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∞YJ】〕一

ドキュメント内 九州大学学術情報リポジトリ (ページ 35-47)

n (2-10)

次に右辺第2項目について考える。 ただし引は定義によりZ/の関数であるが、

Maclaurin展開に寄与しない。 これはレベルOにおけるセルの大きさとl番下 の階層を決めると、 akは一憲に決まる定数であるからである。

エ αk r=エOK(z-Zl-l)-k

+

a

k

k

(

Z -Z/

) - k -

I

I _ (

Z/ -Z/ー1

)

::i(Z-勾) k=l k = !|

+

司ノ-7ι

7'』 ア'~ 'κ一 + 一 つ­ Lκ一 。 ∞Y白山一 +

(

k+111-1

ì (

Z/

-Z

/_I

)

= エエak I l ,� '

171

��: Á ) I (

Z-Z/_I

)

川7 (2-11)

ここで式(2-10)の右辺について111=0のとき

') __ u ,:..:._k

--,-

= u

1

+ __ u_2 門 +�刊+ 4 A +

白 (

Z -Z/

r

Z -Z/_I

(

Z -Z/ー1

t (

Z -Z/_I

)

(

Z-Z/_I

)

m = 1のとき

子初k (

Z/ - Z/ー1

) _

al

(

Z/-Z/_I

) +

1 2a2

(

Z/-Z/_I

)

1 3a

3(

Z/ -Z/_I

)

白 (

Z

-Z/ーl)k+1 (Z-Z/ーl)2 (z-Zl-l)3 (z-Zl-i)4

111=2のとき

モ 予 - a

1. "";

(k +

',--_---,_ ---'---;- 内

1)k (Z/ -Z/ー 1)2

_ =

al (Z/ -Z/ー1)2

'"

' '; +

I

2(Z/-Z/ 3a -

"

I? _

+

I

a 3 ., .4.3 (z/-zト1)2

' " "

+...

,.

Z A 2(z-Zl-l)山 (Z -Z/ーlY (Z-Z/_I)斗 2(Z-Z/-IY 111=3のとき

モ(k+2)(k+1)k (z/-z/_1)3

αι _ =

al(z/-z/-lf

'" '

+

_,

, 4a2(z/-Z/- -

"

lf

' ,.'

+...

f:1

6

(Z-Z/-I)"十九 (Z-Z/_I)斗 (2-Z/_I)

となる。これらを(Z-Z/_I)についてまとめると ( k+m-1 (2/ -Z/ー1)川 ì

エ ヱ

αk

l k m l j(z-Zl-l) k + 111 z-zl-l (z-Zlー1) = + 21G 2Ml(Zl-Zl-l)l

� r + 2a a 3 2(Z/ -Z/ー1)+ al (Z/ -ZI_I )2 1

(z-Zl-l) - l

j

1 4 l h +3向( Z/-Z/ー1)+3a2(Z/-Z/_1)2+al(Z/-Z/ーlf]+

(z-z/_lf l

= 之 l lσ一1 1 ド(ヤZ/一勾ι叫一斗iJl J )

11川h凶12=凶I戸凶=斗l

バ(

Z

z勾ιZ/_Iト川一斗l

)y H

1y h制;

" \ k 一 1 ) (2・12)

となる。よって式(2-9)、(2-10)及び(2-12)から、レベルlにおけるセルの中心Z/

に関する多重極展開は、親 のセルの中心Z/- 1に関する多重極展開 U(z) =-ILln ε。 (z-zlーl)+-L エ

2πεOH1= l(z-Zl-l)fl (2-13)

(Z/ -Z/-I)川H1 fm -1 1

=αo n1 + E G Kl k -l j(Zl-zlー 1)川 (2・14)

ho =α。 (2-15)

に変換できる。図2-7に示すように、lつの親に4つの子が存在する。それぞ

25

れ子 に関して、 セルの中心を2/.i、 多重極展開係数をαk

,iと定義する。

。k

,1

αk

4

Z/ � /".4

ak/

z/ーl

�.3

2/.2 z/)

図2-7

アップワードパス概念

「子における多重極展開」を

「親における多重極展開」に変換する

ここでi

=

1,2,3,4及びk = 0, 1, • • • , kmaxである。 それぞれの子内の粒子集団が外部に 作る拡張した空間電荷ポテンシャルを式(2-1 3)、 (2-14)及び(2-15)に変換す ると

叫(z)=ームln(z-zl-l)+-LZ

2πεo ,�I

(

Z

-Z/ー1)' b

(2-16)

(zli-ZlJI 川 (171- 1 ì

+ 2

0k

il k- l |(Zli-zl-ly

(2-17a)

bO,i

=αO.i (2-17b)

となる。 よって親 のセル内の粒子集団が、 外部に作る拡張した空間電荷ポテン シャルは、 式(2-16)をi

=

1,2,3,4に関して重ね合わせた

U(z)=-2LIn(z-Zl-l)+-LZ 2m0111=l(z-Zlー1)'11

(2-18)

blll =ヱbl/l,i

(2-19)

となる。 式(2-18)はレベル1-1における lつのセルが作る拡張した空間電荷ポ テンシャルだが、レベルlにおけるポテンシャル式(2-9)について 多重極展開係 数引をんに、 セルの中心をZIからZI-lに変換したものと同じ式 である。 よって 式(2-7)、(2-8)及び(2-9)から式(2-14)、(2-15)、(2-18)及び(2-19)への変換公式を 用いると、レベル1-2に関するポテンシャル式も同様にして求まる。

2-1-5 ダウンワードノてス

zにおける拡張した空間電荷ポテンシャルを計算する場合を考える。 ダウン ワードパスでは、 「各レベルについて、( 1) Zの親に最隣接の親の子 で、かつ(2 )

zの隣でない子」の多重極展開のみ計算する。

具体例として、図 2-8及び図 2-9 におけるz での拡張した空間電荷ポテンシ ヤルを計算する場合を考える。 図2-8は、レベル 3において 多重極展開が適用 されるセルを示している。 図2・9において、 まずレベル0及びレベルlについ ては該当する子がないので計算しない 。 レベル2 について、 丸印が示す セルの

多重極展開のみ計算する。 レベル 3についても同様に丸印が示す セルの多重極 展開のみ計算する。 図2・8 と図2-9 で、 多重極展開を適用するセルが重なるこ

とカfわかる。

図2-8 レベル3で多重極展開適用可能領域(斜線) 黒丸はテスト粒子

• レベルO

レベル2

• レベルl

レベル3

刻2-9 ダウンワードパス概念

各レベルについて斜線が引かれた 領域に着いてのみ計算する。

2-1-6 拡張したSCEFの計算

これまでは拡張した空間電荷ポテンシャルをツリー法で計算するアルゴリズ ムに関して説明してきた。 PICで SCEFを計算する場合は、 空間電荷ポテンシ ヤルを数値的に計算し、 さらに数値的に微分するという2段階 に分けて計算す る。 今回採用したツリー法 の 場合 、 式(2-2)に(2-18)を代入した式

ん I 1 ぶ 1nb

E

i (z) = -L + 一一 芝

U

2nE

o

Z - Z,ー1

2 πεo h l (z - zl- l )111+

(2-20)

につ い て計算すればよいので 、 1段階で計算可能である。 尚、 ツリー法が適用 できない領 域 に関しては、 式(2・2)に(2-1 )を代入した式

ムル刊E

(2-21 )

を用い て直接計算すれば良い。 式(2-20)と(2-21)の和を取り、(2-3)及び(2・4)に

代入すること で、 SCEFが求まる。

2-1 -7 近接効果

直接計算 の 短所の lつに、 近接効果 が挙げられ る。 テスト粒子が一様に分布 され ているとき、 計算結果は理論値に近づく。 しかし乱数を用いて分布を決定 する際には、 粒子間隔が非常に短く なる場合がある。 こ のときSCEFの 大きさ が急激に増加し、 理論値に対して 非常に大きな 誤 差を 生じる。 これを近接効果 という[22]。 ツリー法でも、 多 重 極展開を適用できないセルに関しては直接計 算を行う ため近接効果が生じる。 開発したシミュレーションコードでは、 テス

ト粒子の位置から、 ある 半径の外に ある粒子につ いてのみ直接計算を行うこと で近接効果を回避した。 この半径を近接半 径と呼ぶ。 近接半 径を変えて、 SCEF を計算し、 理論値 からの相対誤差に関してヒストグラムを計算した。 粒子集団

の 分布 はKV分布を仮定し、 粒子 数10万個、 レ ベル7及びp=1で計算を行っ た。 結果を図2-1 0に示す。

12000

10000

.F‘ロ,コd -.4

8000

Cc』qE司..1 6000

業者

認トト 4000 2000

図2-10 粒子数

1mmm fu・u・uauドハUζJハUハUハU-ハυ戸、dti44「、J

2 3 4 5

相対 誤差[0/0]

計算誤差の近接半径依存性 10万個

レベル 7 多重極次数 l

半径lcmのKVビーム

近接半径=225μmが誤差が小さい

近接半径が225μmのとき、 最もヒストグラム の裾が狭まることがわか る。 よ

ってシミュレーションでは、 最適な近接半径を225μmとして計算を行った。

ヌ1 2-11は近接効果を回避した場合と回避しなかった場合のSCEFを理論値と 比較したものである。 近接効果を回避することにより、 明らかに理論値 からの ずれを小さくできる。

o 近接半径無し o 近接半径 225凶n

? 1"" 1 0理論値

S 1.5 .1

2

� H回

ハU-EEA

!言、

忠臣� 0.5 長

nu ハUnu

2 4 6 8 .,EA ハU

r [mm]

災12-11 近嬢半径適用の効果 2-ト8 高速化テクニック

この節では、 開発したシミュレーションコードに関して、 高速化のために行 ったテクニックを下に整理した。 Oは最も効果的だったテクニック、 0はOに

次ぎ効果的だったテクニックである。

。複素計算について、 一般的に公開されているライブラリcomplex.hは使用せ ず、 シミュレーション内で個々に計算する。

。ツリー法では、上述した計算過程をとるため多数のループ計算を必要とする。

このとき粒子を基準とするループではなく、セルを基準とするループを用いる。

具体例

for(n=O; n<Ntest; n++) { } ではなく

for(cell_x=O; cell_x<cell_x_max; cell_x++) { for(cell_y=O; cell_y<cell_y_max; cell_y++){}

とする。 ここでcell_x_max及びcell_y_max はレベルの関数で、 そのレベルに おけるセルの数である。

。直接計算に関して、 作用 ・ 反作用を利用する。 自分自身及び最近接のセル8 つの計9個に関して直接計算をする必要がある。 ここで作用 ・ 反作用を利用す る。 粒子iが粒子2に与える電場をElとすると、 粒子2 は粒子 lに-Elの電 場を与える。 このことを用いると5つのセルについてのみ直接計算を行えば良 いことになる。

。複数個の割り算について、 分子 は異なるが分母が同じ場合、 先に分母の逆数 を計算する。

02で割る演算y = x / 2は、 右シフト演算子を用いる。 y = x>> 2

o if(x==A) { if(y==B) { } if(y==C) { } if(yヱコD) {}

とするより

if(x==A && y==B) { } if(x==A && y==C) { } if(x==A && y==D) { }

とした方が速い場合がある。

2-2 ステップサイズ最適化

シミュレーションパラメータである「輸送行列で計算する際に重要な縦方向 のステップサイズ」と、 「粒子集団の密度分布を計算する場合に必要な横方 向のステップサイズ」について最適化を行った。

2- 2-1 横方向ステップサイズの最適化

ここでは、 x方向の密度分布を求める場合を考える。 テスト粒子集団の実空 間上での位置を

(

Xi'Yi

)

で表す。ただしi= 1,2,…,N,ωで、N,ωはテスト粒子数であるo xiの最大値をXmax、 最小値をXminとする。 横方向のステップ数をNbin、 ステッ プサイズをムxとし、

盲 ー 冒

ムx= 山max �m1n Nbin

で定義するo X方向のテスト粒子数に関するヒストグラムをhN'lill (X)とするo hN'lill (X)は、 k�:S;X < (k + l)�に入るXiを累積していくことにより求まる。 ただし k = 0,1,・..,Nbin -1である。 図2・12にNbinを変えたときのhN/JlII (x)を示す。 Nbinを変

え る と 、 hN!Jill (x) の 形状が 変わ る こ と が わ か る 。 これ は 、 hN"il/ (x)が k� :S; X < (k + 1)む区間における密度分布の積分値であるためである。 密度分布 を求めるためにはhN/川(X)をk�三X< (k + l)�区間で微分する必要がある。 しか しhN/'il/ (x)はk�:S; x < (k + 1) �区間で1点与えられるだけなので微分することは 不可能で あ る 。 このためシミュレーションで は k�:S;x < (k + 1)�区間での

j川(x)の平均値

川一b

N

を計算し密度分布とした。 図2-13 に図2- 12と同様のNbinで計算したときの I1N"ill(X)を示す。 図2-12と比較すると、 I1N/1Î1I (x)のおおよその形状がNbinに依ら ないことがわかる。 しかしNbinの大きさで、 密度分布に次のような違いが見ら れる。 Nbinが小さいとき、 �が大きくなるので密度分布は角張った形となる。

逆にNbinが大きいときは、 密度分布に多くのノイズが入る。 このノイズは、 粒 子分布を求めるときに用いた乱数のばらつきに起因する。 '{骨らかな密度分布を 求めるために、 最適なNlバnを求める必要があるo r骨らかな密度分布を求めるた めに、 最適なNbinを求める必要がある。このためNbinを変えて11Nl t(x)を計算し、

Nbinを変えることによる誤差

QN!Jill (X) =

{n川';/1

(X)一凡-J

(け}2

を計算し、 QNhill(X)の最大値QN!Jill,maxを求めた。 密度分布が角張った形をしてい る場合又はノイズが入っている場合は、 QN!Jill,maxが増加する。 よってQN!Jill,maxが 最小となるとき、 密度分布は最も滑らかになる。 図2-14にテスト粒子数を変 えた ときのQNJ Jnaxを示す。 Nbinが小さい場合、 QNtt,maxはテスト粒子数に依存

しないことがわかる。 一方N仰が大きい場合、 テスト粒子数が大きくなると乱 数のばらつきが少なくなるので、 QNhill,maxは小さくなる。 シミュレーションで は各粒子数について、 ほほQN,ドmaxが最小となるNbù1 = 100近傍を採用した 。

( ) Jz D E

0.16 0.14 0.12 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0.00

-120 -80 -40

一一一- N.0111 . =400

一一一 NhIl=80

一一- Nb140

40 80 120

x [mm]

図2-12 N, を変えたときのヒストグラム

。tn

テスト粒子数 10000個、 ガウス分布

一一一-Nbin=400

一一一- Nbin=80

-一一一Nbin=20

80 120

o 40

x [mm]

ー80 -40 0.00

-120 16.00 14.00 12.00

ハUハUハU'EEA

8.00 6.00 4.00 2.00

( K)口

一心ZC

Nbinを変えたときの密度分布

テスト粒千数 10000個、 ガウス分布 災12-13

ハUハUハU'BEA

Q,,"TL� のN

Nbin,max -' bin依 存 性

ハunuhunUハリハUハUハUハリハUハUハUハUハUハUハUハU11ぺノ-ζJIl--一一一一Sパ、J51eC

N N

Nb 100

災12-14 20

ハU咽冒E・E・ハUハU .• ,A

5 話EED

Zα

2-2-2 縦方向ステップサイズ の最適化

軌道計算を行う際に用いる輸送行列及び非線形キックは縦方向 のステップ サイズ仰の関数であり、 最適化が必要である。 �sを変えながら軌道計算を行 い、リング1周後のrms ビーム サイズを比較した。こ のとき 、bare tune は(7.203,

5.229)、 KEK-PSで周囲するパンチビーム強度 1.4X 1012 particle per p ulse (ppp) のピーク強度を持つコースティングビームについて計算を行った。 結果を図 2-15に示す。 �sがO.lm以下になると結果が飽和することがわかる。 �sが小さ くなると計算回数が多くなるため 、 シミュレーションでは最適なステップサ イズとして計算結果が飽和する最大の却、 すなわちω=O.lm を採用した。

horizont

5.4 10.0

5.2 9.5

Eぞ〈B ぞE

ω

N A 5.0 9.0

8.5

4.8 8.0

0 tL口i 4 3

4.6 7.5 Vトhr-u4 3

-4.4 7.0

4.2 6.5

0.001 0.01 0.1 10

�s [m]

図2-15 RMSビームサイズの�s依存性

2-3 シミュレーションコードのベンチマークテスト

PATRASHについて正当性を評価するために、 同様の目的で開発された

ACCSIM [22]と、 同じビーム及び加速器パラメータを用いて計算を行い、 結果 を比較した。 これは 2000年3月に ACCSIMの作者であるF. W. Jones氏が KEK-PSに来所したときに依頼し、 実現したものである。 結果を図 2-16に不 す。 PATRASHの計算結果はACCSIMの結果とほぼ一致した。 図2-16 に見ら

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