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結 論

ドキュメント内 騨藝歪 頑 (ページ 187-200)

本 論 文 で は,分 子 線 エ ピ タ キ シ(MBE)に よ る面 創 成 機 構 を 基 本 的 か つ 全 般 的 に 明 らか に して き た.以 下 に 各 章 の ま と め を 示 す.

第1章 で は,分 子 レベ ル で 制 御 され た 表 面 の 必 要 性 に つ い て 述 べ,本 研 究 の 目的 と 意 義 を示 した.

第2章 で は,固 相 分 子 と気 相 分子 の物 理 化 学 反 応 に よ る分 子 加 工 法 の 一 般 論 を述 べ, MBEが 分 子 レベ ル で 制 御 され た 表 面 を創 成 す る 方 法 と して 適 して い る こ とを 理 論 的 に 説 明 した.ま た,MBEに お け る 加 工 条 件 を 体 系 的 に 分 類 し,表 面 物 理 学 分 野 の 先 行 研 究 の成 果 に 基 づ い て,そ れ らの 加 工 条 件 が エ ヒ タキ シ ャ ル 成 長 機 構 に 及 ぼ す 物 理 的 か つ 化 学 的 な 効 果 に つ い て 示 した.ま た,MBE装 置 の 特 性 に 関 す る 基 礎 的 な 実 験 結 果 か ら,MBEに よ って 面 を創 成 す る場 合 に 考 慮 す べ き加 工 条 件 を 明 らか に した.

第3章 で は,主 要 な エ ピ タ キ シ ャル 成 長 条 件 と考 え られ る 基 板 温 度 お よ び 分 子 線 入 射 量 に 着 目 し,そ れ らがSi‑siの ホ モ エ ビ タ キ シ ャ ル 成 長 機 構 に 及 ぼす 影 響 を 実 験 的 に 明 らか に した.基 板 面 準 備 工 程 な らび にエ ピ タキ シ ャル 成 長 条 件 が 同 様 で あ る に も 拘 わ らず,(oo1)si基 板 で は3次 元 核 成 長 が,そ して(11Dsi基 板 で は ス テ ップ フ ロー 成 長 が生 じる こ とが 明 らか とな っ た.こ の こ とか ら,エ ビ タキ シ ャ ル成 長 前 の 表 面 状 態 が,(ool)si基 板 と(lll)si基 板 で は 異 な っ て お り,本 実 験 で の(ool)si基 板 表 面 が 炭 素 化 合 物 な どで 汚 染 され て い る こ とが 明 らか とな っ た.そ の よ うな 表 面 状 態 の も と

で は,MBE成 長 時 の 基 板 温 度 が 高 く,分 子 線 入 射 量 が 低 くな る ほ ど,(001)Si基 板 で は3次 元 核 の発 生 密 度 が 低 くな り,(lll)Si基 板 で は バ ン チ ン グ され る ステ ップ 数 が 増 加 す る こ とが 明 らか とな った.ま た,基 板 温 度 が よ り高 い ほ ど.エ ピ タキ シ ャル 成 長 面 の 結 晶 の 完 全 さが 高 ま る こ とが 明 らか とな っ た.こ れ らの こ とか ら,基 板 温 度 と分 子 線 入 射 量 を い ず れ も高 くす る こ とで,結 晶 性 に も優 れ た 平 坦 面 の創 成 が 可 能 で あ る こ とが 明 らか とな っ た.以 上 の こ とか ら,エ ピタ キ シ ャル 成 長 条 件 は,MBEに よ っ て 創 成 され る微 細 形 状 の 発 生 密 度 や 大 き さに 影 響 を及 ぼ し,か っ 基 板 温 度 が 成 長 分 子 に よる表 面 原子 配 列 の 形 成機 構 に影 響 を及 ぼ す こ とが 明 らか とな った.

第4章 で は,基 板 面 方 位 がSi‑Siの ホ モ エ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 機 構 に 及 ぼ す 影 響 を 実 験 的 に 明 らか に した.[1101晶 帯 の8種 類 のSi基 板 に 対 して,同 一 の 加 工 条 件 の も と で MBE成 長 させ た と ころ,(ll1)Siを 除 くす べ て の 基 板 で は,エ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 の 初 期 段 階 が3次 元 核 成 長 で あ る こ とが 明 らか と な っ た.(001)Si基 板 で は,核 の 形 成,成 長 お よび 融 合 と い う過 程 を経 な が ら,主 た る成 長 モ ー ドが3次 元核 成 長 か ら層 成 長 へ

と 遷 移 す る た め,核 が 完 全 に 融 合 さ れ てRaがlnm程 度 の 平 坦 面 が 創 成 さ れ る.

(111)si基 板 で は,ス テ ップ フ ロー 成 長 が 保 持 され る が,成 長 膜 厚 の 増 加 に と もな っ て,創 成 さ れ る ス テ ップ 列 が 次 第 に 湾 曲 化 し て 鋸 刃 状 と な り,そ の 側 面 に は 自 由 エ ネ ル ギ が低 い と考 え られ る<211>ス テ ップ が 形 成 され る.(113)基 板 で は,は じめ に3次

元 核 成 長 に した が っ て 面 が創 成 され る が,成 長 膜 厚 が10nmに 達 す る前 に成 長 モ ー ド が ス テ ップ フ ロー 成 長 へ と遷 移 し,か っ エ ピ タ キ シ ャル 成 長 の 基 準 面 が(113)面 か ら 5〜10。 傾 斜 した核 側 面 へ と移 行 す る こ とが 明 らか とな っ た.基 準 面 が(113)で な い ス

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テ ッ ブ フ ロ ー 成 長 の 発 生 に よ り ・ 成 長 膜 厚 を 増 加 さ せ て も ,は じ め に 形 成 され た3次 元 核 の 融 合 が ほ と ん ど 進 行 せ ず ・ 高 さ20nm前 後 の 溝 が 残 さ れ た ま ま 成 長 す る こ と が 明 ら か と な っ た ・(331)基 板 で は ・3次 元 核 成 長 が 定 常 的 に 生 じ ,か つ エ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 の 主 方 向 は 基 板 面 に 対 し て 垂 直 方 向 の ま ま 保 持 さ れ る.そ の 結 果,核 の 融 合 が 一 定 の 段 階 以 上 に は 進 ま ず,成 長 膜 厚 を 増 加 さ せ て も20〜30nmの 凹 凸 が 保 持 さ れ た 斐

ま 推 移 す る こ と が 明 ら か と な っ た ・OIo)基 板 で は,3次 元 核 成 長 に し た が ・って 核 の 成 長 お よ び 融 合 と い う 過 程 で 面 が 創 成 さ れ る が,創 成 さ れ た3次 元 核L面 に は 基 準 面 か ら 僅 か に 傾 斜 し た(110)フ ァ セ ッ トが 形 成 さ れ ろ.こ の た め,そ れ ら の 核 が 完 斜 こ融 合 し て 成 長 面 が 平 坦 化 さ れ た 状 態 で は,核 の 接 合 部 に 高 さlmn程 度 の ス テ ッ フ が 形 或 さ れ る.さ ら に,い っ た ん 平 坦 化 さ れ た 後 に は3次 元 核 が 新 た に 形 成 さ れ 乏1)が,成 長 膜 厚 を 増 加 さ せ て も 再 び 平 坦 化 さ れ な い こ と が 明 ら か と な っ た.そ れ ぞ れ の 基 板 で 創 成 さ れ た 核 や ス テ ッ プ 列 に は,基 板 面 方 位 に 特 有 の 幾 何 的 特 徴,す な わ ち 特 定 の 晶 帯 の 結 晶 面 が 形 成 さ れ て い る こ と が 明 ら か と な っ た.こ れ ら の こ と か ら,特 定 の エ ヒ タ キ シ ャ ル 成 長 条 件 の も と で も,基 板 面 方 位 と 成 長 膜 厚 を 適 切 に 選 定 す る こ と に よ り、

ス テ ッ プ 列 や3次 元 核 を 基 本 構 成 要 素 と し た 面 の 創 成 が 可 能 で あ る こ と が 明 ら か と な っ た.

第5章 で は,エ ビ タ キ シ ャ ル 成 長 の 結 晶 異 方 性 に 関 し て,実 験 結 果 とSiの 表 面 原 子 配 列 に 基 づ い て 解 析 を 行 っ た.エ ビ タ キ シ ャ ル 成 長 の 結 晶 異 方 性 の 大 き さ を 表 す 評 価 パ ラ メ ー タ と し て ,原 子 層 ス テ ッ プ に お け る 単 位 長 さ あ た りの ダ ン グ リン グ ボ ン ド密 度 と 方 向 余 弦 の 積 を 異 方 性 係 数 と し て 新 た に 定 義 し た.こ の 異 方 性 係 数 をSi基 板 の 理 想 表 面 の 原 子 配 列 に 対 し て 計 算 し,異 方 性 係 数 の 大 き さ か らMBEに よ っ て 創 成 さ れ る 微 細 形 状,す な わ ち 核 や ス テ ッ プ の 幾 何 的 特 徴 を 解 析 し た.そ の 結 果,核 や バ ン チ ン グ さ れ た ス テ ッ プ 列 の 周 囲 に は,異 方 性 係 数 が 最 小 値 あ る い は 極 小 値 と な る 結 晶 方 位 の ス テ ッ プ が 形 成 さ れ る こ と が 明 ら か と な っ た.た だ し,エ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 の 結 晶 異 方 性 を よ り 正 確 に 捉 え る た め に は,理 想 表 面 で は な く 真 空 中 で の 再 構 成 構 造 を 対 象 と し て 異 方 性 係 数 を 計 算 す る 必 要 が あ る こ と も 明 ら か と な っ た.

第6章 で は,MBEに よ る 面 創 成 の 応 用 と し て,初 期 加 工 を 施 し たsi基 板 へ の ホ モ エ ビ タ キ シ ャ ル 成 長 な ら び にSic.Siの ヘ テ ロ エ ビ タ キ シ ャ ル 成 長 を 対 象 と し て ・ そ れ ぞ れ の 面 創 成 機 構 を 実 験 的 に 調 査 し た.初 期 加 工 と し て 直 径1オmの 微 小 穴 を 配 列 さ せ た (111)si基 板 に,基 板 温 度800℃ でMBE成 長 さ せ た と こ ろ ・ ス テ ッ ア フ ロ ー 成 長 が 微 小 穴 に よ.⊃ て 干 渉 さ れ,鏡 面 加 工 さ れ た(lll)Si基 板 の 場 合 に 比 べ て 規 則 的 な ス テ ッ プ 列 が 創 成 さ れ る こ と が 明 ら か と な っ た.ま た,基 板 の 面 方 位 ず れ の 方 向 と微 小 穴 の 配 列 方 向 の 位 置 関 係 に よ っ て,ス テ ッ フ 列 の 形 状 が 瓦 状 や 鋸 刃 状 と な る こ1,か 明 ら か と な っ た.し た が っ て,特 定 の 微 細 加 工 を 施 す こ と に よ り,エ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 機 構 を 幾 何 学 的 に 制 御 で き,結 果 的 に 規 則 性 の 高 い ス テ ッ プ 形 状 の 創 成 が 可 能 で あ る 二 と が 明 ら か と な っ た.ま た,Sic‑siの ヘ テ ロ エ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 の 場 合 に は ・siと Sicの 格 子 定 数 の 差 を 緩 和 す る た め にSi基 板 上 に 製 作 す る 炭 化 層 の 表 面 性 状 が ・ そ の 後 のMB賊 長 機 構 に 影 響 を及 ぼす こ とが 明 らか とな っ た ・ す な拉 ・・ 炭 イ偲 呼 望

か っ 結 晶 性 が 良 好 で あ る ほ ど,Sic賑 面 の 平 趣 と繍 性 も向 上 す る劃 反礎 1000℃ でSiCをMBE成 長 さ せ る と,3次 元 核 成 長 に し た が っ て 面 が 創 成 さ れ る が ・ 灰

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化 層 形 成 段 階 で 創 成 され た 核 が 一 定 の 段 階 以 上 に は 融 合 され ず,高 さ10nm程 度 の 凹 凸 を保 持 した ま ま で あ った.し た が っ て,Sicの ヘ テ ロエ ピ タキ シ ャル 成 長 面 を 分 子 レベ ル で制 御 す る に は,表 面 状 態 の優 れ た 炭 化 層 を製 作 し,か つ3次 元 核 を 融 合 させ るか,あ るい は エ ピ タ キ シ ャル 成 長 が層 成 長 とな る よ うな加 工条 件 を 選 択 す る必 要 が あ る.

以 上 の こ とか ら,MBEに よ る 面 創 成 機 構 を 全 般 的 に 明 らか に で き,結 果 的 に 平 面 を含 め た 様 々な 面 の創 成 とい う加 工 目的 に 対 してMBEが 適 用 可 能 で あ る こ と を 明 ら か にす る こ とが で き た.

1) M. Prutton: Introduction to Surface Physics, Oxford Univ. Press, (1998)

2) L. L. Chang, L. Esaki and R. Tsu: Effects of Quantum States on The Photocurre

nt in a "S uperlattice", Phys. Rev. Lett., 34. 24 (1975) 1509.

3) M. B. Panish: Molecular Beam Epitaxy of GaAs and InP with Gas Source for As and PEl . J.

ectrochem. Soc., 127, (1980) 2729.

4) M. A. Herman and H. Sitter: Molecular Beam Epitaxy , Springer. Berlin. (1996).

5) M. J. Paisley, Z. Sitar, J. B. Posthill and R. F. Davis: Growth of Cubic Phase Gallium Nitride by Modified Molecular-beam Epitaxy, J. Vac. Sci. Technol . A, 7, 3 (1989) 701.

6) A. J. Eaglesham: Semiconductor Molecular-beam Epitaxy at Low Temperature , J. Appl.

Phys.. 77. 8 (1995) 3597.

7) R. T. Tung and F. Schrey: Molecular Beam Epitaxy Growth of CoSi2 at Room Temperature, Appl. Phys. Lett., 54, 9 (1989) 852.

8) J. Wei, X. -S. Wang., N. C. Bartelt, E. D. Williams and R. T. Tung: The Precipitation of Kinks on Stepped Si(111) Surfaces, J. Chem. Phys., 94, 12 (1991) 8384.

9) K. Fujita, Y. Kusumi and M. Ichikawa: Nucleation along Step Edge during Si Epitaxial Growth on The Si(111) Surface Observed by STM. Surf. Sci., 380 (1997) 66.

10) B. S. Swartzentruber. Y. -W. Mo. M. B. Webb and M. G. Lagally: Scanning Tunneling

Microscopy Studies of Structural Disorder and Steps on Si Surfaces, J. Vac. Sci. Technol.

A, 7, 4 (1989) 2901.

11) J. -h. Zhu, K. Brunner and G. Abstreiter: Observation of Step Bunching in Units of 4 ML on Vicinal Si(113) Surfaces, Appl. Phys. Lett.. 73. 17 (1998) 2438.

12) H. Nakahara and NLIchikawa: Molecular Beam Epitaxial Growth of Si on Ga-activated Si(111) Surface, Appl. Phys. Lett., 61, 13 (1992) 1531.

13) A. J. Hoeven, D. Dijkkamp, E. J. van Loenen. J. M. Lenssink, and J. Dieleman: Island and Step Structures on Molecular Beam Epitaxy Grown Si(001)) Surfaces, J. Vac. Sci. Technol.

A, 8, 1 (1990) 207.

14) ~ J8:, ----TanElA`7iIoDiriff:5_.-/)' J,L,i:[`7t, 63. 7

(1994) 660.

15) R. T. Tung and F. Schrev: Topography of The Si(111) Surface during Silicon Molecular

Beam Epitaxy, Phys. Rev. Lett., 63, 12 (1989) 1277.

16) l ^ (1988).

17) 18) 19) 20)

?1)

22)

23)

24)

25) 26)

27)

28)

?y) 30) 31) 32)

33)

田 中 克 敏 工 作 機 械 お よ び 周 辺 技 術 に 関 す る 新 潮 流,精 密 工 学 会 誌62,1(1996)24.

森 脇 俊 道:切 削 加 工 の 軌 跡,精 密 工 学 会 誌,65」(1999)25.

庄 司 克 雄:研 削 加 工 の 軌 跡,精 密 工 学 会 誌,65,1(1999)31.

河 西 敏 雄=研 磨 加 工 の 軌 跡.精 密 工 学 会 誌.65.1(1999)37.

山 形 豊,樋 口 俊 郎:精 密 切 削 に よ る 微 細 形 状 創 成.精 密 工 学 会 誌,61.10(1995) 1361.

和 井 田 徹.岡 野 啓 作:研 削 に よ る マ イ ク ロ 形 状 創 成.精 密 工 学 会 誌.61.10(lgg5) 1365.

冨 田 洋 司 、江 田 弘,中 村 勝:固 定 砥 粒 に よ るSiウ エ ハ の 超 精 密 加 工 に 関 す る 研 究 一 遊 離 砥 粒 法 に 代 わ る 新 開 発 砥 石 、精 密 工 学 会 誌,61.10(1995)1428.

酒 井 保 男,柳 下 福 蔵,古 川 勇 二:研 削 過 程 の シ ミ ュ レ ー シ ョ ン に 関 す る 研 究(第2 報)一 砥 石 の 砥 粒 切 れ 刃 分 布 特 性 一,精 密 工 学 会 誌,61,10(1995)1443.

土 肥 俊 郎 、河 西 敏 雄,中 川 威 雄:半 導 体 平 坦 化CMP技 術.工 業 調 査 会.東 京.(1998).

土 肥 俊 郎 超:LSIデ バ イ ス ウ エ ハ の 機 械 的 プ ラ ナ リ ゼ ー シ ョ ン 加 工 の 必 要 性 と 意 義.

精 密 工 学 会 誌,62.4(1996)483.

三 宅 正 二 郎.石 井 正 紀.大 竹 利 明 、津 嶋 尚 武:原 子 間 力 顕 微 鏡 に よ る マ イ カ の ナ ノ メ ー タ ー ス ケ ー ル の 機 械 加 工,精 密 工 学 会 誌6J.J(1997)426.

三 宅 正 二 郎,金 鐘 得:原 子 問 力 顕 微 鏡(AFM)に よ る シ リ コ ン の マ イ ク ロ 隆 起 加 工.精 密 工 学 会 誌65.12(1999)1789.

古 川 勇 二:精 密 工 学 の 温 故 知 新 と 新 た な 潮 流.精 密 工 学 会 誌.62.1(1996)5.

麻 蒔 立 男:超 微 細 加 工 の 基 礎.日 刊 工 業 新 聞 社.東 京,(1996).

佐 藤 健 夫:マ イ ク ロ 放 電 加 工 に よ る 形 状 創 成.精 密 工 学 会 誌,61.10(1995)1369.

佐 藤 一 雄:エ ッ チ ン グ に よ る 微 細 な3次 元 構 造 体 の 加 工.精 密 工 学 会 誌.61,10 (1995)1373.

平 井 聖 児.古 川 勇 二 高 能 率,高 精 度 異 方 性 エ ッ チ ン グ 条 件 の 選 定 指 針,精 密 工 学 会 誌62,3(1996)428.

34) 青 野 正 和.小 林 中.F.Grey.内 田 裕 久.D.H.Huang,吉 信 淳:走 査 ト ン ネ ル 顕 微 鏡 に お け る 探 針 とSi表 面 と の 相 互 作 用 お よ び そ の 原 子 走 査 へ の 応 用.応 用 物 理.61,12 (199?)1264.

ドキュメント内 騨藝歪 頑 (ページ 187-200)

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