次世代デバイスへの進化
FUJITSU Supercomputer PRIMEHPC FX100 次世代技術への進化
... SPARC-V9 では浮動小数点レジスタの数は 32 本ですが、スーパ ーコンピュータ用アプリケーションの性能を最大限に引き出すた めには必ずしも十分ではありません。前世代の HPC-ACE では、前 置命令 Set eXtended Arithmetic Register（以降、SXAR と表記） を定義して、浮動小数点レジスタを 256 本に拡張しました。 SPARC-V9 では命令長が ...
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スマートホーム実現に向けた家庭内デバイスへの統合アクセスミドルウェア
... よって 、このシステムを本研究の目的の一つである 様々なアプリケーションの開発のために使用する ことは 難しい。 三次らは UPnP や ZigBee で 通信を行う家電や セ ン サ デ バ イ ス を CoAP （ Constrained Application Protocol ）を用いて接続するゲート ウェイを 提案した [2] 。 CoAP は 現在標準化策定 ...
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[連結]決算短信 決算情報｜IR資料室｜投資家の皆様へ｜東京エレクトロンデバイス
... 現在、経営計画として掲げている「VISION2020」では、自社ブランド事業への注力等を事業計画の中心として新た な取り組みを推進しており、メーカー機能の強化と充実を図っております。このような事業ポートフォリオの変化に 伴い、今後は設備投資や研究開発投資をはじめとする資金需要が見込まれ、既存の商社事業においてもビジネスの発 ...
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2015 OEG セミナー 次世代パワーデバイスの評価 解析 2015 年 7 月 14 日 信頼性解析事業部 解析センタ 長谷川覚 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd.
... 3.8 GaNデバイスのまとめ ・良品解析手法確立に向けて、ウェハ工程検査を実施した結果、 全検査項目共に解析可能であり、データ解析が行えることを確認した ・今後も更にGaNデバイスの良品解析結果を蓄積し、良品解析手法を ...
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4H-SiCにおける結晶欠陥の微細構造とデバイス特性への影響に関する研究
... 変化があり、その凹凸による電界集中が起こり、局所的にリークパスとなる。実際はエピタキシ ャル膜を形成する際に、前処理として水素清浄化処理を行うが、欠陥部分において KOH に比べれ ば非常に小さいが水素エッチングによる凹凸は観察されている。 ①～③については ESR,STS,エリプソメーター、ラマン分光等で観察する手法はあるが、今回のよう ...
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特集 より良い未来を築くための次世代技術への取り組み
... また、社会システムから発生するさまざまな情報を集約し、都市開発にこれらのデータを使うことで、より効率的で 快適な生活の実現を目指すスマート（Smart）ソリューションも提案しています。 これらに加えて街づくりに重要なのは、地域志向（Localization）です。都市のインフラはとかく重厚長大になる傾 ...
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HOKUGA: アカデミック・コーチングによる大学教育変革の試み : ティーチング主体型講義からコーチング主体型講義への進化
... る。さっそく高 の英語の教育実習で活用し，大好評を得たと報告してきた学生もいる。③教 室内でのやりとりが，受講生以外へもすべてオープンになっているので，講義に出席していな い親や友人もネットを介して講義内容を知ることが出来る。密室の中での講義は，どうしても ...
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軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作
... 4H-SiC のバンドギャップを計算すると、PBE では ...PBE の数十倍である。 地球シミュレータの計算ノードが NEC の SX-9 ベースに更新されたため、VASP コードのチュー ニングを以前と同様に対角化や三次元 FFT のルーチンを地球シミュレータにチューニングされたもの と置き換えることにより行った。1017 ...
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3 次元MMIC ～ WLCSP 技術へと進化
... 当時のデモンストレータを図7 に示す （14） 。性能は問題ない ものであったが、コストが未だ見合わなかった。要求通りに システムをコンパクトにまとめることには成功している。し かし、回路面が上になるフェースアップ実装であることによ り、PCB にキャビティ（矩形穴）を形成し、キャビティ内 チップと PCB とはボンディングワイヤで接続する必要があ るということが欠点であった。MMIC 表面と PCB 面を同一 ...
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世界での接続機能を有するデバイス数の推移予測 様々な業界での IoT への注目 今後出現するアプリケーションやビジネスモデル 標準化やデバイス価格の低下などにより 接続デバイス数は増加すると予測 2022 年には合計 290 億のデバイスがネットワークに接続され そのうち 181 億以上は IoT
... カバレッジ拡張 繰り返し送信：同一信号を複数回送信することにより受信信号のエネル ギーを増大させ、従来のLTE移動機では受信できないような信号強度の低 い位置でも、データ受信が可能になる。 ...
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走査トンネル顕微鏡を用いた2次元キャリア分布計測技術とデバイス開発への適用
... 一方，トンネル電流は探針-試料間距離に対し指 数関数的に減衰し，かつ，試料表面近傍の局所キャ リア密度を反映する物理量である。したがって， フェルミ準位をピン止めする準位が表面に局在して いない限り，シリコン基板中の不純物濃度を反映し た局所キャリア密度をSTMで計測できる。そして， シリコン試料では表面を適切に水素終端処理すると そのような表面準位を除くことができるので，伝導 ...
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図 2 クラウドメディア事業 GALAPAGOS の進化 GALAPAGOS は, ネットワークサー ビスとそれに最適化した端末を一体化し, 日々バージョンアップしながら, 顧客のニーズにマッチしたサービスへと進化させていく新たな事業です 進化する GALAPAGOS サービス クラウドメディア事業
... 「マルチサービス展開」 （図5） 3つ目は「マルチサービス展開」です。 「GALAPAGOS」のタブレット端末に は，広告表示の仕組みが搭載されてお り，広告配信サーバから，広告をはじめ チラシや電子カタログなどをプッシュ配 信することができます。ユーザのライフ スタイルや趣味，嗜好に合わせてタイム リーで役に立つ広告を配信します。ネッ トスーパーやコンビニ，量販店や通信販 ...
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この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ
... 内容１ 1. 化合物半導体の特徴・応用の紹介 2. 半導体物理のおさらい ① Blochの定理の意味とk空間 ② バンドギャップの物理的基礎 ③ 有効質量とBloch振動 ④ １，２，３次元における状態密度 ⑤ 電子統計 ...
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複式簿記会計への進化（Ⅲ）─１７世紀から１９世紀までの単式簿記と複式簿記─
... 「単式簿記」自体が退化してしまう事実については，Schmalenbachは表現する。 「１ ３世紀から１ ６世紀の初頭までのイタリア諸都市の全盛時代に使用されたのだ が，このイタリア簿記の様式が使用されるまでは，ドイツには，特にハンザ同 盟都市と南ドイツ商業地域には，かなり発達した技術と洗練された術語を持っ た商業簿記の技法が存在した。しかし，１ ...
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アフリカツメガエルの複雑なゲノムを解読：脊椎動物への進化の原動力「全ゲノム重複」の謎に迫る
... ＜背景と課題＞ 一つの生物がもつ全遺伝情報をゲノム（注 1）と言い、その本体は DNA です。今日、種々の生物の ゲノム DNA が解読されており（注 1）、そこで得られたゲノム情報は生命科学の発展に大きく寄与し ています。それと共にゲノム情報を生物間で比較することは、生物進化の研究に多くの知見をもたら ...
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未知なる領域へ Paving the way. With our way. 卓越の舗装品質 スムーズな操作性 確かな安全性 そしてさらなる環境性能 アスファルトフィニッシャに求められるファクターを高次元で融合した 住友の HA60W J paver その進化は 未知なる領域を切り拓く 次世代の作業性
... スクリューチェーンカバーや、コンベヤ中央チェーンカバー、スク リュー支持部カバー、さらにコンベヤチェーンサポートは長寿命な形 状を採用しています。 使用頻度の高い点検機器類は、機械サイドに集約。アクセスを容易にし日常の機械コンディション管理に配 慮しています。またエンジンルームにステップを装備、オイル点検を始め、エンジンルーム内の整備も容易 ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 3MHz の超音波洗浄装置で洗浄した場 合の出力に対する PSL 粒子の除去率を示す。図 4 と同様、 洗浄装置の出力が大きくなるにつれて、洗浄力は高くなる が、 1µm 時よりも除去率が低くなっている。これは、PSL 粒子が受ける超音波洗浄による流体抗力が小さくなるた めと推測している。また PSL 粒子 1µm の時とは異なり、 3MHz ...
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次世代電子デバイスのためのSi/Geコアシェル構造および合金組成ナノワイヤの研究
... 文 の 要 旨 審査対象論文は、次世代トランジスタ開発に関する課題に対して、シリコン（Si）およびゲルマニウム（Ge） を利用したヘテロ接合をナノワイヤ構造の直径方向に形成した新構造の構築および位置ドーピング制御 による不純物散乱の抑制を目的とした、高移動度トランジスタチャネルの開発に関するものである。1 ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... µm の PSL 粒子を酸化膜付きシリコン上に付着させた サンプル基板を作製した。また PSL 粒子散布後にベーク 処理を行い、 PSL 粒子の付着力を調整した。図 1 はウェハ 上に PSL 散布後、100℃でベークした時の PSL 粒子の形状 を示している。このように加熱することによって PSL 粒 子を変形させ、 PSL 粒子の付着力を調整させた。 ...
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次世代インフラ ～スマートシティへの道～
... 人口11,616,000人のパリ首都圏を、それぞれ 人口50万人規模の、20の都市の集合体に再構 成する。リヨン、フランクフルト、ロッテルダム、リ バプール、オスロ、セビリアなど欧州には50万 前後の都市は多く、「持続可能な都市」としての 適正規模はここにある。 ...
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