高密度、低コスト、低消費電力
LSI間を高速･高密度･低消費電力で接続するシリコンフォトニクス光トランシーバー
... を採用した。 （7） Geは広い吸収帯域を有し，Si上にエ （注2） p型半導体とn型半導体でi型半導体を挟んだ接合構造。 者らが提案するブリッジ構造では，上述のとおり 電子回路チップと高速信号・電源の供給源となる パッケージ基板をバンプにより面同士で接続して いるため，二次元的な高密度接続が可能となる。 また，ワイヤ（1 ∼数mm長）に比べてバンプ（数 10 µm長）と短距離での接続が可能となるため，良 ...
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公開 資料 5-1 超低消費電力型光エレクトロニクス 実装システム技術開発 ( 中間評価 ) ( 平成 24 年度 ~ 平成 33 年度 10 年間 ) プロジェクトの概要 ( 公開 ) NEDO IoT 推進部 平成 29 年 9 月 28 日 超低消費電力光エレクトロニクス実装システム技術開発中
... • PC／SSD間をSAS規格で光I/O接続 光I/O付きSSDを試作し、 H29年度中間目標（標準ストレージインターフェースによる光接続動作） を検証 FO-WLPによる光I/O集積を提案、実証し、 H29年度中間目標（低コスト光I/Oモジュール技術確立） を達成 PJ開発成果を光I/O-SSDの事業化推進に活用予定。 事業化の見通し ...
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グリーンコンピューティングのための低消費電力マルチコア技術 「特技懇」誌のページ（特許庁技術懇話会 会員サイト）
... しかし、このマルチコアによる低消費電力化では、周波 数に比例し、動作電圧の二乗に比例して増大する消費電力 を、周波数と電圧を低く抑えることにより下げようとする ものであるため、1プロセッサコア当たりの処理性能の低 下は避けられない。この性能低下を補いつつさらに性能を 向上させるため、チップ上に複数のプロセッサを集積し、 ...
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AD8307: 低コスト、DC ～ 500 MHz、 92 dB LOG アンプ
... AD8307 狭帯域整合 トランス結合は、広帯域アプリケーションに有効です。しかし、 磁気的に結合されるトランスが便利な状況ばかりではありません。 高い周波数では、 図33に示したような狭帯域整合回路が好ましいこ とがよくあります。これには、いくつかの利点があります。高い感 度で同じ電圧ゲインが得られますが、 ある程度の選択性ももたらさ れます。コンポーネント数は少なく、2つのキャパシタと低価格の ...
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FPGA と SoC FPGA および SoC 製品ファミリ低消費電力 実績のあるセキュリティ 優れた信頼性
... ProASIC3 ファミリ: ProASIC3L FPGA CPLD を置き換える低密度低消費電力 FPGA ProASIC3L FPGA は前世代の ProASIC3 FPGA より動的および静的消費電力が小さく、SRAM 競合品と比べると桁違いに低消費電力であり、 動作速度は最大 350 MHz ...
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ADV7390/ADV7391/ADV7392/ADV7393: SD ／ HD低消費電力、チップ・スケール、10 ビットビデオ・エンコーダ
... ダブル・バッファリング サブアドレス0x33、ビット7（ED/HD） サブアドレス0x88、ビット2（SD） ダブル・バッファ・レジスタは、フィールドごとに 1 回更新さ れます。ダブル・バッファリング方式の場合、レジスタ設定の 変更は、アクティブ・ビデオ期間中は行わず、次のフィールド のアクティブ・ビデオ開始前に有効となるため、性能全体が向 上します。 ダブル・バッフ[r] ...
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ADP5091/ADP5092: MPPT と充電管理機能付き超低消費電力のエネルギー・ハーベスタ PMU
... ギー伝導システムを保守するための外付け部品の選択手順、レイ アウトと組み立ての考慮事項について説明します。 エネルギー・ハーベスタの選択 エネルギー・ハーベスタの入力ソースは、コールド・スタート、 非同期昇圧、同期昇圧に対して最小レベルの電力を供給する必要 があります。コールド・スタートを完了するために必要な最小入 力電力は、次式で計算できます。 ...
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スピントランジスタの基本技術を開発 ― 高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体 ―
... z スピンMOSトランジスタは、微細化によらず高速化でき、低消費電力、不 揮発性など優れた特長がある。トランジスタをいくつも用いるSRAMをスピ ンMOSトランジスタ一つに置き換えることも可能。さらに、製品完成後に 回路の再構成が可能なため、FPGAのような利便性も持つ。 ...
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NJM062C/064C NJM062CA/064CA 低消費電力 J-FET 入力オペアンプ 特長 動作電源電圧 ±2 to ±18V 高入力抵抗 Ω typ. 広動作温度範囲 -40 C to 125 C バイポーラ構造 低消費電流 200μA/amp typ. スルーレート 3.5
... ●オーディオアンプ / フィルタ ●フォトダイオードアンプ 概要 NJM062C/064C は NJM072C/074C の低消費電力版 J-FET 入力オペアンプです。低消費電力、高入力インピーダ ンス、高スルーレート、低入力バイアス電流、低オフセット電 流を特長としており、オーディオアンプや計測等の分野にも ...
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俯瞰区分と研究開発領域3.3.1 超低消費電力 ( ナノエレクトロニクスデバイス ) ス応用 245 ⑴ 研究開発領域の簡潔な説明従来よりも桁違いの超低消費電力を可能とするナノエレクトロニクスデバイスを実現し 集積回路への適用を目指す 新材料の特性を理論的 実験的に確認し システム最適設計によるデバ
... 現状の CMOS デバイスは、微細化の物理的限界、特性ばらつきの増大、素子の消費電 力増大などが見え始めており、この限界を突破する方策として、いくつかのナノエレクト ロニクスの潮流が見え始めている。一つは、従来の材料にはない新しい機能の活用を視野 に入れた新規デバイス・材料開発であり、例えば既存のバルク材料とは異なる物性の表面・ 界面を有するグラフェンやトポロジカル絶縁体のような二次元機能性原子薄膜などの新材 ...
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反強磁性体で世界最大の自発磁気効果をもつ低消費電力磁気メモリ材料：反強磁性体におけるワイル粒子の発見
... ３．発表概要： スマートフォンやタブレットなどの内蔵ストレージに採用されているメインメモリには、電 源をオフにするとデータが失われる「揮発性メモリ」が使われており、データ保持に過度な電 力消費をしてしまいます。消費電力削減のために、強磁性体の磁化方向を利用して電力供給せ ずともデータ保持が可能な不揮発性記憶素子を使用したメモリ開発が進んでいますが、今後急 ...
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LT 低コスト、シャットダウン機能付き デュアルおよびトリプル300MHz 電流帰還アンプ
... す。 これらのアンプは単一4V∼±6Vのすべての電源で動作 し、 消費電流は動作時にアンプ1個当たり4.5mAです。 LT1398 は、 LT1399のアンプ2個のバーションです。 LT1398/LT1399アンプは、ディスエーブルされると消費 電流がゼロになり、出力はハイ・インピーダンスになり ます。これらのアンプは30ns以内でターンオンし、40ns 以内でターンオフするため、スペクトル拡散およびポー ...
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ADM8611/ADM8612/ADM8613/ADM8614/ADM8615: ウォッチドッグ・タイマとマニュアル・リセット付きの超低消費電力監視 IC
... WDI 入力 ADM8613/ADM8614/ADM8615 の V CC レベルに近いハイ・レベル を持つプッシュ・プル入力／出力でウォッチドッグ入力 (WDI)を 駆動する場合、ハイ・レベルまたはロー・レベルの入力ロジック によりシステム消費電流が増えることはありません。合計消費電 流を削減するときは、入力変化速度を変化回数まで増加させて ください。ウォッチドッグ・タイムアウト期間内でのハイ・レベ ...
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対面授業支援用の低コスト無線式回答送信機器の製作
... 送信側は電池 2 本で動作させたいので電源スイッチをオ ンにして起動した後すぐマイクロアンペア程度の消費電流 で待機する DeepSleep モードに入り 4 択ボタン用スイッチが 押 さ れ る と デ ー タ 送 信 の た め 再 起 動 す る よ う に し た 。 YONTAKUN の 4 択ボタンが押されてからサーバに情報が 届くまで DeepSleep からの再起動処理、SSID パスワード認 証、 ...
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AD725: 輝度トラップ・ポートを備えた低コスト RGB-NTSC ／ PAL エンコーダ
... 別のRGBモニタも使用する場合は、R、G、B信号と単純に接続す ることはできません。モニタにはターミネータが備わっており、こ れらの信号が二重に終端されてしまいます。R、G、B信号は、入力 インピーダンスの高い3つのアンプを用いてそれぞれバッファしな ければなりません。これらを2倍のゲインで構成すれば、RGBモニ タに使用されている二重終端スキームによって正規化されます。 AD8073は、この場合の適用に必要となるバッファリングを提供 ...
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アンテナパターン多重による大規模出力・低コスト受信アンテナに関する研究
... に基づく APM を用いた場合における受信信号スペクトルを 図 5(a) に，指向性利得 (10) のスペクトルを図 5(b) に，アン テナ出力の電力スペクトルの模式図を図 5(c) に，それぞれ示 した．図 5(b) におけるスペクトル形状は，直交関数 f n (t) の パルス形状や用いる拡散符号に依存する．本方式に適したパル ス形状や拡散符号についてはほとんど検討されていないため今 後の課題である． CDM ...
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磁気ディスク装置構造と開発課題 円板 低振動化 表面潤滑剤 表面保護膜強度 高密度化 低ノイズ化 熱的安定性 スピンドル 低振動化 長寿命軸受け 高速回転 ヘッド スライダー サスペンション アッセンブリ 極低浮上 低風乱サスペンション 高感度ヘッド 高速読み出し アクチュエータ 部品名 高加速度駆
... 実現設計（フラッタ、流れ） 実現設計（フラッタ、流れ） 実現設計（フラッタ、流れ） 実現設計（フラッタ、流れ） 消費電力、スピンドル、小径化 消費電力、スピンドル、小径化 消費電力、スピンドル、小径化 消費電力、スピンドル、小径化 ...
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イットリウム系大電流・低損失超電導電力ケーブル
... 撲滅、1 kmを超える長尺化、低コストでの安定製造技術の確 立がある。今回の成果を踏まえて上記課題を早急に解決し、 Y系線材をニーズに応じて提供できるよう努力したい。 ケーブル開発では、超電導線材を多層導体化したケーブ ルの交流損失特性を含む電気的特性及び機械的特性の基礎 データを収集し、コンパクトで低損失なケーブル設計を確 立した。当社Y系線材を用いて15 m長の大電流・低損失超 ...
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1.1nV/√Hz の低ノイズ、低消費電力、高精度 オペアンプ、小型 DFN-8 パッケージ datasheet (Rev. A)
... 定されています。動作電圧または温度によって大きく異なるパ ラメータについては、代表的特性に示します。 入力保護 OPA211の入力端子は、図45に示すように、双方向接続のダ イオード･ペアによって過度の差動電圧から保護されています。 ほとんどの回路アプリケーションでは、入力保護回路は出力に 影響を及ぼしません。ただし、低ゲイン、またはG = 1の回路 では、アンプの出力が入力ランプに対して高速に応答できない ...
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ガスセンシング用低消費電力型（＜ 1 W）中赤外量子カスケードレーザ
... そこでまず活性層としては、高利得が期待できる、上記 垂直遷移型活性層構造を用いた。次にデバイス構造として は、我々は従来、メサ導波路をドライエッチングで形成し、 その側面上に誘電体絶縁膜を成膜して電流狭窄したダブル チャンネル（Double Channel: DC）構造 （14） を用いてきた。 本構造は、半導体層成長が1回で済み、作製が容易である反 面、絶縁膜狭窄のため放熱性が悪く、さらに導波損が大き ...
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