転位線のエッチング速度
転位線のエッチング速度: University of the Ryukyus Repository
... 転位線のエッチング速度：前浜 8８ 図３はＡｓ(111）面をＲＣ－１エッチャント(液温30℃） で繰返しエッチングしたときのエッチピットの形状の 変化を示したものである。つまり図３の(ａ)は１分間エ ッチングした後のエッチパターンで,（ｂ)は(ａ)にそのま まさらにＲＣ－１エッチャントを１分間重ねてエッチング を施したときのエッチパターンである。（ｃＭｄ)も同様 にエッ[r] ...
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金属アシスト化学エッチングによるSiナノ構造の作製と評価
... 接触角とは、個体の表面が液滴およびその飽和蒸気を含んだ液体と接触しているとき、こ の 3 層の接触する境界線において液面が個体面となす角（液体面に対して引いた接線）の うち液体を含む角 θ のことであり、数百ナノメートルスケール以上のマクロな現象として ...
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Ni基超合金微細析出構造における転位の分子動力学解析
... した種々の大規模分子動力学シミュレーションを行った．まず，γ/γ ′ 界面における転 位発生機構を，特に格子状 γ ′ 相のエッジや頂点などの界面会合部に着目して，周囲に γ ′ 相が存在する状態で検討した．その結果，γ ′ 相頂点近傍の原子配置が乱れた部分を 起点としてループ状の部分転位が発生し，γ チャンネル内を伝ぱする様子が明らかに ...
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異方性ウェットエッチングを用いたSiサブ波長反射防止構造の作製
... 本研究室では、ショットキー障壁型フォトダイオードの感度改善の研究を行っており、 ショットキー界面の表面処理（キャリア再結合低減効果）により約 40%の外部量子効率が 得られているが、これをさらに改善するには表面反射の低減が必要である。 このような背景から本研究では、Si 基板表面にサブ波長周期の反射低減構造を形成する ...
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レンブラントの風景エッチング解釈に向けて : オランダ風景画研究史の現在に照らして
... したがって，残った山羊もほとんど姿を暗闇に没している。「Omval」の半ば枯れかかった木の 洞の中の恋人たちも，決して一目瞭然という姿には表されていない。 ここで注意すべきは，レンブラントのある種の風景作品において， 「自然主義的」／「散文的」 描写と「象徴的」／「詩的」表現が拮抗していることは，一般的な分析の結果として述べるこ ...
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析出強化超合金中における界面転位網の形態変化および形成過程の離散転位動力学シミュレーション
... m は転位の質量，M は刃状転位，らせん転位の可動性の差を考慮するための転位の 可動性を表すパラメータである．また v i はすべり速度，T は絶対温度，p は圧力であ る．(2.7) 式に基づいて転位曲線の時間発展を追跡していくが，Frank-Read ...
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ウエットエッチング加工のグリーンプロセス研究（２）
... ウエットエッチング加工のグリーンプロセス研究（２） ［研究代表者］田中 浩（工学部機械学科） 研究成果の概要 持続可能な社会に即した地球環境にやさしいプロセスが必要と考え，数％以下の極低濃度液で加工できるエッチン グプロセスを研究中である．我々は従来事例が少ない１ wt％ KOH（水酸化カリウム）水溶液を用いたときのエッチ ...
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整合界面の構造安定性ならびにミスフィット転位に関する分子動力学的研究
... 界面で の Tersoff 型ポテンシャルの問題は，原子 i を中心として，他の原子 j, k との結合角を 考慮するポテンシャルパラメータが，Tersoff の Si では原子 i の種類だけに依存するの に対し，Jefferson の GaAs では原子 i と j の組に陽に依存する点である．そこで，[ 1 ] ...
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プラズマイオンと紫外光線のシナジー効果によるワイドギャップ半導体エッチングダメージの振舞い
... 極端に高いという事実に基づいている．しかしながら，こ のような観点からの研究報告がなく，著者が提唱する相乗 効果の信憑性・有効性を明らかにする必要性がある． そこで，本研究は，著者が提案する“プラズマイオンと 紫外線（バンドギャップエネルギー程度）との相乗効果” の観点から，低温プラズマにより誘因されるワイドギャッ プ半導体（GaN, TiO 2 ...
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Microsoft Word - CVDエッチングマニュアル
... 14 ２．起動 ＊ 下線部が行う部分 １） TEOS ヒータの確認（写真 3） ＊TEOS 用ヒータは常時 ON であり、所定の温度になっているか確認する。TEOS 恒温槽はヒー タパネルの下にあり TEOS を高温にすることで TEOS を気化させる．常時加温することで，弁，配管 内での TEOS ...
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化学エッチング法による蛍光体の作製と評価
... 4 の混合溶液に Si を浸漬で作製）赤色蛍光体とピーク位置が完全に致した。また Mn =15 g/L のときが最も発光効率のよい黄色蛍光体が作製された。またその時のピーク波長は~580 nm であった。PLE 測定結果からは~310 nm の紫外域にピークをもつブロードなスペクトルが観 測された。ブロードなスペクトルなため、Mn 2+ ...
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低転位GaN 基板上縦型トランジスタの開発
... することが可能である。AlGaN の自発分極と歪によるピエ ゾ 分 極 に よ り AlGaN/GaN 界 面 に は 2 次 元 電 子 ガ ス （2DEG: Two Dimension Electron Gas）と呼ばれる高濃 度、高電子移動度の電子層が形成される。これらの特長を 活かした高周波・高出力トランジスタが GaN 系 HFET （Heterojunctin ...
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金属アシスト無電解エッチングによるシリコン微細構造の作製と評価
... 接触角とは、固体の表面が液滴及びその飽和蒸気を含んだ気体と接触しているとき、こ の 3 層の接触する境界線に於いて液面が固体面と成す角（液体面に対して引いた接線）の うち液体を含む角 θ のことであり、数百ナノメートルスケール以上のマクロな現象として ...
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ウエットエッチング加工のグリーンプロセス研究
... 研究分野：生産加工，マイクロ加工，表面処理 キーワード：グリーンプロセス．ウエットエッチング、アルカリ水溶液、シリコン 1．研究開始当初の背景 ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）の主役の一つである シリコンセンサの基本加工技術が結晶異方性ウエットエ ッチングである。現在は量産工程も確立しているが、平滑 で安定した加工速度を得られる高温・高濃度アルカリエッ ...
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3C-SiCの部分転位とシリコンのシャフルセット完全転位の移動度に関する反応経路解析
... 3C-SiC の部分転位とシリコンのシャフルセット完全転位の移動度に関する反 応経路解析） 本論文では、原子レベルの解析手法である反応経路解析を使って、 3C-SiC に おけるショックレー部分転位及びシリコンにおけるシャフルセット完全転位の ...
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環境としての作品 ―パウル・クレーの作品に見る環境の転移/転位について―
... 公聴会では、申請者より論文の概要がスライドを用いて発表され、それに続けて公聴会 会場に展示された作品のコンセプトについて説明された。発表後の質疑応答においては、 たとえば第一章で論じられているメディア間の「転移／転位」（エッチングとガラス絵） について、それを弁証法的関係として捉えることもできるのではないか、という本論文の ...
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Si-doped GaAs単結晶の転位の上昇と二次元欠陥 －エッチング法による観測－: University of the Ryukyus Repository
... -rmJll~litJPtJ)t:'Jt;t.;tL-r~,fto LtJ)L.. Si-dopedGaAs単結晶の転位の上昇と二次元欠陥一エッチング法による観測一 4８ した。更に，繰り返しエッチング法により矢型エッチ 像の変化を調べ，転位線全体の上昇運動の軌跡を示し た。その結果，試料表面よりも内部で転位の移動距離 が大きくなっていることがわかった。そのことより， [r] ...
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分子動力学法による酸化物分散強化メカニズムの検討：転位のカッティング抵抗の評価
... 第 1 章 緒 論 原子炉の高燃焼度化は，限られた資源の有効利用や二酸化炭素を排出しない原子力 エネルギーの高効率利用に欠かせない技術の一つであり，その最も有効な手段の一つ として，原子炉燃料被覆管材料の改良が進められている．現在の炉心材にはジルコニ ウム合金やオーステナイト鋼が用いられている．ジルコニウム合金は中性子吸収性に ...
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透過型電子顕微鏡法によるMg–Al–Ca合金の転位解析
... にて高温引張試験を行った。 ダイカスト材および時効熱処理後高温引張変形材から透過 型電子顕微鏡観察用の薄膜を切出し，直径 3 mmの円盤状試 料に加工した。機械研磨により厚さを 120 µm とした後，円 盤状試料を 10 vol%過塩素酸–90 vol%エチルアルコール混合 溶液中にてツインジェット式電解研磨装置により電解研磨 した。電解研磨により孔をあけた薄膜について，加速電圧 200 ...
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低転位GaN 基板上の低抵抗・高耐圧GaNダイオード
... これまでに研究・開発された GaN を用いたパワーデバ イスでは、サファイア、SiC 等の異種基板上でエピタキ シャル成長されていたため、主に横型のデバイスしかでき なかった。しかし Si や SiC などの既存の大電力用途のデバ イスは縦型が主である。これは、配線、パッケージングの 容易さ、高い面積効率を有するなどの理由から横型に比べ ...
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