次世代パワー半導体用の
博士論文 パワー半導体製造工程における高温熱処理と シリコン結晶欠陥の研究 A study on high-temperature annealing and silicon crystal defects for power semiconductor manufacturing process
... 型デバイスであるＧＴＯ（Gate Turn Off）サイリスタやＢＪＴ（Bipolar Junction Transistor:バイポーラパワートランジスタ）が開発された。 １９７０年代には、絶縁ゲートによる電圧制御のパワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属酸化膜半導体電界効果 ...
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超音波スプレー技術を用いた次世代半導体洗浄技術に関する研究
... シリコン基板に付着した PSL 粒子の除去モデルを図 2 のように考える。超音波振動体型洗浄によって、流体力学 の作用のみで考えた場合、ウエハ上の PSL 粒子は衝撃圧 から受ける力と放射流による流体抵抗によって除去され ていると考えられ、せん断力からの放射流のみを考えると ...
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スピントランジスタの基本技術を開発 ― 高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体 ―
... スピンMOSトランジスタの基本技術を開発 ― 高速・低消費電力、不揮発の次世代半導体 ― 本資料は、本年米国ボルチモアで開催のIEDM（International Electron Devices Meeting 2009）における当社講演 “Read/Write Operation of Spin-Based MOSFET Using Highly ...
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軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作
... 4H-SiC のバンドギャップを計算すると、PBE では ...PBE の数十倍である。 地球シミュレータの計算ノードが NEC の SX-9 ベースに更新されたため、VASP コードのチュー ニングを以前と同様に対角化や三次元 FFT のルーチンを地球シミュレータにチューニングされたもの と置き換えることにより行った。1017 ...
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高耐圧パワー半導体素子を目指したp型SiC結晶のキャリア寿命に関する研究
... 図 3.4 に示したように、p 型および n 型の両サンプルで、高レベル注入においてキャリア寿命 が低下している。この理由として、次のような要因が考えられる。一つは、上記のモデル計算より 確認された、かなり高い励起キャリア密度の領域で見られる輻射再結合やオージェ再結合の影響が ...
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北海道大学大学院情報科学研究科 [ 博士論文 ] 次世代パワー半導体デバイスの適用を考慮した高周波 PWM インバータのひずみ ノイズ低減に関する研究 Study of Reducing Distortion and Noise of High-frequency PWM Inverters App
... いた補助的なインバータを追加している。補助インバータはメインインバータに対して逆 の動作を行い、メインインバータが発生させるコモンモード電圧と逆向きのコモンモード 電圧を出力し、メインインバータのコモンモード電圧の除去に使用する。これらの二つの ...
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ワイヤレス技術 ネットワーク ワイヤレス技術 端末 シリコンバレーサンディエゴ 次世代ワイヤレス技術 ダラス シカゴ 次世代インターネット半導体 ソフトウェア オタワニュージャージー スウェーデンモスクワパリミュンヘンミラノトルコマイクロ波技術 FMC 固定ネットワーク 西安成都武漢バンガロール 北
... また、R&D部門には、ファーウェイの購買 部が自社の製品ニーズや開発戦略に適し た優れた部品やモジュールを提供できるサ プライヤーを選択し、継続的な提携関係を 築けるよう、技術面からサポートするという機 能もあります。日本研究所もこうしたマッチン グ機能を担う地域調達センターのひとつとし て、高い技術力を持つ日本の製造業者との ...
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パワー半導体デバイス
... そ の 材 料 WG5 Terms and definitions 用 語 義 WG6 Printed boards - Device Embedded Substrate - Terminology / Reliability /Design Guide ン 基 板 - 部 品 内 蔵 基 板 ‒定用 語 、 信 頼 性 、 設 計 指 ...
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VPP（バーチャルパワープラント）における家庭用設備機器の運用方法に関する研究 [ PDF
... として のポテンシャルが高い。本検討では全住戸の設備機器 で DR 運転を行った際の総 DR 量、コストメリットを 算出することに加え、PV の街区内消費量を向上させ ることを目的とする。2019 年度から、固定価格買取制 度が順次終了し、10kW 未満の PV 売電価格は 26 円 (2018 年価格)から 5 円～10 円程度まで、低下すること ...
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次世代半導体工場の課題と方向 e-manufacturing と Agile-Manufacturing STRJ-WG8 ファクトリーインテグレーション WG 児玉祥一矢島比呂海 1 STRJ WS: March 4, 2003, WG8
... 半導体工場はコスト、生産性、そして スピード スピード スピード スピード により により により により 動いている。 動いている。 動いている。 動いている。: ? 機能あたりの投資、運用コストの低減 機能あたりの投資、運用コストの低減 機能あたりの投資、運用コストの低減 機能あたりの投資、運用コストの低減 ...
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RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？
... みならず製造・生産技術部門の再生・強化策をも不可欠であるとの感が強い。本論の目的は、こ のような現状認識に基づきつつ、我が国半導体デバイスメーカーの製造部門のありうべき再生・ 強化策を、ＵＭＣＪの生産システムを通して探ることである。 ＵＭＣＪを取り上げるのは、同業他社 ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... LSI（大規模集積回路）によって初めて可能になったのである。こ のように物理的な回路が抽象化され、論理的なプログラムと切り離されることによって、 半導体のモジュール化は急速に進んだ。 チューリング・マシンのような論理的なモデルでは、命令をソフトウェアで書くのも回 ...
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2015 OEG セミナー 次世代パワーデバイスの評価 解析 2015 年 7 月 14 日 信頼性解析事業部 解析センタ 長谷川覚 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd.
... Ref2:https://www.semicon.sanken-ele.co.jp/guide/GaNSiC.html Ref1:コロナ社 ワイドギャップ半導体パワーデバイス 山本秀和著 1.1 はじめに パワーデバイスは、電力変換用のスイッチング素子として使用されている ...
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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... （和文）：窒化アルミニウム（AlN）などの窒化物半導体は，次世代の発光素子，太陽電池およびハ イパワー半導体素子として注目されているが，素子の性能を最大限に発揮させるための高品質 AlN 結晶基板の開発が急務である．本研究では，熱力学的な学理に基づく新たな液相成長法を 開発し，高品質 AlN ...
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SiCパワー半導体がもたらす 電気エネルギーの有効利用 －省エネ効果－
... 海外： Infineon(独: SBD JSFET)、Cree（米: SBD MOSFET）、 STMicro(伊: SBD)、Fairchild（スウェーデン: BJT) 国内： ローム(SBD MOSFET)、新日本無線(SBD) 三菱（パワー半導体モジュール: 自動車 鉄道 PVetc.） 市販 ...
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[NE ハンドブックシリーズ] パワー半導体
... 東田祥史氏）。例えば，定格電圧100V前後まで の低耐圧品では， 「スマートフォン」 「パソコン」 「産業用お よび自動車」の三つを主なターゲットとする。「定格電圧 が十数Vのスマートフォン向けでは，小型化を重視しま す」 （東田氏）。例えば低オン抵抗のMOSFET「ECOMOS TM ...
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ワイドギャップ半導体の光学特性評価
... 2．研究の目的 本研究は、ワイドギャップ半導体材料のうち、 GaN と ZnO について、機械的研磨に代表される表面加工に よって材料特性がどの様に変化するかを検証すること を内容としている。半導体の特性は光学的性質で端的に 表現される。格子歪みの大きさはホトルミネッセンス （ PL）あるいはラマン散乱スペクトルの特性エネルギ ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 3MHz の超音波洗浄装置で洗浄した場 合の出力に対する PSL 粒子の除去率を示す。図 4 と同様、 洗浄装置の出力が大きくなるにつれて、洗浄力は高くなる が、 1µm 時よりも除去率が低くなっている。これは、PSL 粒子が受ける超音波洗浄による流体抗力が小さくなるた めと推測している。また PSL 粒子 1µm の時とは異なり、 3MHz ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 1MHz の超音スプレーと周波数 3MHz で洗浄した 場合、出力に対する PSL 粒子の除去率をそれぞれ図 3 と 図 4 に示す。1 MHz 時も 3 MHz 時も超音波スプレー洗浄 装置の出力（振幅）が大きくなるにつれて除去率が高くな った。当然ではあるが、超音波スプレー洗浄装置の出力が 上昇するにつれて、純水に重畳する超音波の振幅が大きく なり、 PSL ...
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DSpace at My University: 英語教育リレー随想 119号（2020.2) 産業用半導体メーカーにて－改善提案システムの経験
... 提案したことはおおむね実践されていきます。このメーカーでは、月に一度、全社員が 業務の改善提案書を１枚は提出することになっていました。提案した内容は幹部が審査し 等級が付けられます。一番下は８級で 500 円、７級は 800 円、６級は 1000 円・・・、１ 級は 50 万円でした。各係ではその報奨金をプールしておき、飲み会の資金に充てていま ...
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