高出力レーザー蓄積リング
コヒーレント光通信用+18dBm高出力波長可変レーザモジュール
... このチップの最大の特徴は高い光出力を容易に得ること ができるという点である。通信用波長可変レーザには、当 社のようにSOA機能を集積するものがあるが、増幅器と いえども利得は飽和するため、効率良く高光出力を得るに はSOAへの入射光強度自体を高める必要がある。当社チッ プが採用するTDA構造は、CSG-DBRで反射された光を増 幅して理想的にSOA入射端まで導入することができ、優れ ...
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半導体 Product Listings 整流器 ショットキー ( シングル デュアル ) 標準 高速 超高速リカバリー ( シングル デュアル ) ブリッジスーパーレクティファイア (Superectifier ) シンターグラスアバランシェダイオード 高出力ダイオード サイリスタ高出力 高速リカ
... 車載電源ラインの二次保護 車載システム内の保護回路の主要なターゲットは高いサージ電圧ですが、クランプ後の電圧でさえも高すぎる場合 があります。また、トラックやバンで見られるような 24V系のパワートレインでは、主に使われるレギュレータICや DC/DCコンバータICの最大入力電圧が45V～60Vであることもあり、二次保護が必要になります。この種のアプリ ...
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LT1366/LT1367/LT1368/LT デュアル/クワッド高精度レール・トゥ・レール入力/出力オペアンプ
... 標準的応用例 せます。R9は直接的には補償の一部ではありませんが、オペア ンプ出力をQ1の大きなゲート容量からデカップリングします。 第二のループはフォルドバック電流を制限します。A2はR1両 端のセンス電圧と、正レールを基準とする50mVとを比較しま す。センス電圧が基準電圧を超えたときは、A2の出力がA1を 介してQ1のゲートを正にドライブします。電流制限時には出力 ...
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LT シャットダウン機能付き、135μa、14nV/√Hz、レール・トゥ・レール出力、高精度オペアンプ
... 入力バイアス電流が非常に低いので（標準 20pA）、高 インピーダンスのソースや帰還抵抗でも高い精度を維 持することができます。LT6010 の低入力バイアス電流 は、内蔵キャンセレーション回路で実現されています。 ウェーハ・テスト時には入力バイアス電流は低レベルに なるように恒久的にトリミングされています。最大の精 度を得るには、各入力ピンの入力抵抗を均衡させようと しないで、どちらの入力の抵抗もできるだけ低く保って ...
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satera レーザービームプリンター総合カタログ
... ＊16-1 出力環境によって異なる場合があります。 ＊21-1 カセット1はA3、レジャー、および長さ390mmを超える サイズには非対応。 ＊21-2 LIPS LX使用時のみ。長尺印刷時はオプションの長尺給紙ユニット LPF-A1、長尺排紙ユニット LPE-A1をご使用ください。 ＊21-3 自動両面印刷には非対応。 ＊21-4 LIPS ...
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分子制御レーザー開発研究センター
... a) 遠赤外超短パルスレーザー ： 今までレーザーが存在していなかった遠赤外領域において， 世界で初めて， 強磁場を印 加した半導体から， 平均出力がサブミリワットの遠赤外放射 （テラヘルツ放射） を得ることに成功した。 このテラヘ ルツ放射の偏光が， 磁場によって大きく変化することも発見した。 また， 昨年度にテラヘルツ放射の実験に用いた半 導体非線形ミラーに磁場を印加することにより， ...
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HITACHI News Release 「高輝度8,000 ルーメンのレーザー光源DLP®プロジェクターを発売」 2016年2月25日 日立マクセル 株式会社
... 本プロジェクターは天井への設置や縦置き (ポートレート)投写はもちろん、360度全方位の設置 *4 が可能で、さまざまな設置環境や投写ニーズに対応します。また、「エッジブレンディング機能」を搭 載しており、複数台のプロジェクターで継ぎ目のない大画面映像を投写することも可能です。光源の 出力を 1%ステップで20～100%まで変更し光量を調節できるので、隣り合う投写画面の明るさを簡 単に合わせることができます。 ...
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分子制御レーザー開発研究センター
... a) 遠赤外超短パルスレーザー：今までレーザーが存在していなかった遠赤外領域において，世界で初めて，強磁場 を印加した半導体から，平均出力がサブミリワットの遠赤外放射（テラヘルツ放射）を得ることに成功した。こ のテラヘルツ放射の偏光が，磁場によって大きく変化することも発見した。また，昨年度にテラヘルツ放射の実 ...
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分子制御レーザー開発研究センター
... 遠赤外超短パルス レーザーには， その実用という 点において， ミ リ ワ ッ ト級のアベレージパワーを持つテラヘルツ放射光源が 必要と なる。 我々のグループでは， 半導体基板に強磁場を印加したテラヘルツエミ ッ タ を用いる こ とで， 平均出力でサブミ リ ワ ッ ト級のテラヘルツ電磁波光源を実現し， 今まで非常に難しいと されていたテラヘルツ領域の時間分解分光も容易に行 う こ とが可能と なった。 ...
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分子制御レーザー開発研究センター
... 用に足るスペクトル特性、 出力特性を実現する非線形光学結晶は得られていない。 一方、 最近提案された擬似位相整 合 （Quasi Phase Matching ： QPM） 波長変換法では、 位相整合条件を光リソグラフィによるディジタルパターンで設計 できるため変換効率や位相整合波長が設計できるだけでなく空間領域、 周波数領域、 時間領域で位相整合特性を設 ...
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JT-60ジャイロトロンで高出力運転の世界最長記録（1
... 3 さらに、本手法で作成した３次元モデルは、既存のVRシステムを用いて表示することが可能で す。図６は、上述のフォトグラメトリー技術を用いて１Ｆサイト内にある廃棄物置場を３次元モデル 化し、そこに小型軽量コンプトンカメラで取得した放射線分布画像を重ねてステレオ表示したもの です。市販のVRゴーグルを用いることによって、作業現場の様子や高線量率箇所の存在を体感 ...
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NJM45001 電力線通信用アナログフロントエンド IC 特長 高機能 高温検出及び保護 出力電流制限機能付き 送信ドライバアンプと低ノイズ受信アンプを内蔵 高性能送信ドライバアンプ 高出力電流 : 3A typ. 電力線が低インピーダンス ( 例 :1Ω) においても高出力が得られます 低歪み
... 3.3 送信出力のスパイクノイズと保護ダイオードの関係に関して（重要事項） 送信出力には雷サージ保護の為に保護ダイオードを接続する必要があります。このサージ保護ダイオードには低リーク電流の ダイオードを使用ください。目安としては全温度範囲で 1μA 以下です。送信アンプ OFF 時、送信出力は高インピーダンスに なります。保護ダイオードによるリーク電流に寄って出力の ...
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分子制御レーザー開発研究センター
... 工業技術院電子技術総合研究所非常勤研究員 , 1994 年 4 月− 1995 年 3 月 , 1998 年 7 月− 9 月 . 財団法人神奈川科学技術アカデミー非常勤研究員 , 1998 年 5 月− . C ) 研究活動の課題と展望 遠赤外超短パルスレーザーにおいては，その実用という点において，ミリワット級のアベレージパワーを持つテ ...
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ボッシュ 電動工具 メジャーリングツール レーザー距離計 DLE 40
... 測定するときは、受光レンズ⑧およびレーザー出力部⑦に何も被さっていない ことを確認してください。 測定中はレーザー距離計を動かさないでください。（連続モードは除く） このため、レーザー距離計はできるだけ測定点上にあてるようにしてください。 測定はレーザ－光の中心が対象になります。これは対象物に対して斜めに照準 された場合も同様です。 ...
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108 パラダイムシフト時代の新しいレーザー技術 なった.NIF レーザーに OPCPa(Optical Parametric Chirped Pulse amplification) 技術を組み合わせた極限ビームを 1 mm まで集光すれば, 理論的には W/cm 2 という超高強度場
... はフラッシュランプから高出力のLd に移行する時代に なり，根本的に新しいレーザー技術が求められている． これまでに新しい固体レーザーであるセラミックレー ザーや高出力ファイバーレーザーの開発に成功して経験 を活かして，コヒーレントビーム結合に適した高品質パ ルスレーザーのための概念創出に努力している．当面は ...
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「世界初、高出力半導体レーザーを8分の1の狭スペクトル幅で発振に成功」
... ＜開発技術の概要＞ 本技術は、ストライプミラーと 1 枚の単一面型の VBG を用いた外部共振器構造を構成す ることにより、2 個の LD スタックのスペクトル幅を 0.31 nm 以下と 8 分の 1 以下まで狭く し、高効率で高強度を実現すると同時に、駆動電流や動作温度の影響を受けない安定動作 を実現するものです。これは、LD バーのビームをストライプミラーに効率よく入射させる ...
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分子制御レーザー開発研究センター
... 遠赤外超短パルス レーザーには， その実用という 点において， ミ リ ワ ッ ト級のアベレージパワーを持つテラヘルツ放射光源が 必要と なる。 我々のグループでは， 半導体基板に強磁場を印加したテラヘルツエミ ッ タ を用いる こ とで， 平均出力でサブミ リ ワ ッ ト級のテラヘルツ電磁波光源を実現し， 今まで非常に難しいと されていたテラヘルツ領域の時間分解分光も容易に行 う こ とが可能と なった。 ...
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レーザー点火向け808 nm帯高出力VCSELファイバー結合型モジュールの開発 | Ricoh Technical Report No.42
... せるためには，良好な部材間の接合が必要となる． その中でも最も重要なのは，VCSELアレイとヒー トシンクとの接合である．高い放熱性を得るには， 接合部に空隙や酸化膜が生じにくいように金属系の はんだ接合を用いるのが望ましい．はんだ接合にお いては，接合時にAu原子が必要以上にはんだ材料 へ拡散し，共晶化されずに剥がれてしまうという不 具合が起こりうる．また，高出力VCSELではチッ ...
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高出力・高効率純緑色レーザ
... ライド気相成長（HVPE ※4 ）法により作製した。伝導性は n 型で、転位密度は 1 ×10 6 cm -2 以下である （12） 。この基板 上に有機金属気相成長（OMVPE ※5 ）法によりレーザ構造 のエピタキシャル層を成長した。まず、n-GaN バッファ層 を成長した後、n-InAlGaN クラッド層、n-InGaN ガイド 層、InGaN 量子井戸発光層、p-AlGaN 電子ブロック層、 p-InGaN ...
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NS 形 (GX 形 ) 接合解体器具 NS 形油圧リングジャッキ NS 形手動リングジャッキ NS 形チェーンジャッキ GX 形管対応 NS 形油圧リングジャッキ NS 形手動リングジャッキ
... ①解体矢（各種） ②異形管解体用シリンダー治具（2ヶ組） φ75 ～φ250 用 （NS 形管専用） ③ストッパー 100 × 85（ φ300 ～φ450 用 ） （NS 形管専用） ④ロックリング拡大器（ φ300 ～φ450 用 ） （NS 形管専用） ⑤異形管突部用工具（ φ75 ～φ250 用 ）（NS 形管専用） ⑥解体矢打込み工具 ...
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