静電気保護ダイオード(TVS)における低R
RF201L4S : ダイオード
... ①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。 ②冗長回路等を設けて単一故障では危険が生じないようにシステムとしての安全を確保する。 3. 本製品は、一般的な電子機器に標準的な用途で使用されることを意図して設計・製造されており、下記に例示するよう な特殊環境での使用を配慮した設計はなされておりません。従いまして、下記のような特殊環境での本製品のご使用に ...
7
RB160MM-60TR : ダイオード
... 静電気に対する注意事項 本製品は静電気に対して敏感な製品であり、静電放電等により破壊することがあります。取り扱い時や工程での実装時、 保管時において静電気対策を実施のうえ、絶対最大定格以上の過電圧等が印加されないようにご使用ください。特に乾 燥環境下では静電気が発生しやすくなるため、十分な静電対策を実施ください。（人体及び設備のアース、帯電物から ...
8
RF2001T2D : ダイオード
... 2. 半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、かかる誤動作や故障が生じた場合で あっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において 次の例に示すようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。 ①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。 ...
6
低転位GaN 基板上の低抵抗・高耐圧GaNダイオード
... これまでに研究・開発された GaN を用いたパワーデバ イスでは、サファイア、SiC 等の異種基板上でエピタキ シャル成長されていたため、主に横型のデバイスしかでき なかった。しかし Si や SiC などの既存の大電力用途のデバ イスは縦型が主である。これは、配線、パッケージングの 容易さ、高い面積効率を有するなどの理由から横型に比べ 縦型が大電流・高電圧デバイスに有利なためである。GaN ...
5
RFN5TF8S : ダイオード
... 応用回路、外付け回路等に関する注意事項 1. 本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品の バラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。 2. 本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、 実際に使用する機器での動作を保証するものではありません。従いまして、お客様の機器の設計において、回路や ...
7
RF04UA2D : ダイオード
... ①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。 ②冗長回路等を設けて単一故障では危険が生じないようにシステムとしての安全を確保する。 3. 本製品は、一般的な電子機器に標準的な用途で使用されることを意図して設計・製造されており、下記に例示するよう な特殊環境での使用を配慮した設計はなされておりません。従いまして、下記のような特殊環境での本製品のご使用に ...
6
KDZTR6.8B : ダイオード
... CLASSⅣ CLASSⅢ 2. 半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、かかる誤動作や 故障が生じた場合で あっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において 次の例に示すようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。 ①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。 ...
9
UMZ5.6KTL: ダイオード
... 2. 半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、かかる誤動作や 故障が生じた場合で あっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において 次の例に示すようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。 ①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。 ...
9
RB511SM-30 : ダイオード
... 環境下では静電気が発生しやすくなるため、十分な静電対策を実施ください。 （人体及び設備のアース、帯電物からの 隔離、イオナイザの設置、摩擦防止、温湿度管理、はんだごてのこて先のアース等） 保管・運搬上の注意事項 1. 本製品を下記の環境又は条件で保管されますと性能劣化やはんだ付け性等の性能に影響を与えるおそれがあります のでこのような環境及び条件での保管は避けてください。 ...
8
TFZVTR30B: ダイオード
... 静電気に対する注意事項 本製品は静電気に対して敏感な製品であり、静電放電等により破壊することがあります。取り扱い時や工程での実装時、 保管時において静電気対策を実施のうえ、絶対最大定格以上の過電圧等が印加されないようにご使用ください。特に乾 燥環境下では静電気が発生しやすくなるため、十分な静電対策を実施ください。（人体及び設備のアース、帯電物から ...
9
RR264MM-400TF : ダイオード
... ② 推奨温度、湿度以外での保管 ③ 直射日光や結露する場所での保管 ④ 強い静電気が発生している場所での保管 2. ロームの推奨保管条件下におきましても、推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性に影響を与える可能性が あります。推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性を確認したうえでご使用頂くことを推奨します。 ...
7
RFN5TF6S : ダイオード
... 静電気に対する注意事項 本製品は静電気に対して敏感な製品であり、静電放電等により破壊することがあります。取り扱い時や工程での実装時、 保管時において静電気対策を実施のうえ、絶対最大定格以上の過電圧等が印加されないようにご使用ください。特に乾 燥環境下では静電気が発生しやすくなるため、十分な静電対策を実施ください。（人体及び設備のアース、帯電物から ...
6
RFN1LAM6S : ダイオード
... ②推奨温度、湿度以外での保管 ③直射日光や結露する場所での保管 ④強い静電気が発生している場所での保管 2. ロームの推奨保管条件下におきましても、推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性に影響を与える可能性が あります。推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性を確認したうえでご使用頂くことを推奨します。 ...
7
RR1LAM4S : ダイオード
... ②推奨温度、湿度以外での保管 ③直射日光や結露する場所での保管 ④強い静電気が発生している場所での保管 2. ロームの推奨保管条件下におきましても、推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性に影響を与える可能性が あります。推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性を確認したうえでご使用頂くことを推奨します。 ...
7
RBR3MM30ATF : ダイオード
... ②推奨温度、湿度以外での保管 ③直射日光や結露する場所での保管 ④強い静電気が発生している場所での保管 2. ロームの推奨保管条件下におきましても、推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性に影響を与える可能性が あります。推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性を確認した上でご使用頂くことを推奨します。 ...
8
RF1001T2D : ダイオード
... 静電気に対する注意事項 本製品は静電気に対して敏感な製品であり、静電放電等により破壊することがあります。取り扱い時や工程での実装時、 保管時において静電気対策を実施の上、絶対最大定格以上の過電圧等が印加されないようにご使用ください。特に乾燥 環境下では静電気が発生しやすくなるため、十分な静電対策を実施ください。 （人体及び設備のアース、帯電物からの ...
7
RB085T-60NZ : ダイオード
... 2. 半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、かかる誤動作や故障が生じた場合で あっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において 次の例に示すようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。 ①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。 ...
6
シリコンフォトダイオードのオーバーフィル照射における応答非直線性の波長依存性
... Stateレーザ，760 nmが外部共振器型半導体レーザ 22） を選択 した．全てのレーザは，個別に温度調整を行い，出力安定性 0.03 %/hourを達成している．また，複数の凹凸レンズを用 いて，全てのレーザのビーム径を直径約1 mmのガウシアン ビームとなるように調整した．このビーム条件で，Si PDの 中央部分に照射するように光軸調整を行った場合，アンダー フィル照射条件となる．オーバーフィル照射させるために， Si ...
4
静電気を利用した発電装置
... 発光ダイオードには、電池のプラスにつながないと発光しないプラス端 子と電池のマイナス側に接続しないと発光しない端子がある。発光ダイオ ードには、極性があり、基本的には、導体でも絶縁体でもなく、半導体か ら作られている。半導体の中の特殊な物質の中の電子またはプラスの電荷 が、電池から基準以上のエネルギーをもらったときに、発光するのである。 したがって、本発電装置の出力を一次側に接続したとき、磁気的作用によ ...
10
LTC 電源ダイオードOR電流平衡コントローラ
... EN1 、EN2：イネーブル入力。対応する電源のシェアリングおよ びダイオード制御を有効にするには、このピンを0.6Vより低い 電圧に保持します。このピンをHighに駆動すると、MOSFET のゲートが遮断されます（遮断後もMOSFETのボディ・ダイ オードを通して電流が流れる可能性があります）。コンパレー タには8mVのヒステリシスが組み込まれています。両方のEN ...
20