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ダイナミック On-Chip Termination コントロール

8–21. Stratix III

の入力パス・レジスタ

(1)

8–21

の注

:

(1)

このパスの各レジスタ・ブロックは、バイパスすることができます。

(2)

再同期レジスタには最大

3

レベルがあります。

(3)

入力クロックは、DQSロジック・ブロック(ポストアンブル回路をバイパスするかしないかに関係なく)または グローバル・クロック・ラインから供給できます。

(4)

この入力クロックは、CQnロジック・ブロックから供給されます。

(5)

この再同期化クロックは、PLLまたはリード・レベリング遅延チェインのいずれかから供給できます。

(6)

÷

2(DIV2)回路は、DQS

ロジック・ブロックに隣接して配置されています。

(7)

ハーフ・レート・データおよびクロック信号は、FPGAコアの

FIFO

に供給されます。

DDR

入力レジスタ・ブロックには

3

個のレジスタがあります。そのうち

2個のレジスタはクロックのポジティブおよびネガティブ・エッジでデー

タをキャプチャし、3 個目のレジスタはキャプチャしたデータをアライ ンメントします。ポジティブ・エッジ・レジスタとネガティブ・エッジ・

レジスタに同じクロックを使用するか、または

2

つの異なるクロック(ポ ジティブ・エッジ・レジスタに

DQS、ネガティブ・エッジ・レジスタに CQn)を使用するかを選択できます。キャプチャしたデータをアライン

メントする

3

番目のレジスタは、ポジティブ・エッジ・レジスタと同じ クロックを使用します。

DFF I

DFF Input Reg A

Input Reg B neg_reg_out

I

D Q

D Q

0 1 DQS (3)

CQn (4) DQ

Input Reg CI DFF

D Q

DFF

DFF

D Q

D Q

DFF

D Q

DFF

DFF

D Q

D Q

DFF

D Q

DIV2 (6) Resynchronization

Clock (5)

Alignment &

Synchronization Registers (2) Double Data Rate Input Registers

Half Data Rate Registers

to core (7)

to core (7)

to core (7)

to core (7)

to core (7) Half-Rate Resynchronization Clock

再同期レジスタは、データをシステム・クロック・ドメインに再同期化 する最大

3

レベルのレジスタで構成されています。これらのレジスタは、

PLL

またはリード・レベリング遅延チェインで生成される再同期化ク ロックによってクロック駆動されます。再同期レジスタの出力は、分周 再同期化クロックでクロック駆動されるコアまたは

HDR

ブロックに直 接送られます。

リード・レベリング遅延チェインについて詳しくは、

8–37

ページの「レ ベリング回路」を参照してください。

8–22

に、Stratix IIIの出力および出力イネーブル・パスで使用できる レジスタを示します。このパスは、

HDR

ブロック、再同期レジスタ、お よび出力

/

出力イネーブル・レジスタに分割されます。デバイスは、出 力および出力イネーブル・パスの各ブロックをバイパスできます。

8–22. Stratix III

の出力および出力イネーブル・パス・レジスタ

(1)

8–22

の注

:

(1)

出力および出力イネーブル・パスの各レジスタ・ブロックは、バイパスすることができます。

(2) FPGA

コアから送られるデータのレートはメモリ・インタフェースの半分です。

(3)

ハーフ・レートおよびアラインメント・クロックは

PLL

から供給されます。

(4)

データ・アラインメント用のレジスタには最大

2

レベルがあります。これらのレジスタは

DDR3 SDRAM

インタ フェースでのみ使用されます。

(5)

ライト・クロックは、PLLまたはライト・レベリング遅延チェインのいずれかから供給できます。

DQ

ライト・ク ロックと

DQS

ライト・クロックの間には、90°のオフセットがあります。

Alignment Registers (4) DFF

DFF

D Q

D Q

DFF

D Q

DFF

DFF

D Q

D Q

DFF

D Q

Half Data Rate to Single Data Rate Output Registers DFF

DFF

D Q

D Q

DFF

D Q

Half Data Rate to Single Data Rate Output-Enable Registers

Alignment Registers (4)

Alignment Clock (3)

0 1

0 1

0 1 From Core (2)

From Core (2)

From Core (2)

From Core (2)

From Core (2)

From Core (2)

D Q

DFF

D Q

DFF

0 1 Output Reg Ao

Output Reg Bo

D Q

DFF

D Q

DFF

OR2

TRI OE Reg BOE

OE Reg AOE

0 1

Double Data Rate Output-Enable Registers

Double Data Rate Output Registers

DQ or DQS

Write Clock (5) Half-Rate Clock(3)

出力パスは、組み合わせ

SDR

出力またはレジスタ付き

SDR

出力、およ び

FPGA

コアからのフル・レートまたはハーフ・レート

DDR

出力を配 線するように設計されています。ハーフ・レート・データは、PLLから のハーフ・レート・クロックによりクロック駆動される

HDR

ブロック を使用してフル・レートに変換されます。再同期レジスタも、DDR3

SDRAM

インタフェースを除いて、同じ

システム・クロックによって クロック駆動されます。DDR3 SDRAMインタフェースでは、レベリン グ・レジスタはライト・レベリング・クロックによってクロック駆動さ れます。

ライト・レベリング遅延チェインについて詳しくは、

8–37

ページの「レ ベリング回路」を参照してください。

出力イネーブル・パスの構造は、出力パスの構造に似ています。SDRア プリケーションには、組み合わせ出力またレジスタ付き出力があり、

DDR

アプリケーションではハーフ・レートまたはフル・レート動作を使 用できます。また、出力パス・レジスタ構造に似た再同期レジスタを使 用して、出力イネーブル・パスと出力パスの遅延およびレイテンシが等 しくなるようにすることもできます。

IOE の機能

この項では、メモリ・インタフェースにおける

OCT、プログラマブル遅

延チェイン、プログラマブル出力遅延、スルー・レート調整、およびプ ログラマブルなドライブ強度の使用方法の概要を説明します。

以降に記載されている機能について詳しくは、「Stratix IIIデバイス・ハ ンドブック

Volume 1」の「Stratix III

デバイスの

I/O

機能」の章を参照 してください。

OCT

Stratix III

デバイスは、信号のドライブ時にオンになり、信号の受信時に オフになる直列終端(OCT RS)と、信号のドライブ時にオフになり、信 号の受信時にオンになる並列終端(OCT RT)を持つダイナミックにキャ リブレーションされた

OCT

を備えています。この機能は、メモリ終端 をメモリのデータ送信時にオフにし、受信時にオンにする

DDR3/DDR2 SDRAM

ODT(On-Die Termination)を補完します。OCT

を他のメ モリ・インタフェースに使用して、シグナル・インテグリティを改善す ることができます。

OCT R

S を使用するときには、プログラマブル・ドライブ強度お よびプログラマブル・スルー・レート機能を使用することはでき ません。

ダイナミックにキャリブレーションされた

OCT

を使用するには、

R

UPピ ンおよび

R

DNピンを使用して、OCTキャリブレーション・ブロックを キャリブレーションする必要があります。

1

つの

OCT

キャリブレーショ ン・ブロックを使用して、デバイス全体で同じ

V

CCIOを持つ

1

つのタイ プの終端をキャリブレーションすることができます。デバイス全体で異 なるタイプの終端を可能にするために、最大

10

個の

OCT

キャリブレー ション・ブロックがあります。詳しくは、

8–40

ページの「ダイナミック

On-Chip Termination

コントロール」を参照してください。

オプションにより、キャリブレーション付きまたはなしの

OCT R

S 機能を使用できます。ただし、OCT RT 機能はキャリブレー ション付きの場合にのみ使用可能です。

R

UP ピンおよび

R

DN ピンは

DQ

ピンとしても使用できるため、ダイナ ミックにキャリブレーションされた

OCT

を使用する場合は、

R

UPピンお よび

R

DNピンが配置されている

DQS/DQ

グループは使用できません。

R

UPピンおよび

R

DNピンは、デバイスの各サイドにある最初と最後の

×4 DQS/DQ

グループに配置されています。

単方向読み出し

/

書き込みデータに対しては

OCT R

T

/R

S設定、双方向 データ信号に対してはダイナミック

OCT

設定を使用する必要がありま す。

プログラマブル

IOE

遅延チェイン

Stratix III I/O

レジスタのプログラマブル遅延チェインは、デスキュー回 路として使用できます。ピンから入力レジスタまでの入力遅延、または 出力レジスタから出力ピンまでの遅延は、各ピンで異なる値に設定でき、

バスと

FPGA

の入力または出力が同じ遅延で実行されるようにすること がきます。この機能によってバスにおける信号間の不確実性が小さくな るため、リードおよびライト・タイム・マージンを確保するのに役立ち ます。

プログラマブル出力バッファ遅延

出力バッファのデューティ・サイクルの調整に加え、プログラマブル出 力バッファ遅延チェインでは、出力バスにおけるデータ・ビット間の遅 延を調整し、チャネル間スキューを導入または補正することができます。

出力バスにスキューを導入し、バス全体ではなくバスの小さな部分が同 時にスイッチングできるようにすることによって、同時スイッチング・

イベントを少なくすることができます。この機能は、メモリ・システム・

クロック遅延がデータおよびデータ・クロック

/

ストローブ遅延より大 幅に大きくなる可能性がある

DDR3 SDRAM

インタフェースでも特に有

用です。この遅延チェインを使用して、データおよびデータ・クロック

/

ストローブに遅延を追加し、メモリ・システム・クロック遅延とより 適切にマッチングさせることができます。

プログラマブル・スルー・レート・コントロール

Stratix III

デバイスは、4レベルのスタッティック出力スルー・レート・

コントロール(0、1、2、および

3)を提供します。ここで、0

は最低速 スルー・レート、3 は最高速スルー・レートです。HSTL および

SSTL I/O

規格のデフォルト設定は

3

です。高速スルー・レート設定では

I/O

性能が向上し、低速スルー・レート設定ではシステム・ノイズおよび信 号オーバーシュートが減少します。この機能は

OCT R

S機能を使用する 場合はディセーブルされます。

プログラマブル・ドライブ強度

ボード・シミュレーション実行後にインタフェースで必要となる最適な ドライブ強度を選択することができます。ドライブ強度が高いと電圧振 幅が大きくなり、タイミング・マージンが広い大きなアイ・ダイアグラ ムが提供されます。しかし、一般にドライブ強度が高くなるほど、より 多くの電力、高速スルーレートが必要になり、大きな同時スイッチング・

ノイズが追加されます。プログラマブル・スルー・レート・コントロー ルをこの機能と併用して、高いドライブ強度のときの同時スイッチング・

ノイズを低減することができます。

この機能は、

Stratix III

デバイスのデフォルト・ドライブ強度である

OCT R

S機能を使用する場合もディセーブルされます。単方向読み出し

/

書き 込みデータに対しては

OCT R

T

/R

S 設定、双方向データ信号に対しては ダイナミック

OCT

設定を使用しなければなりません。コマンド、アド レス、およびクロック信号に必要なドライブ強度を決定するには、シス テムをシミュレーションする必要があります。

PLL

PLL

は、

システム・クロック、

–90°、または 270°

位相シフト・ライト・

クロック、ハーフ・レート

PHY

クロック、および再同期化クロックな どのメモリ・インタフェース・コントローラ・クロックを生成するのに 使用されます。PLLリコンフィギュレーション機能は、再同期位相シフ トをキャリブレーションして、セットアップ・マージンとホールド・マー ジンのバランスをとるのに使用できます。

VCO

とカウンタ設定の組み合わせは、高性能メモリ・インタフェースに 対しては限定される場合があります。

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