極低消費電力センサーネットワーク：ルネサス
ADXL335: 小型、低消費電力、3 軸、±3 g 加速度センサー
... センサーは、シリコン・ウェーハの上面に構成されるポリシリコ ン表面マイクロマシン構造となっています。ポリシリコンのスプ リングがこの構造部をウェーハ表面上に支え、加速力に対する抵 抗を与えます。構造の偏位は、独立した固定プレートと可動部に 取り付けられたプレートで構成される、差動コンデンサによって 測定します。固定プレートは、180°位相のずれた矩形波が印加さ れます。加速度は可動部を偏向させ、差動コンデンサを不平衡に ...
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FPGA と SoC FPGA および SoC 製品ファミリ低消費電力 実績のあるセキュリティ 優れた信頼性
... ProASIC3 ファミリ: ProASIC3/E FPGA CPLD を置き換える低密度 FPGA ProASIC3 シリーズ フラッシュFPGA は、今日最も要求が厳しいボリューム アプリケーションのために消費電力、性能、密度、機能を飛躍的に 進歩させた製品です。ProASIC3 デバイスは Arm Cortex-M1 ...
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TMP35/TMP36/TMP37: 低電圧温度センサー
... になります。この補償は、20℃～50℃の回路周囲温度範囲で極 めて良く動作します。 250℃を超える測定温度範囲では、熱電対 に 10.151 mV の出力電圧変化が発生します。この回路の所要出 力フルスケール電圧は 2.5 V であるため、回路のゲインは 246.3 に設定されます。R4 = 4.99 kΩ を選択すると、R5 = 1.22 MΩ に なります。R5 の最寄りの 1% 値は 1.21 MΩ ...
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公開 資料 5-1 超低消費電力型光エレクトロニクス 実装システム技術開発 ( 中間評価 ) ( 平成 24 年度 ~ 平成 33 年度 10 年間 ) プロジェクトの概要 ( 公開 ) NEDO IoT 推進部 平成 29 年 9 月 28 日 超低消費電力光エレクトロニクス実装システム技術開発中
... 2-2 光電子集積光通信システム 5Gモバイルネットワーク向けONUに用いるTWDM-PON双方向光トランシーバとして、H34年度製 品投入を目指して実用化開発を進める。 ・要素デバイスのTWDM-PON規格対応にめど。H29年度中に集積チップ搭載のトランシーバプロ トタイプ試作。 H29年度中間目標達成見込み 。 ...
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高性能極軟鋼せん断パネルダンパーの開発と低サイクル疲労性能に関する研究
... ２・２ 引張試験 せん断パネルに用いる材料は極低降伏点鋼（極軟鋼， LYP-100）である．極軟鋼は，1) 小さな変形で降伏する， 2) 伸び率が 60%以上ある，3) 鋼材の持つ塑性変形能力 により震動エネルギーを吸収する，という性質を持つ． 実験に先立ち JIS 規格 5 号試験片を 3 本用意し，標準引 張試験を行った．結果の平均値を表-1 に示す．極軟鋼は ...
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グリーンコンピューティングのための低消費電力マルチコア技術 「特技懇」誌のページ（特許庁技術懇話会 会員サイト）
... OSCAR APIの特徴は、各プロセッサ毎に別々のスレッ ドを用意し、各スレッドに埋め込まれたディレクティブは 早大が無料配布するAPI解釈系により各プロセッサ用のラ イブラリコール（プロセッサ企業側で DMA、電力制御な どのライブラリを用意することが前提）に変換されるの で、プロセッサメーカ側は通常の逐次Cあるいは Fortran コンパイラのみを用意すれば、並列バイナリが簡単に手に 入る。これにより ...
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ADV7390/ADV7391/ADV7392/ADV7393: SD ／ HD低消費電力、チップ・スケール、10 ビットビデオ・エンコーダ
... ダブル・バッファリング サブアドレス0x33、ビット7（ED/HD） サブアドレス0x88、ビット2（SD） ダブル・バッファ・レジスタは、フィールドごとに 1 回更新さ れます。ダブル・バッファリング方式の場合、レジスタ設定の 変更は、アクティブ・ビデオ期間中は行わず、次のフィールド のアクティブ・ビデオ開始前に有効となるため、性能全体が向 上します。 ダブル・バッフ[r] ...
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代センサーネットワーク モバイル情報機器 サーバー等から研究開発実施者が想定するアプリケーションにおいて 劇的な低消費電力化を志向する新しいメモリアーキテクチャ 基本ソフトウェア アルゴリズムのデザインを提示するとともに 必要に応じて間歇動作等に求められる次世代不揮発性素子の性能を提示し システムと
... ・集中研用のノーマリーオフ評価基盤として評価ボードとメモリ拡張ボードの設計 / 試作/評価を開始する。また、電力効率１０倍の見通しを立てるため、評価用にシミ ュレーション環境の開発を行う。 ・ベンチマーク評価のシミュレーション環境を使って、シングル /マルチコアのプロセ ッサでのベンチマークによるシミュレーション環境の改良を行い、ヘテロ構造をも つより複雑なプロセッサ構造とメモリ階層に向けた評価を開始する。 ...
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ADP5091/ADP5092: MPPT と充電管理機能付き超低消費電力のエネルギー・ハーベスタ PMU
... レータは、出力電圧を自らのプリセット出力電圧よりわずかに高 い値まで充電します。出力検知信号がヒステリシス・コンパレー タの上側閾値（スリープ閾値）を上回るまで出力電圧が上昇した 場合、レギュレータはスリープ・モードに移行します。スリープ・ モードでは、低静止電流と高い効率性能を実現できるように、下 側スイッチと上側スイッチ、さらに回路の大部分がディスエーブ ...
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スピントランジスタの基本技術を開発 ― 高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体 ―
... 将来展望 Reconfigurability （再構成可能機能）を有する不揮発性MOSトランジスタ ⇒ 配線遅延時間削減・高速化，チップ面積削減，クイックオン， 不揮発、同一チップで多彩な機能を実現， パワーゲーティングによる低消費電力化 ...
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情報処理学会研究報告 IPSJ SIG Technical Report Vol.2014-ARC-211 No /7/28 リアルタイム消費電流計測機能を活用する低消費電力 FPGA アクセラレータ 近藤秀弥 1 手塚宏史 1 稲葉真理 1 FPGA アクセラレータの電力最適化のために
... 今後は、計測結果を元に、省電力と各部分の性能 低下のトレードオフを細かく計測・解析し、ボトル ネックになっていない部分の省電力をはかることで、 システム全体の電力の削減を行いながら、システム 全体のパフォーマンスをあまり下げずに、計算アル ゴリズムのリアルタイム計測を用いた動的な切り替 えを実現できるかの検討を行っていきたい。これと 同時に、実際に、非数値計算向けのアクセラレータ として ...
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センサーネットワークによる 安心安全な街づくり 信州大学不破泰 1
... 課題２ 速やかに設置できるセンサーネットワーク (仕様2-1)電力インフラが無くとも，設置し長期間測定が可能なシステムであ ること （簡単に短時間に設置可能） (仕様2-2)草木で覆われた山中等において無線技術に詳しくない職員でも設 ...
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反強磁性体で世界最大の自発磁気効果をもつ低消費電力磁気メモリ材料：反強磁性体におけるワイル粒子の発見
... ネルンスト効果では、材料選択の自由度が生まれ高効率的な熱電素子開発、環境発電技術へ の幅広い応用が想定されます。また反強磁性体のため磁場に影響があるような電気機器の局所 冷却などでも利用が期待されます。 なお、本研究は、科学技術振興機構（JST） 戦略的創造研究推進事業 チーム型研究（CREST） 「トポロジカル材料科学に基づく革新的機能を有する材料・デバイスの創出」研究領域（研究 ...
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［資料 ワTF３－２］センサーネットワークの現状について
... ○ リニアセルを今後展開すべき具体的な分野・サービスの見極め ⇒ 既存の光ファイバーネットワークを活用できる空港や鉄道、道路や河川等の公共インフラ。他に電波天文分野以 外でも、計測距離を延伸できれば不法ドローンの検知等へも応用可能。（オリンピック競技場等の警備など）。 ○ リニアセルの海外展開に向けた課題 ...
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ADM8611/ADM8612/ADM8613/ADM8614/ADM8615: ウォッチドッグ・タイマとマニュアル・リセット付きの超低消費電力監視 IC
... これらのデバイスは、消費電力が極めて小さいため、バッテリ 駆動のポータブル機器や電力量計など電力効率に敏感なシステ ムに適しています。 デバイス・ファミリーの各メンバーの特長を表 9 に示します。 各デバイスは、出荷時設定の様々な電圧モニタリング閾値オプ ションを持つサブモデルに分類されます。2 V～4.63 V の範囲で は、ADM8611 に 10 ...
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イットリウム系大電流・低損失超電導電力ケーブル
... 撲滅、1 kmを超える長尺化、低コストでの安定製造技術の確 立がある。今回の成果を踏まえて上記課題を早急に解決し、 Y系線材をニーズに応じて提供できるよう努力したい。 ケーブル開発では、超電導線材を多層導体化したケーブ ルの交流損失特性を含む電気的特性及び機械的特性の基礎 データを収集し、コンパクトで低損失なケーブル設計を確 立した。当社Y系線材を用いて15 m長の大電流・低損失超 ...
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俯瞰区分と研究開発領域3.3.1 超低消費電力 ( ナノエレクトロニクスデバイス ) ス応用 245 ⑴ 研究開発領域の簡潔な説明従来よりも桁違いの超低消費電力を可能とするナノエレクトロニクスデバイスを実現し 集積回路への適用を目指す 新材料の特性を理論的 実験的に確認し システム最適設計によるデバ
... 現状の CMOS デバイスは、微細化の物理的限界、特性ばらつきの増大、素子の消費電 力増大などが見え始めており、この限界を突破する方策として、いくつかのナノエレクト ロニクスの潮流が見え始めている。一つは、従来の材料にはない新しい機能の活用を視野 に入れた新規デバイス・材料開発であり、例えば既存のバルク材料とは異なる物性の表面・ 界面を有するグラフェンやトポロジカル絶縁体のような二次元機能性原子薄膜などの新材 ...
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1.1nV/√Hz の低ノイズ、低消費電力、高精度 オペアンプ、小型 DFN-8 パッケージ datasheet (Rev. A)
... 定されています。動作電圧または温度によって大きく異なるパ ラメータについては、代表的特性に示します。 入力保護 OPA211の入力端子は、図45に示すように、双方向接続のダ イオード･ペアによって過度の差動電圧から保護されています。 ほとんどの回路アプリケーションでは、入力保護回路は出力に 影響を及ぼしません。ただし、低ゲイン、またはG = 1の回路 では、アンプの出力が入力ランプに対して高速に応答できない ...
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ガスセンシング用低消費電力型（＜ 1 W）中赤外量子カスケードレーザ
... BH構造を形成した後、ウェハ全面に絶縁膜によるパッ シベーションを行い、n-GaInAsコンタクト層直上のみ絶 縁膜を開口して、オーミック電極を真空蒸着法により成膜 した。さらにその直上に厚いAuメッキ層を付加して上面 電極を形成した後、ウェハ裏面を研磨して減厚し、裏面電 極を形成した。最後に、バー化した後、閾値電流を低減さ せるために高反射膜となる Auコーティングを行った。 ...
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NJM062C/064C NJM062CA/064CA 低消費電力 J-FET 入力オペアンプ 特長 動作電源電圧 ±2 to ±18V 高入力抵抗 Ω typ. 広動作温度範囲 -40 C to 125 C バイポーラ構造 低消費電流 200μA/amp typ. スルーレート 3.5
... ●オーディオアンプ / フィルタ ●フォトダイオードアンプ 概要 NJM062C/064C は NJM072C/074C の低消費電力版 J-FET 入力オペアンプです。低消費電力、高入力インピーダ ンス、高スルーレート、低入力バイアス電流、低オフセット電 流を特長としており、オーディオアンプや計測等の分野にも ...
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