ顕微鏡 表面粒子 大 数を測定 いる 純水高 洗浄 る ガプ 数 1/10 減る る 超純
水高 洗浄 1995 頃 らDESYやSaclay 用 始 SRF研究所
使 いる 超純水高 洗浄 超伝 空洞 表面処理技術 必須 ある
々 純水を使 力9 MPa 洗浄 時間 1時間 ある ェモヴンノヴケ
置い 空洞を高 洗浄テゲャ 回り 回転 運動 空洞 面全体 water jet を当 る 洗浄 様子を 9.11 示
9.10 クモカンゞ゠デヴ ダモケシン 表面洗浄 方法を適用 乾燥
あ ヤヴギヴ顕微鏡 表面 残留 るガプ 大 数を測定 結果 参 考文献[9.11]より転載
9.11 クモ カ ンゞ ゠デ ヴ ダ モケ シン 表 面洗浄+超 純 水高 洗 浄を 適用 乾燥 あ ヤヴギヴ顕微鏡 表面 残留 るガプ 大 数を測定 結果 参考文献[9.11]より転載
9.1.5 超純水 純水
空洞 洗浄 超純水を使い始 1982 頃 ある Cornell 大学 最初 ある
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超純水 比抵 (18M/cm) ガプ トェゾモ゚やTOC(total organic carbon)等 非 常 よ 管理 れ 水 ある 通常 クケゾヘ トェゾモ゚ 繁殖 い よう メ゜ン い 超純水を 環運転 いる メ゜ン中 設置 紫 外線メンハ トェゾモ゚を殺 増殖を抑え いる 滅菌 れ トェゾモ゚
死骸 メ゜ンネ゛ャシヴ よ 濾 られる 超純水を使わ い時 超純水装置 運転を られ い メ゜ンネ゛ャシヴ等 維持 張り 非常 高価 水 る 世界 殆 SRF研究所 超純水を高 洗浄 使 いる
一 方 々 空 洞 洗 浄 純 水 十 ある を確 認 [9.13] 7 M/cm
TOC~150 ppb 純水 40~50MV/m 電界 Field Emission無 得られる
をIchiro 単Cell空洞 実証 々 う 実験結果 基 い AR東第2実験
棟 洗浄メ゜ン 全 ゜アン交換 純水を使用 いる
9.1.6 純水高 洗浄 る 2
々 純水高 洗浄環境 ェメケ3000程 ある DESY Jlab 主 SRF
研究所 ェメケ 100環境中 超純水高 洗浄を行 いる 々 場合 高 洗浄
中 ガプ 空洞 侵入 る 能性 高い 々 高 洗浄 2 を いる[9.14]
-1 0 1 2 3 4 5
0 2 4 6 8
Particle during valve operation 21/4/2011 Particles/L
Particle / L size > 0.1m
Time [min.]
Stop air blow
Open HPR box window open
Valve Open/Close
Open HPR box window close
9.12 空洞bottom valve よる空洞 外 ゚゜サヤヴクミン valve ブ
ッ゚ャ操作 valve 操作 ガプ 発生 い ドヴゾ゛ェャィゞンシ
ヴ 確認を示 参考文献[9.14]より転載
一 高 洗浄テゲャ 直 3mm 非常 細いェモヴン SUSド゜ハを 通 0.1m ネ゛ャシヴを通過 ェモヴン゠゚ヴを流 いる 高 洗浄中 空
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洞 をェモヴン゠゚ヴ わ 気味 外 ら ガプ 侵入を防い いる う る 高 洗浄 玄関チ゚ヴを開い (極端 実証試験) ガプ 侵入を防 る を確認
う一 高 洗浄 終わ ゠゚ヴを 後 直 トャノ 空洞 外を゚゜サヤヴダ る ある 現状 ェモヴンノヴケ を開 手 いる 将来的 トャ操作を自動化 い 現状 ブッ゚ャ やり方
空洞 ガプ 侵入 防 いるを をドヴゾ゛ェャィゞンシヴ測定 確認
いる 9.12 結果 一部を示
9.1.7 ゠゚ヴ乾燥
純水高 洗浄後 トャノ 空洞 を空洞外部環境 ら゚゜サヤヴダ 状態 高 洗 浄 繋 廊 を通 空洞をェメケ10空洞組立 運ぶ 最初 空洞外部 をェモヴンン ゠゚ヴクホワヴを 空洞外面 付着 いるガプを 飛
空洞 部 ベェメネメング 側 ある゚゜サヤヴクミントャノを開 空 洞をェメケ10 ェモヴン ゠゚ヴジゞンネュヴ 一晩乾燥 る
9.1.8 Airflow 組立
0 10 20 30 40 50 60 70 80
0 2 4 6 8 10 12
ISE#3', Particles in the current assembly process C
Particles in 1L , > 0.1m size
Working time [ min. ]
Put gasket on BP flange
Put Top flange on BP flange
Put first 4 bolts
Tightened first 4 nuts by hand
Put other bolts
Tightened other nuts by hand
Put remained bolts Tightened tightly all nuts by hand
Set guides
Took off guides
Tightened remained nuts by hand
Tightened tightly the last nuts by hand
Total 240 pieces
9.13 空洞bottom valve よる空洞 外 ゚゜サヤヴクミン valve ブ
ッ゚ャ操作 valve 操作 ガプ 発生 い ドヴゾ゛ェャィゞンシ
ヴ 確認を示 参考文献[9.14]より転載
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最近 研究 空洞組立 使用 るピャダ ヂセダ イケォセダ等 ら空洞 ガプ 侵
入 る確率 高い [9.14] 9.13 実験結果 一例を示 ら
るよう 空洞組 立 時 注意深 空洞 Top ネメングを置い 時 え 数十個 ガ プ 空洞 測定 れ ヂセダを締 始 途端 50 個以 ガプ 測定 れ
う ガプ 侵入を防 ピャダンヂセダ等 使う部品を前 超音波洗浄 置 一定 効果を得る 完全 い う 問題 airflow組立 非常 暼効
ある 空洞RFCouplerフヴダ ら極 ェモヴン゠゚ヴを流
を る 外 ら ガプ 侵入 を著 防 る 結 果を 9.14 示 う 方法 組立作業 る作業者 個性 問題を回避 る
DDC 組立 れ 方法を使
表 9.1 Airflow組立 侵入ガプ 防 効果 参考文献[9.14]より転載 Ichiro
単Cell空洞 Input Coupler port らェモヴン゠゚ヴを流 いる写真 表
airflowを使わ い場合 使 場合 空洞 測定 ガプ 数(ドヴゾ゛
ェャィゞンシヴ使用) ABCD 4 人 異 る作業者 異 るピャダ 曩質 ク ヴャイケォセダ(括弧 )を 調 いる 数値 0.15m以 ガプ 数
9.1.9 ゜ングゞヘクヴャ
DDC 真空クヴャ 信 性 ら゜ングゞヘクヴャを使 0.8 mm ゜ングゞ ヘワ゜ボヴを使用 特 Super-join 部 クヴャ 色々 必要 あ 最初 ネメング構 をネメセダヴネメセダ 締 後 ゜ングゞヘ 厚 残
150
り れをRF 見 大 表面抵 発生 閉 時 RF ら゜ン
グゞヘ 見え るよう Choke 側 ネメングを゜ンュヴ れ 尚表面抵
発生 最終的 Choke側 ネメン 極わ ゠セグを 時 プ
ケ クヴャ面 り過 ゜ングゞヘ 置 場 非常 制限 れ フモ゠スヤン 製 型を作 り り ケヒヴケ ゜ングゞヘを置 よう う 第10章
述 るよう Super-Joint 実証 ゠セグを ネメング 40Nm
ダャェ 締 9.14 DDC 組立 様子を示
9.14 DDC 空洞組立 様子
9.1.10 真空排気
空洞を組立 後 直 空洞真空排気 移 真空排気クケゾヘ 引 をア゜
ャネモヴ ケェュヴャビンハ 引 ら 磁気浮 型 ア゜ャネモヴ シヴピ 子フン
ハ ~10-5 Pa程 引い 後 ゜アンフン り替え 通常 測定前 空洞 真空
2×10-6Pa ある 真空排気 様子を 9.15 示 尚 空洞 真空 測定
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9.15 DDC 真空排気 様子