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本資料のポイント

2012年版 チタン・マグネ合金市場の将来展望

発刊日:2012年06月28日 資料体裁・販売価格:

書籍(A4判136頁): 定価126,000円 (本体 120,000円 消費税 6,000円) PDFレギュラー(事業所内利用限定版)

         :定価126,000円 (本体 120,000円 消費税 6,000円) セット(書籍とPDFレギュラー)

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  ①一次加工(スポンジチタン・インゴット)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 10  ②成形加工方法別・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 88   ②二次加工(展伸材)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 15  ③需要分野別・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 89

3.チタン市場の市場規模推移 4.マグネシウム合金成形加工のメーカー別シェア

 (1)一次加工(スポンジチタン・チタンインゴット)  (1)全体・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 98   ①数量・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 17 (2)成形加工方法別

  ②金額・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 19  ①ダイカスト・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 99

 (2)二次加工(展伸材)   ②チクソモールディング・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 100

  ①数量・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 21  ③プレス・鋳鍛造・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 101   ②金額・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 23 (3)需要分野別・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 102   ③種類別(CP、チタン合金)数量・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 255.マグネシウムのマテリアルフロー(原料~中間加工材料~最終用途)・・・・・・・・・・・・・・・・・ 109   ④種類別(CP、チタン合金)金額・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 276.韓国、中国のマグネシウム合金戦略

  ⑤需要分野別数量(国内)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 29 (1)韓国

  ⑥需要分野別数量(輸出)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 30  ①POSCO社のマグネシウム製錬事業・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 111   ⑦形状別数量(国内)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 31  ②POSCO社のマグネシウム合金圧延事業・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 112   ⑧形状別数量(輸出)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 32 (2)中国のマグネシウム合金戦略

4.チタン関連企業の動向   ①概要・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 115

 (1)スポンジチタン・インゴットメーカー   ②企業・プロジェクト動向・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 115

  ①東邦チタニウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 33  ③中国のマグネシウム産業が抱えている課題・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 121   ②大阪チタニウムテクノロジーズ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 37  ④マグネシウム応用製品の研究開発動向

 (2)展伸材メーカー   1)燃料電池・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 122

  ①新日本製鐵・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 39  2)医療・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 123   ②神戸製鋼所・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 417.日本におけるマグネシウム展伸材の取り組みについて

  ③住友金属工業・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 44 (1)マグネシウム展伸材を取り巻く市場環境・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 125   ④JFEスチール・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 46 (2)主要企業での取り組み状況

  ⑤大同特殊鋼・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 47  ①日本金属・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 126 5.チタンの加工市場について・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 48  ②権田金属工業・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 128 6.チタンのマテリアルフロー(スポンジチタン~チタンインゴット~展伸材~最終用途) 49   ③三協マテリアル・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 130

7.中国、韓国のチタン動向   ④不二ライトメタル・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 131

 (1)韓国・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 518.大学等公的研究機関でのマグネシウム研究開発動向

 (2)中国・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 52 (1)熊本大学・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 132 8.チタンスクラップの動向・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 60 (2)茨城県工業技術センター・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 134 9.日本のチタン市場の将来性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 629.日本のマグネシウム合金市場の将来性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 135 第二章 マグネシウム合金市場

1.マグネシウム合金市場の定義・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 66 2.マグネシウム合金市場の概況

 (1)日本におけるマグネシウム合金市場の現状・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 66  (2)部門別市場概況

  ①原材料調達(地金)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 68   1)東京マグネシウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 69   2)大阪富士工業・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 69   ②プレス加工・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 70   1)カサタニ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 71   ③鋳造加工・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 72   1)神戸製鋼所・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 72   2)その他・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 72   ④ダイカスト・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 73   1)筑波ダイカスト工業・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 74   2)その他・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 75   ⑤チクソモールディング・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 76   1)ミツワ電機工業・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 77   2)エムジープレシジョン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 78   ⑥鍛造・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 79   1)菊水フォージング・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 80   ⑦表面処理・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 81   1)マグネシウムの化成処理工程と皮膜特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 82   2)その他の表面処理方法

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矢野経済研究所 発刊資料のご案内

〜SiC〜

○眼前の6インチウエハーでの戦いが雌雄を決す デバイスの用途開発を待たずに 一気に量産体制構築へ

○マイクロパイプ欠陥はほぼ解決も、量産レベルでの対応が求められる

○合言葉の「1インチ1万円」は目標ではなく通過点

○複数社による6インチ量産体制確立は〜2014年、ニューカマーを含め多くのメー カーがそこに集う

○2014年は面積ベース、2015年は枚数ベースで6インチが4インチを抜く

〜GaN〜

○今後の市場参入者は青紫色レーザー以外の用途を狙う

○LEDスペシャル照明への本格参入で逆転シナリオの遂行へ、それは必須項目であ ると同時に剣が峰

○注目すべき液相法、その事業化時期が迫る

市場概況 企画主旨

○フィールドテスト進むSiCはついに夜明け前

○次代のエネルギーインフラに向けた新・環境デバイス材料市場が立ち上がる

○GaN:逆転シナリオへ、幕引き間近のラストチケットを手に開発は背水の陣

○SiCとGaN、両ウエハーに割って入るGaN on Siなどヘテロ接合の潜在能力は高し

本資料のポイント

 ポストSiのパワー半導体としてSiCとGaNのワイドギャップ半導体はインバータ、コ ンバータなどの電力損失を大幅低減できる次世代のパワー半導体として注目され ている。

 その基板材料としてSiCとGaN単結晶も日米欧の先行メーカーだけでなく中国など アジアメーカーもこれをキャッチアップしようとしている。これらによりウエハー高品 質化や大口径化など、ワイドギャップ半導体デバイスの市場拡大に向けた取り組 みが進められている。このSiCとGaNの単結晶の現状、および今後の市場性に関 し、単結晶メーカーだけでなく同じ領域で戦う技術であるGaN on Siなどへのヒアリ ングも加えることで、ワイドギャップ半導体デバイスの市場浸透時期と規模をベース とした単結晶市場の今後の動向を捉えるレポートとして発刊致しました。

2012年版 SiC・GaN単結晶市場の現状と将来展望

発刊日:2012年02月22日 資料体裁・販売価格:

書籍(A4判102頁): 定価136,500円  (本体 130,000円  消費税 6,500円) PDFレギュラー(事業所内利用限定版)

         :定価136,500円  (本体 130,000円  消費税 6,500円) セット(書籍とPDFレギュラー)

         :定価168,000円  (本体 160,000円  消費税 8,000円) PDFコーポレート(法人内共同利用版)

        :定価273,000円  (本体 260,000円  消費税 13,000円)

※セット(書籍とPDF)価格は同一購入者の方が書籍とPDFをご購入される場合に適用 される特別価格です。

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シリコンが届かぬ領域こそワイドバンドギャップ材料が目指す場所 Cree,Inc.・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 50 【図.Top Seeded Solution Growth法(TSSG法)構造模式図】

超高耐圧領域での早期事業実現が妙味  SiCのリーダーは市場本格化へ盤石な体制  2012年度からは4インチ化に着手、市場投入が視界に入る

 【図.ワイドバンドギャップ半導体材料としての理想事業化進展イメージ】  普及に向けた価格政策の率先推進で、SiCウエハー数量は安定的に成長中  【表.近年の事業動向(ポリタイプ、品質、生産性、口径)】

第2章 SiC単結晶市場・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 9 【表.クリー全社売上とLED Products、Power and RF products各事業売上推移】  【図.溶液成長による4H-SiC結晶中の転位密度の変化】

昇華法によるブレークスルーで市場化が進む  6インチ品は市場環境を見極め2012年リリース予定も、顧客リクエストは既に多数  【図.溶液成長法で育成した4H-SiCバルク単結晶】

 【表.各種半導体材料の物性値比較】  LED事業でのSiCウエハー使用は高いアドバンテージ、 セラミックフォーラム株式会社・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 81  【表.SiC単結晶の物性特徴と適応応用製品、SiC採用メリット】  これによる技術蓄積は他社追従ができない領域に  (SiCrystal A.G./Norstel A.B./ACREO A.B./Ammono S.A.)

マイクロパイプ欠陥はほぼ解決も、量産レベルでの対応が求められる HOYA株式会社・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 53 ワイドギャップ半導体領域の全方位展開を推進

その他転位欠陥改善は検査装置の進化も後押しに  2012年度6インチ化の実現に向け開発加速中  新工場稼動は2015年のマーケットシェア1位獲得に向けた土台に

マイクロパイプ欠陥のない製法でも品質改善は進む  3Cの特長を生かす形で横型MOSFETも有望選択肢   【表.シークリスタルの近年動向】

特に熱平衡状態に近い結晶成長法となる溶液法は素性よし  基本製法をベースに更なる低コスト化技術を検討中   SiCだけでなくGaNも守備範囲としワイドギャップ半導体事業は万全の体制に

ウエハー高品質化だけでなく活性層形成へもつながるMSE法ベースのバッファ膜形成  【表.開発テーマと想定用途分野】  セラミックフォーラムはエピタキシャルサービスまでワンストップ提供、

エピ膜厚15μmレベル(=耐圧1,700V)へは安定量産可能  【表.単結晶製法と低価格化へのポテンシャル】  広範囲の顧客ニーズに対応

 【表.SiC単結晶ウエハー、エピタキシャルウエハーの品質動向】 Tanke Blue Semiconductor Co.,Ltd/株式会社MTK・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 56 【表.セラミックフォーラムのワイドギャップ半導体領域ソリューション(取引企業概要)】

合言葉の「1インチ1万円」は目標ではなく通過点  一部有望顧客からは“逆指名”も、高い潜在能力の実市場での発揮が待たれる 太平洋セメント株式会社/屋久島電工株式会社・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 84 当面はトップ品質品で4インチ8万円が目標か、量産実績の有無もポイントに  今後の進化が期待される中国結晶学会先端技術力ベースのSiC単結晶メーカー   SiCデバイスの市場化進展に向け、出発原料で貢献

面積単価の当面目標は2.2円/mm2、足元努力見積価格は既に同桁内に  【表.タンケブルーセミコンダクター企業概要】  グループ企業の協業で超高純度炭化ケイ素を工業生産化

 【表.SiC単結晶ウエハー価格動向】  国内代理店としてのMTK、  【表.超高純度炭化ケイ素の基本仕様】

 【表.SiC単結晶ウエハーの面積単価動向】  サファイアやシリコンウエハーの取り扱いも開始しトータルサービス提案体制に  【図.粒子形状外観】

6インチの複数社による量産体制確立は〜2014年、ニューカマー含め多くのメーカーがそこに集う  【表.MTK企業概要】  素性の良い製法がアドバンテージ、将来的なポテンシャルも期待される

これからの市場参入者(昇華法以外)においても6インチは目先の目標に  低コスト運営で高いコスト競争力へのポテンシャルが一番の魅力  【表.生産体制、価格(競争力)、今後の施策】

 【表.SiC単結晶主要メーカーのウエハー口径動向(ロードマップ含む)】  さらにアズカットウエハーやインゴット販売で市場成長にも貢献 東レ・ダウコーニング株式会社(Dow Corning Toray Co., Ltd.)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 87 6インチは2012年〜2013年にサンプル投入から少量生産始まる  【表.SiC単結晶製品概要(4H・6Hウエハー、アズカットウエハー、インゴット)】  間近に迫るインチアップが事業のステップアップ期を迎える

2014〜2015年は複数社での量産体制が出揃い本格導入期に  高品質化と大口径化は最優先取り組み事項として  6インチウエハーでマーケットリーダーを狙う

 【図.SiC単結晶ウエハー市場進展イメージ(現在〜2015年を中心に、デバイス含む)】  市場本格化時期をキャッチアップターゲットに  GaN on Siへの取り組みも加え、広範囲のデバイスニーズがカバーできる体制に

市場は2015年に成長ステージに立つ  【表.口径別ウエハー品質ロードマップ(2〜6インチ)】  【表.ダウコーニングのワイドバンドギャップ領域事業動向(SiC、GaN on Si)】

本領発揮がここから始まる  【表.口径別生産能力】 伯東株式会社/SAINT-GOBAIN (旧Lumilog)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 89

 【表.SiC単結晶市場規模推移と予測(金額、数量、2009〜2015年予測)】  先々のテイクオフを見据え、既に広範囲な用途でのウエハー販売実績が増加中  エレクトロニクス領域の広い事業基盤を活かし  【図.SiC単結晶市場規模推移と予測(金額、数量、2009〜2015年予測)】 エア・ウォーター株式会社・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 62 電子デバイス用GaN基板のユーザー開拓から進む

 【図.SiC単結晶用途分野別市場規模推移と予測(金額ベース、2009〜2015年予測)】  VCE法によるGaN下地基板としての優位性を量産装置で発揮へ  当初から青紫色レーザー以外の用途を志向し、低価格化を目指す

 【表.SiC単結晶ポリタイプ×用途分野大別市場規模推移と予測  超高真空成膜装置(VCE)を活かし、8インチSiC単結晶基板を開発  【表.ルミログ事業概要(主要製品、特徴、現状技術レベルとターゲットなど)】

 (金額ベース、2009〜2015年予測)】  【図.VCE装置】  伯東では広範囲の想定顧客に対しGaN基板の将来ユーザーを開拓

2014年は面積ベース、2015年は枚数ベースで6インチが4インチを抜く  高品質なSiC(111)薄膜が形成可能な点は大きなアドバンテージ 株式会社パウデック・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 92  【表.SiC単結晶パワーデバイス+非生産分野口径別市場規模推移と予測  3C-SiC(111)薄膜のX線ロッキングカーブ半値幅は既に世界最高レベルに  窒化ガリウム半導体のパワーデバイス応用を独自エピ技術で牽引

 (枚数、面積、2009〜2015年予測)】  【表.SiC基板作製フロー】  高品位GaN結晶を安価なサファイア基板上に形成

 【表.SiC単結晶パワーデバイス+非生産分野口径別面積シェア推移と予測(2009〜201  【図.SiC(111)- X 線ロッキングカーブ半値幅(XRC-FWHM)】  600V耐圧GaNダイオードは対シリコン比二桁以上低い動作抵抗を実現

 5年予測)】  当面は高周波用GaN下地基板として量産装置の検討へ、さらにLED下地基板の道も  【図.新技術によるGaN縦型ダイオードの構造図(従来技術比較)】

 【図・表.SiC単結晶パワーデバイス+非生産分野口径別枚数シェア推移と予測(2009〜  【表.注力方向とアドバンテージ、開発状況、今後の取り組み】  電流コラプスをなくした新構造の耐圧1,100Vトランジスタは  2015年予測)】 株式会社エコトロン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 66 シリコンベースの低価格化とサファイアベースの超高耐圧化に向かう  【図.SiC単結晶パワーデバイス+非生産分野枚数および面積市場規模の推移・予測成  4インチ対応実現によりデバイス評価、量産技術開発と市場化ステージへ  【図.新技術によるGaN HFETの構造図(従来技術比較)】

 長率比較 (2009〜2015年予測)】  中耐圧SiCデバイス開発から市場が求める上流工程へ向かう  【図.新構造GaN HFETのストレス後オン抵抗(従来構造品比較)】

 【図.SiC単結晶パワーデバイス+非生産分野面積市場規模推移と予測(2009〜2015年予測)】  【表.事業経緯】  開発競争をリードするベンチャースピリットは量産を見据えたステージへ

クリーのシェアは低下中だが再び高シェア獲得の様相も  バッファ層+活性層形成まで対CVD法優位性が活かせるMSE法  6インチ対応新規装置設計に着手

 【図.SiC単結晶市場メーカーシェア(金額ベース、2009年、2011年)】  【図.MSE法の基板断面と構造の概念図とバッファ膜の効果イメージ】  【表.MOCVD装置特徴と現在状況、開発品の特徴と現在〜今後】

第3章 GaN単結晶市場・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 35 【表.エコトロンのSiC単結晶基板高品質化バッファ膜作製手法と特徴】 日立電線株式会社・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 97 主用途である青紫色レーザーでの市場拡大は見込みづらい状況、市場縮小傾向が鮮明に  欠陥伝搬抑制効果はそのままに6インチ対応炉における4インチ化を実現  GaN単結晶基板のセカンドポジションを確保し前へ

 【表.ブルーレイディスクレコーダーとプレーヤーの国内出荷台数推移(2009〜2011年)】  (活性層形成含む)、デバイス評価と共に量産技術の確立へ向かう  VAS法によるGaN単結晶基板は量産供給が始まる  【図.プレイステーション3全世界売上台数推移(2007〜2011年)】  【表.近年の事業動向(対応面積、開発テーマ、市場化ステージイメージなど)】  【表.VAS(ボイド形成剥離)法概要と効果】

今後の市場参入者は青紫色レーザー以外の用途を狙う 昭和電工株式会社・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 70 【図.VAS(ボイド形成剥離)法の基礎概念模式図】

LEDスペシャル照明がその入り口に  安定的な生産体制を確立、実市場での量産移行が視野に  転位密度は105/cm2台へ大幅改善

SiCを凌ぐポテンシャルが活かせる電子デバイス用途  高品質品の安定的な生産技術をベースに規模面での拡大ステージに  今後は足元市場での拡販と新規用途分野の開拓を同時に推進

研究者へのアプローチが進む  【表.事業進展状況と量産品質・対応可能膜厚】  【表.VAS法とナノネットの概要と効果、転位密度状況】

 【図.パワーデバイス材料の性能比較】  エピ欠陥数の低減を図りながら安定供給体制の確立を目指す  【図.表面欠陥を含まないGaN自立基板における成長厚と転位密度の関係】

注目すべき液相法、その事業化時期が迫る 新日鉄マテリアルズ株式会社・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 73株式会社ブリヂストン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 100

 【表.GaN単結晶ウエハー市場参入メーカーの主な動向(または概要)】  近い将来の本格的な量産を見据え、万全の体制で臨む  粉体原料から最終製品までの高度一貫自社体制で高品質と大口径化を両立

4インチでLEDスペシャル照明へ、価格は早期に1インチ=1万円に向かう  技術部門内の「事業開発グループ」から『SiCウエハカンパニー』へ組織改正し、  自社製超高純度粉体原料とハイレベルな品質管理ベースのトータルプロセス

今後の市場は4インチが牽引、2015年には縮小傾向にブレーキかかる  事業化シフトアップ  6H-SI型ウエハーは市場化を推進

 【図.GaN単結晶市場規模推移と予測(金額、数量、2006〜2015年予測)】  【表.新日鉄マテリアルズのSiC事業経緯】  同時にウエハー高品質化を一層追求する

 【表.ウエハー口径別GaN単結晶市場規模推移と予測(金額、数量、2006〜2015年)】  間近のサンプルが待たれる6インチ品も近い将来量産投資判断へ  【図.体積抵抗値とウエハー形状の測定状況】

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