灯します。これには半導体の光伝
cw 光注入による半導体ﾚｰｻﾞの全光制御ﾓｰﾄﾞ同期方式におけるｽﾍﾟｸﾄﾙ整形用光ﾌｨﾙﾀ
... LD の縦ﾓｰﾄﾞ周波 数間隔とを整数比に調節するためのものであり、 mm 単 位までの調節機能が必要である。もう一つは、光の干渉 位相差を調節して出力ﾎﾟｰﾄを制御するためのものであ り、数十 nm 単位での調節が必要となる。これを実現す ...
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055 金属の光電効果は太陽電池に使えない 光電管と光電子増倍管 高電圧を加えないと光電流が取りだせない 光を電気に変換する現象として有名な光電効果 ( 外部光電効果と内部光電効果 ) は 光センサーに利用されています しかし この現象では光からエネルギーを取りだすことはできません 金属も光電効果を
... 図1 の（a）のように、p型とn型の半導体を組み合わせてダイオード構造にすると、 pn界面の空乏層に（b）に示すようなエネルギーのスロープが生じます。これが内蔵 ...
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背景 現代社会を支えるコンピューティングや光通信では, 情報の担い手として, 電子の電荷と, その電荷を変換して生成した光 ( 光電変換 ) を利用しています このような通常の情報処理に用いる電荷以外に, 電子にはスピンという状態があります このスピンの集団は磁石の性質を持ち, 情報の保持に電力が不
... nm のトンネルバリアを介して横方向に配置した二つの半導体量子ド ット（ドット間隔 60 nm）から成るハイブリッドナノ構造における，量子ドット中の電子（励起状態の 波動関数）の存在確率分布を示す三次元シミュレーション計算結果。それぞれ，量子井戸の膜厚が 0 nm ...
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055 金属の光電効果は太陽電池に使えない 光電管と光電子増倍管 高電圧を加えないと光電流が取りだせない 光を電気に変換する現象として有名な光電効果 ( 外部光電効果と内部光電効果 ) は 光センサーに利用されています しかし この現象では光からエネルギーを取りだすことはできません 金属も光電効果を
... 表1 はシリ コンの屈折率 n 、消光係数κ、反射率 R を光子エネルギー E に対して示したものです。 これより、シリコンは可視光領域の波長に対して35％以上の高い反射率をもつので、 金属光沢の原因が高い屈折率によるものであることがわかります。太陽電池では （ 024 ...
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Fabry-Perot型半導体レーザを用いた全光制御モード同期法における動作安定性の向上に関する研究
... cw 注入による F-P 型半導体レサゃのスへ。クトル変化 3節で取りあげた基本光学系を組み合わせて外部共振 器を構成し、種々の条件下で、スヘ。クトル線幅狭窄化について 実験検討を行った。図 4 .1に実験系を示す。まず、結合光 学系においては、外部共振器長を調整するためにがうス板 とカハ守-;1('，7;を挿入しているため、 LD の後方ビームは光学長 に換算して 5[r] ...
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互作用によって強磁性が誘起されるとともに 半導体中の上向きスピンをもつ電子と下向きスピンをもつ電子のエネルギー帯が大きく分裂することが期待されます しかし 実際にはこれまで電子のエネルギー帯のスピン分裂が実測された強磁性半導体は非常に稀で II-VI 族である (Cd,Mn)Te において極低温 (
... 互作用によって強磁性が誘起されるとともに、半導体中の上向きスピンをもつ電子と下向きス ピンをもつ電子のエネルギー帯が大きく分裂することが期待されます。 しかし、実際にはこれまで電子のエネルギー帯のスピン分裂が実測された強磁性半導体は非 常に稀で、 II-VI ...
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物理システム工学科３年次 「物性工学概論」 第9回光エレクトロニクス(2) 半導体レーザーと光通信
... • 光増幅器は、エルビウム（Er）イオンをドープした光ファイバー（Ｅ ＤＦ:Erbium Doped Fiber）と励起レーザーから構成されており、 励起光といわれる強いレーザーと減衰した信号光を同時にＥＤＦ 中に入れることによって、Erイオンの誘導増幅作用により励起 ...
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半導体中の単一磁性原子スピンの光による制御 : 正孔-Mnスピン結合系およびCrスピン
... Finally, we demonstrate that, under a resonant single-mode laser eld, the energy of any spin state of an individual Cr atom can be independently tuned using the optical Stark eect.. V.[r] ...
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物理システム工学科３年次 「物性工学概論」 第9回光エレクトロニクス(2) 半導体レーザーと光通信
... • 再生光スポットをディスクの記録トラックに照射することにより昇温 し、中間の「スイッチング層」のキュリー温度以上の領域では磁化 が消滅し、各層間に働いていた交換結合力が解消。 • 移動層に転写されていたマークを保持しておく力の一つである交 ...
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透 明 なケーブルの 中 を 光 が 伝 播 することで 信 号 を 伝 送 する 物 理 媒 体 で す 方 式 にもより ますが 銅 線 を 用 いたケーブルよりも 大 容 量 通 信 が 可 能 として 脚 光 を 浴 びています 近 年 では 銅 線 を 使 用 した 高 速 通 信 である
... LAN の基幹部分にもパソコン への接続用としても多く使われていました。ただ、配線 の作業性の悪さ（硬くて曲げ難 い）やレイアウト変更に対して柔軟に対応できない（ケーブルを数珠繋ぎ状に配線する必 要がある）等の問題から、後に登場する ツイストペアケーブルに主役の座を譲っていま ...
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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... nm の紫外領域まで透明であるため，発光した紫外線を吸収することなく，紫外光を効 率よく外部へ取り出せる．現在，窒化物半導体用基板としては，サファイア，SiC，GaN などが候 補として挙げられるが，紫外発光素子用基板材料として，格子整合性および紫外光透過率の観 点から，AlN 単結晶が最良の基板候補である．AlN ...
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Fon 光コース契約約款 フォン ジャパン株式会社 ( 以下 当社 といいます ) は Fon 光サービス会員規約の個別規定として Fon 光コース契 約約款を以下の通り定めます Fon 光コースには Fon 光サービス会員規約と Fon 光コース契約約款があわせて適用されま す 第 1 章総則 第
... 第４９条（利用に係る契約者の義務） １. 契約者は次のことを守っていただきます。 （１）当社がFon光コース契約に基づき設置した電気通信設備を移動し、取り外し、変更し、分解し、若しくは破壊し、 又はその契約者回線に線条その他の導体を連絡しないこと。ただし、天災、事変その他の非常事態に際してその電気通 ...
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Kokusai Semiconductor Equipment Corp. 同社は 半導体製造装置の販売 サービス事業を行っています 1992 年に当地に法人を設立してから 20 年以 上の実績を有しています 同社は 高品質な半導体製造装置の販売及びサービスにより 高い評価を得ています 実際 複数の
... リコーは、1962年に米国でのカメラ販売事業を開始して以来、複合機、プロダクションプリンター、感熱紙などの製 造、販売、ITインフラサービス、ビジネスプロセスサービスなどの事業を展開しています。販売会社であるRicoh Americas ...
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半導体中の単一磁性原子スピンの光による制御 : 正孔-Mnスピン結合系およびCrスピン
... スピンの結合した基底状態と正 に帯電した励起子 X + と Mn スピンの結合した励起状態との間でいわゆる光学的なラムダシステ ムが形成される。著者は 2 波長励起のポンプ・プローブ測定を行うことにより、このラムダシス テムにおける遷移のダイナミクスを詳細に調べ、正孔と Mn スピン結合系においてスピンはナノ ...
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ナノテクノロジーの応用 カーボンナノチューブ、光半導体、走査型プローブ顕微鏡
... カーボンナノチューブは、黎明期にあることから大学や公的機関での研究開発が盛んであ り、 特許出願も比較的多い。 また、 このような黎明期の技術では、 新規の応用分野における、 先進的研究開発と基本特許の取得は、後のビジネス展開のために重要である。海外では、カ ...
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1. はじめに半導体 ICやコンピュータ技術のめざましい進展は, 家電,OAおよび通信などのエレクトロニクス産業分野で大きな需要を喚起してきました また, オプト ( 光 ), メカトロ ( 機械 ) などの周辺の技術も統合し, これまでにない新しい用途が創造されています この発展の一翼を担っている
... （3）超音波モータ 超音波モータの動作原理は，Fig.27に示すように圧電体を励振させることにより弾性振動体（ス テータ）表面に高次の曲げ振動を発生させ進行波を作ります。 そして，その上のスライダをステー ...
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半導体レーザの光音響効果を利用した欠陥検出に関する研究
... 8[mm] の穴 を 2 つあけた。 2 つの欠陥の隙聞は 1.2[mm] となっ ている。この場合、欠陥のないところでの信号の変 動分に対して欠陥信号の大きさが 2倍程度と小さく、 この程度の欠陥を検出するのが限界であった。 そこで、センサ位置を色々と変化させて実験を重 ね、光音響信号が最も大きく得られた位置、即ちセ... が欠陥の存在する試料を用いた場合の測定結果で[r] ...
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半導体レーザの光音響効果を用いた非破壊センサの二次元走査に関する研究
... 5 内部欠陥検出結果 市販ロックインアンプと専用測定回路を用いて内部欠 陥を測定した結果を図 4に示す。図中のグレーの部分が 欠縮部を示してあり、市販ロックインアンプ、専用測定 回路どちらの装置を用いた場合でも LD 、試料、空中超 音波センサは同じ物を用いた。両方の結果共、ちょうど 欠陥部分にピークが見られることから内部欠陥が検出で きていることが分かる。また、欠陥[r] ...
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ZnSe系青-紫外光域半導体光検出器に関する研究
... 4．4ZnSe−APDのイオン化率 今回得られた最大の増倍率は50であった。しかし、APDにおいてこの値は決して大きくな い。それは、ZnSe−APDの構造の最適化を行っていないからである。そこで、本研究ではAPD を最適設計する上で最も重要なパラメータである電子のイオン化率（α）および正孔のイオン化 率（β）を電子もしくは正孔のみを注入した場合の増倍率の実験値とシミ[r] ...
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安全情報 光の刺激による発作について ごくまれに ゲーム中の強い光 光の点滅 パターンなどにより 発作を起こすことがあります 発作やてんかんなどの病歴がない方も ビデオゲームを見ている間に 原因不明の光過敏てんかん発作を起こすことがあります この発作には めまい 視覚の変調 目や顔のけいれん 手足の
... なお、全年齢対象のゲームソフトにはアイコンを表示していません。また、CERO の対象年齢は、本製品 に対してのみ適用されるものであり、オンラインプレイなどを通して得られる追加の表現に関しては、こ の限りではありません。詳しくは CERO ...
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