半導体レーザーFCM
「世界初、高出力半導体レーザーを8分の1の狭スペクトル幅で発振に成功」
... Nd:YAG レーザー（1064nm）では、吸収係数が高く、スペクトル帯域が広い 808nm 帯で励起していました。ところが、固体レーザーの発振波長と励起光源との差は、 熱になってしまうため、効率を良くするために、固体レーザーの発振波長に近い波長帯の 励起光源が求められています。Nd:YAG には、885nm 帯にも吸収スペクトルがありますが、 808nm ...
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分子制御レーザー開発研究センター
... ： 半導体において， レーザー照射による遠赤外複素屈折率の変化を測定した。 d) 青色半導体レーザー ： 青色で発光する窒化ガリウム系の半導体素子において精密な分光を行い， 未解明の分野であ る発光メカニズムについて様々な知見を得た。 窒化ガリウム系の半導体素子は， 近年， 青色半導体レーザー材料とし ...
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分子制御レーザー開発研究センター
... state, ultraviolet, toward TW laser system with Ce: LiCAF gain media,” 電気学会, 光・量子デバイス研究会, 2001年10月. 猿倉信彦 , 「半導体からの T Hz 電磁波の発生に関する研究」 , 電気学会 , 光 ・ 量子デバイス研究会 , 2001年 8 月 . 猿倉信彦 , 「高出力紫外波長可変 C e:L iC A Fレーザー」 ...
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分子制御レーザー開発研究センター
... 中赤外域から紫外域にわたる多機能な応用光計測を可能とする高機能 ・ 広帯域波長可変クロマチップレーザー （ C hromatic Microchip L aser S ystem; C hroma-C hip L aser） をめざして以下のような研究を進めている。 a-1) 日本に伝統的なセラミックスの持つ材料設計の可能性を利用した新型固体レーザー材料について開発研究を 行っている。 これまでにY A ...
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分子制御レーザー開発研究センター
... a1) レーザー材料の分光特性を詳細に調べることにより， 半導体レーザー （L D ） 励起固体レーザー （D PS S L ） の中でも代 表的な Nd:Y A G レーザーの性能を飛躍的に高めることのできる励起法を見出すことができた。 Nd:Y A G は GaA lA ...
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分子制御レーザー開発研究センター
... 工業技術院電子技術総合研究所非常勤研究員 , 1994 年 4 月− 1995 年 3 月 , 1998 年 7 月− 9 月 . 財団法人神奈川科学技術アカデミー非常勤研究員 , 1998 年 5 月− . C ) 研究活動の課題と展望 遠赤外超短パルスレーザーにおいては，その実用という点において，ミリワット級のアベレージパワーを持つテ ...
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分子制御レーザー開発研究センター
... N. SARUKURA, Z. L. LIU and H. OHTAKE,"Tunable Ultraviolet Sub-Nanosecond Pulses from All-Solid-State Laser Systems Based on Ce-ActivatedFluorides," International Conference on Lasers '98, December 1998. 猿倉信彦 , ...
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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... 概要 GaN 系半導体デバイスとして、レーザー、高輝度 LED、パワー半導体が関心を集め、研究対象 となっているが、これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い。 GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため、GaN 基板は極めて高価で、GaN 基板を利用したデバ イスの実用化を阻んでいるとされている。そこで、 GaN 単結晶の代表的な製造方法として、HVPE （ Hydride ...
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半導体設計支援（EDA）技術
... こうして、自らの有する資産を認識し、確保した上で、ユーザとしての立場で積極的に活 用するたくましさが欲しい。すなわち、ツールを改良するための情報を無償で提供するので はなく、相応の対価を求めていく姿勢である。例えば、ED A ベンダと共同研究や共同出願と することを交渉していくべきである。また、ユーザである半導体メーカだけで、特許を取得 する戦略も考えられる。発明の中には、課題を発見するまでが困難なのに対して、その課題 ...
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ディスクリート半導体の基礎
... • 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産 が侵害されることのないように、お客様の責任において、お客様のハードウエア・ソフトウエア・システムに必要な安全設計を行うことをお願いします。なお、設計および使用に際しては、本製品に関す ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... 業務設計と組織構造 インターフェイスの抽象化と各モジュールの分権化は、半導体製造装置メーカーの登場 によって強まった。これも最初は半導体メーカーの使っている装置を外販するものだった が、次第に専業メーカーがあらわれ、特に半導体露光装置ではニコン・キャノンの 2 社で 世界のシェアの半分以上を占めるに至った。しかし最近では、半導体露光装置でも部品の ...
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半導体製造装置プロセス管理技術
... 1） レシピ特許を含むプログラム特許では、日米での出願人分布は大きな違いがある。米国登録特許では、アプライドマ テリアルズ社（AM AT）、アドバンストマイクロデバイセズ社（AM D ）の上位2社でプログラム特許全体の55. 2％を占め ており、この2社は明らかに戦略的に特許を取得していると見られるのに対して、日本は大手半導体メーカや製造装 ...
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通信用半導体レーザの開発
... ことで520mW の高出力モジュールを実現した （20） 。 一方、0.98µm レーザは、効率が高く、波長が短いため に、発熱による光出力飽和が起こる前に高い光密度による 端面破壊（COD ： Catastrophic Optical Damage）で突 然劣化することが問題となっていた。COD は、端面近傍 での非発光中心などでの光吸収による温度上昇が半導体の バンドギャップを小さくし、それが光吸収をさらに増大さ ...
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分子制御レーザー開発研究センター
... 従来レーザー材料に対する新機能の発見も可能となる。 半導体レーザー （L D ） 励起固体レーザー （D PS S L ） の中でも代表的な Nd:Y A G レーザーは， これまで GaA lA s-L D に適 した808 nm （ 4 I 9/2 – 4 F 5/2 ） に強い吸収があったことも幸いし， １ ９ ８ ０ 年代半ばより飛躍的な発展を遂げた。 ...
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Nippon Laser Igakkaishi 総説 REVIEW ARTICLE 動物の自然発症腫瘍に対する半導体レーザーとインドシアニングリーン修飾リポソーム (ICG-lipo) を用いた光線力学的療法の治療成績 岡本芳晴 1, 山下真路 2, 大﨑智弘 1, 東和生 1, 伊藤典彦 1, 村
... (Received November 26, 2018, Accepted May 27, 2019, Advance Publication released online September 5, 2019) 要 旨 2010 年，我々はインドシアニングリーン（ICG）をリン脂質成分に結合させた ICG 修飾リポソーム（ICG-lipo）を 開発した．今回，動物の自然発症腫瘍 38 症例に対して治療成績を評価した．治療は ...
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分子制御レーザー開発研究センター
... 遠赤外超短パルス レーザーには， その実用という 点において， ミ リ ワ ッ ト級のアベレージパワーを持つテラヘルツ放射光源が 必要と なる。我々のグループでは， 半導体基板に強磁場を印加したテラヘルツエミ ッ タ を用いる こ とで， 平均出力でサブミ リ ワ ッ ト級のテラヘルツ電磁波光源を実現し，今まで非常に難しいと されていたテラヘルツ領域の時間分解分光も容易に行う こ とが 可能と ...
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分子制御レーザー開発研究センター
... 遠赤外超短パルス レーザーには， その実用という 点において， ミ リ ワ ッ ト級のアベレージパワーを持つテラヘルツ放射光源が 必要と なる。 我々のグループでは， 半導体基板に強磁場を印加したテラヘルツエミ ッ タ を用いる こ とで， 平均出力でサブミ リ ワ ッ ト級のテラヘルツ電磁波光源を実現し， 今まで非常に難しいと されていたテラヘルツ領域の時間分解分光も容易に行 う こ とが可能と なった。 ...
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ディスクリート半導体の基礎
... •文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載 内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。 •当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は ...
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半導体試験・測定システム
... ９分野におよぶが、 半導体技術は情報技術分野の中で進められており、 M ED EA+はその主要プロジェクトである。 M ED EA+の中核メンバーは N oki a、Er i cs s on、 Phi l i ps などの大手であるが、各プロジェクト には 280 団体、3000 人の科学者、技術者が参加している。2003 年には約 50 のプロジェク ...
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半導体デバイスの信頼性
... 1.1 半導体レーザー(LD)の光学損傷 光学損傷(Catastrophic Optical Damage (COD))は半導体レーザに印加する電流を増して光出 力を増していくと、突然光出力が低下し、非可逆な劣化が生じる場合に見られる。また静電破壊のように 瞬間的であっても過電流が流れた場合には同様の現象が起きる。LD の P-I 曲線として、一般的なもの ...
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