6.2 今後の課題
今後の課題として、電気特性に寄与するものとして、ドーピングしているGaの含有量が 違っている可能性や、その他結晶の欠陥によるものであるのかを追求することが残った。
含有量については、各種元素の割合を変えて成膜を行い薄膜の形成位置による特性とを 比較することで関係を見出し、含有量の違いとその違いによる特性の変化が一枚の基板上 に成膜された薄膜に存在するのかを照らし合わせることで可能ではないかと考える。
卒論に関連する対外発表
池田圭吾、山本哲也、「ZnOにおけるドーパントと混入不純物の解析 −PIXEに望むこと
―」：第20回 PIXEシンポジウム
参考文献
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